存储器装置中的错误处置流管理制造方法及图纸

本公开涉及存储器装置中的错误处置流管理。公开了包含存储器装置和操作性地耦合到所述存储器装置的处理装置的系统和方法。所述处理装置可执行包含以下各项的操作：检测关于驻存于所述存储器装置的块中的数据的读取错误，其中所述块与电压偏移区间相关联，确定待对所述数据执行的错误处置操作的有序集合，确定与所述电压偏移区间相关联的最近执行的错误处置操作；通过按错误处置操作集合的次序将所述最近执行的错误处置操作定位在预定位置内来调整所述错误处置操作集合的所述次序；以及按调整后的次序执行所述错误处置操作集合中的一或多个错误处置操作，直到与所述读取错误相关联的数据恢复为止。关联的数据恢复为止。关联的数据恢复为止。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置中的错误处置流管理


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及存储器装置中的错误处置流管理。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开提供一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其操作性地耦合到存储器装置，以执行包括以下各项的操作：检测关于驻存于存储器装置的块中的数据的读取错误，其中块与电压偏移区间相关联；确定待对数据执行的错误处置操作的有序集合；确定与电压偏移区间相关联的最近执行的错误处置操作，其中最近执行的错误处置操作为已成功地恢复与发生在与电压偏移区间相关联的块上的先前读取错误相关联的数据的错误处置操作；通过按错误处置操作集合的次序将最近执行的错误处置操作定位在预定位置内来调整错误处置操作集合的次序；以及按调整后的次序执行错误处置操作集合中的一或多个错误处置操作，直到与读取错误相关联的数据恢复为止。
[0004]在另一方面中，本公开进一步提供一种方法，其包括：检测关于驻存于存储器装置的块中的数据的读取错误；确定待对数据执行的错误处置操作的有序集合，确定最近执行的错误处置操作，其中最近执行的错误处置操作为已成功地恢复与先前读取错误相关联的数据的错误处置操作；以及将最近执行的错误处置操作作为错误处置流中的第一错误处置操作执行。/>[0005]在再一方面中，本公开进一步提供一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由操作性地耦合到存储器的处理装置执行时执行包括以下各项的操作：检测关于驻存于存储器装置的块中的数据的读取错误，其中块与电压偏移区间相关联；确定待对数据执行的错误处置操作的有序集合；确定与电压偏移区间相关联的最近执行的错误处置操作，其中最近执行的错误处置操作为已成功地恢复与发生在与电压偏移区间相关联的块上的先前读取错误相关联的数据的错误处置操作；通过按错误处置操作集合的次序将最近执行的错误处置操作定位在预定位置内来调整错误处置操作集合的次序；以及按调整后的次序执行错误处置操作集合中的一或多个错误处置操作，直到与读取错误相关联的数据恢复为止。
附图说明
[0006]根据下文给出的实施方式且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示意性地说明根据本公开的一些实施例的能够通过将存储器单元编程为八个电荷状态而存储三个数据位的三层级存储器单元的时间电压移位，所述八个电荷状态的不同之处在于单元的浮动栅极上的电荷量。
[0009]图3描绘示出根据本公开的一些实施例的阈值电压偏移与编程后时间(即，从块已编程以来经过的时间段)的相关性的实例曲线图。
[0010]图4说明根据本公开的方面的由存储器子系统控制器维持的实例元数据。
[0011]图5是根据本公开的一些实施例的执行的错误处置流管理的实例方法的流程图。
[0012]图6是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0013]本公开的各方面涉及存储器装置中的错误处置流管理。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可以利用包含一或多个组件的存储器子系统，所述一或多个组件例如存储数据的存储器装置。主机系统可以提供待存储于存储器子系统处的数据，并且可以请求从存储器子系统检索数据。
[0014]存储器子系统可以利用一或多个存储器装置(包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合)来存储由主机系统提供的数据。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。每个存储器装置可包含一或多个存储器单元阵列。存储器单元(“单元”)是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可以存储一或多位二进制信息，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(如“0”和“1”)或这种值的组合表示。
[0015]可由存储器子系统执行各种数据操作。数据操作可以是主机发起的操作。例如，主机系统可以在存储器子系统上发起数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可以将存取请求(例如，写入命令、读取命令)发送到存储器子系统，以便将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，且从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定的待读取或写入的数据在下文中被称作“主机数据”。主机请求可包含用于主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(LBA)、名称空间)，其为主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，LBA、名称空间)可以是主机数据的元数据的部分。元数据还可包含错误处置数据(例如，错误校正码(ECC)码字奇偶校验数据)、数据版本(例如，用于区分所写入数据的新旧)、有效位图(其LBA或逻辑传送单元含有有效数据)等。
[0016]存储器装置包含能够取决于存储器单元类型而存储一或多位信息的多个存储器单元。可通过将某一电压施加到存储器单元，使得有电荷正被存储器单元保持，以此对存储器单元进行编程(写入存储器单元)，所述电压被称为“阈值电压”且标示为Vt。
[0017]存储器装置可具有与装置的单元所容许的控制电压的工作范围相比较窄的分布。因此，多个分布(在分布之间具有“谷值”)可刚好放入允许每单元存储并且可靠地检测多个位的工作电压窗中，例如针对TLC的23＝8个分布(7个谷值)、针对MLC的22＝4个分布(3个谷值)等。分布之间穿插有电压间隔(谷值裕度)，其中装置的存储器单元没有(或极少)具有其阈值电压。因此，可使用这类谷值裕度通过施加对应于每个谷值的读取电压来分离各种电
荷状态，可通过在读取操作期间进行检测来确定单元的逻辑状态。这实际上允许单个存储器单元存储多位信息：在2
N
个分布(也被称为层级)下操作的存储器单元能够存储N位信息。在读取操作期间，施加2
N
‑
1个读取电压以区分2
N
个分布。具体地，可通过将存储器单元展现的所测量阈值电压V
T
与对应于存储器装置的已知谷值(例如，谷值中心)的一或多个参考电压电平进行比较，以此执行读取操作。
[0018]由于被称为缓慢电荷损失(SCL)的现象，随着单元的电荷减少，存储器单元的阈值电压V
T
可随时间而变化，过程有时被称为“时间电压移位”(TVS)。由于典型单元存储带负电的粒子(电子)，因此电子的损失使得电压阈值沿着电压轴线朝向较低电压阈值V
T
移位。阈值电压可首先(紧接在存储器单元被编程之后)快速地改变，同时相对于从单元编程事件以来经过的时间t以大致对数线性或幂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其操作性地耦合到所述存储器装置，以执行包括以下各项的操作：检测关于驻存于所述存储器装置的块中的数据的读取错误，其中所述块与电压偏移区间相关联；确定待对所述数据执行的错误处置操作的有序集合；确定与所述电压偏移区间相关联的最近执行的错误处置操作，其中所述最近执行的错误处置操作为已成功地恢复与发生在与所述电压偏移区间相关联的块上的先前读取错误相关联的数据的错误处置操作；通过按错误处置操作集合的次序将所述最近执行的错误处置操作定位在预定位置内来调整所述错误处置操作集合的所述次序；以及按调整后的次序执行所述错误处置操作集合中的一或多个错误处置操作，直到与所述读取错误相关联的数据恢复为止。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述错误处置操作的有序集合基于与所述块相关联的所述电压偏移区间。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将执行包括以下各项的另外操作：在元数据表中维持指示成功地恢复数据的错误处置操作的记录。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将执行包括以下各项的另外操作：在元数据表中维持错误处置流中的所述预定位置的部位的指示。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将执行包括以下各项的另外操作：响应于多个错误处置操作中的错误处置操作按所述调整后的次序恢复与所述读取错误相关联的数据，通过用所述错误处置操作替换最近执行的错误处置操作来更新元数据表。6.根据权利要求1所述的系统，其中在所述存储器装置的编程或校准中的至少一者期间设置所述预定位置。7.根据权利要求1所述的系统，其中在元数据表中指定所述次序。8.一种方法，其包括：检测关于驻存于存储器装置的块中的数据的读取错误；确定待对所述数据执行的错误处置操作的有序集合，确定最近执行的错误处置操作，其中所述最近执行的错误处置操作为已成功地恢复与先前读取错误相关联的数据的错误处置操作；以及将所述最近执行的错误处置操作作为错误处置流中的第一错误处置操作执行。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述错误处置操作的有序集合基于与所述块相关联的电压偏移区间。10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在元数据表中维持指示成功地恢复数据的错误处置操作的记录。11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：响应...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：