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具有屏蔽件的植入式医疗引线制造技术

技术编号:35129562 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-05 10:02
本公开描述植入式医疗引线和利用所述引线的医疗装置系统。在一些实例中,一种植入式医疗引线包括:第一除颤电极和第二除颤电极,所述第一和第二除颤电极被配置成递送抗快速性心律失常电击;以及设置在所述第一除颤电极和所述第二除颤电极之间的起搏电极,所述起搏电极被配置成递送在所述起搏电极附近产生电场的起搏脉冲。所述植入式医疗引线另外包括设置在所述第一除颤电极和所述第二除颤电极之间并且在所述起搏电极的外表面的一部分上方的屏蔽件,其中所述屏蔽件被配置成阻止在从所述起搏电极到远离心脏的方向上的所述电场。述起搏电极到远离心脏的方向上的所述电场。述起搏电极到远离心脏的方向上的所述电场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有屏蔽件的植入式医疗引线
[0001]本申请要求2021年2月25日提交的美国申请序列号17/185,784和2020年2月28日提交的美国临时申请序列号62/982,790的权益,其全部内容以引用的方式并入本文中。


[0002]本申请涉及植入式医疗引线,并且更具体地,涉及具有一种或多种结构的植入式医疗引线,以降低对非预期组织的刺激的可能性。

技术介绍

[0003]恶性快速性心律失常,例如心室纤颤(VF)是心脏中的心室的心肌的不协调收缩并且是心脏骤停患者中最常见的心律失常。如果这种心律失常持续超过几秒,则其可能导致心源性休克以及有效血液循环的停止。因此,心脏性猝死(SCD)可在几分钟内发生。
[0004]在具有VF高风险的患者中,植入式系统,如植入式心脏复律器除颤器(ICD)系统的使用已经示出在预防SCD方面为有益的。植入式系统,如具有或不具有心脏复律或除颤能力的起搏器,也可医治其它心脏功能障碍,如心动过缓和心力衰竭。这类植入式系统可包含被配置成经由电极递送治疗的电气装置。治疗可包含电击和/或抗心动过速起搏(ATP)。植入式系统还可被配置成递送心脏起搏以例如医治缓慢型心律失常或用于心脏再同步治疗(CRT)。
[0005]植入式系统可包含一个或多个植入式医疗引线。植入式医疗引线的远侧部分可包含一个或多个电极,并且可定位在患者体内的目标位置处,用于经由电极递送电治疗和/或电感测。引线的近侧端部可耦合到植入式系统。植入式系统还可包含一个或多个外壳电极,有时称为罐电极,用于递送治疗和/或感测。/>[0006]由于直接在心脏内或心脏上附接和更换植入式医疗引线的固有手术风险,已设计出皮下植入式系统,其中植入式系统和引线位于胸廓外侧的皮下。还提出植入式系统的引线的远侧部分可植入胸廓内,但不与心脏接触,例如,在胸骨下。此外,已提出将植入式系统的引线的远侧部分植入胸廓内的心外血管内,如胸廓内静脉(ITV)、肋间静脉、上腹壁静脉或奇静脉、半奇静脉和副半奇静脉。
[0007]植入式医疗引线也用于将治疗递送到除心脏之外的组织。植入式医疗引线可用于将一个或多个电极定位在目标神经、肌肉或器官内或附近,以将电刺激递送到这类组织。作为实例,植入式医疗引线可定位在硬膜外空间中以递送脊髓刺激,或定位在其它神经如骨盆神经或肾神经附近以将神经刺激递送到神经。

技术实现思路

[0008]相对于心脏上或心脏内的电极,使用血管外引线电极递送起搏脉冲可需要更高的能量水平来捕获心脏。此外,放置在血管外的常规起搏电极可将由起搏脉冲产生的大部分电场引导远离心脏。引导远离心脏的电场可刺激心外组织,如膈神经、肋间区域的神经末梢或其它感觉或运动神经。当将电极植入胸廓内的心外血管如ITV、肋间静脉、上腹壁静脉或
奇静脉、半奇静脉和副半奇静脉内时,或当将电极植入其它心外位置时,可类似地发生这些问题。
[0009]本公开描述植入式医疗引线和利用引线的植入式系统,如ICD系统。更具体地,本公开描述包含屏蔽件的植入式医疗引线,所述屏蔽件被配置成阻止来自起搏脉冲的电场,例如,阻挡或降低在从起搏电极到远离心脏的方向例如向前方向上的电场。以这种方式,屏蔽件可降低经由起搏电极递送的起搏脉冲刺激心外组织如感觉或运动神经的可能性,这可降低与捕获这类组织相关联的疼痛或其它感觉。此外,屏蔽件可将电场朝向心脏引导,与没有屏蔽件时可需要的相比,允许较低能量水平的起搏脉冲捕获心脏。较低能量的起搏脉冲还可降低经由起搏电极递送的起搏脉冲刺激心外组织的可能性,并且可导致ICD的电源消耗较少,并且因此延长ICD的使用寿命。
[0010]尽管本文主要在ICD系统的背景下进行描述,但是本公开的技术的各个方面可施加到除ICD系统之外的植入式系统,包含但不限于心动过缓或CRT起搏器系统。因此,具有一个或多个屏蔽件的植入式医疗引线可用于除ICD系统之外的背景下,包括心脏和非心脏两者。作为一个实例,在电极表面的一部分上方具有屏蔽件的植入式医疗引线可与没有除颤能力的心外起搏器系统一起使用。作为另一实例,在电极表面的一部分上方具有屏蔽件的植入式医疗引线可阻止由电极在远离目标神经的方向上递送神经刺激产生的电场。以这种方式,屏蔽件可将神经刺激引导至预期组织,并且降低神经刺激刺激非预期组织的可能性。
[0011]在一个实例中,植入式医疗引线包括:第一除颤电极和第二除颤电极,第一和第二除颤电极被配置成递送抗快速性心律失常电击;以及设置在第一除颤电极和第二除颤电极之间的起搏电极,起搏电极被配置成递送在起搏电极附近产生电场的起搏脉冲。植入式医疗引线另外包括屏蔽件,其设置在第一除颤电极和第二除颤电极之间、在起搏电极的外表面的一部分上方并且远离起搏电极侧向延伸,其中屏蔽件被配置成阻止在从起搏电极到远离心脏的方向上的电场。
[0012]在另一实例中,植入式心脏复律器除颤器(ICD)系统包括如上所述的植入式医疗引线和被配置成经由起搏电极递送起搏脉冲的ICD。
[0013]在另一实例中,植入如上所述的植入式医疗引线的方法包括将植入式医疗引线推进到患者体内的某个位置,以及旋转地定向植入式医疗引线的远侧部分,使得屏蔽件相对于起搏电极与心脏相对。
[0014]在另一实例中,制造如上所述的植入式医疗引线的方法包括将屏蔽件附接到起搏电极的表面,和随后将屏蔽件和起搏电极组装在植入式医疗引线上。
[0015]本
技术实现思路
旨在提供本公开中描述的主题的概述。其并不旨在提供对下文的附图和描述内详细描述的系统、装置和方法的排他性或详尽解释。在下文的附图和描述中阐述了一个或多个实例的另外的细节。其它特征、目的和优点将根据下文提供的描述和附图以及陈述变得明显。
附图说明
[0016]图1A为植入有胸廓内植入的心血管外ICD系统的患者的前视图。
[0017]图1B为植入有胸廓内植入的心血管外ICD系统的患者的侧视图。
[0018]图1C为植入有胸廓内植入的心血管外ICD系统的患者的横向视图。
[0019]图2为说明包括屏蔽件的实例植入式医疗引线的远侧部分的概念图。
[0020]图3A

3C为说明植入式医疗引线的实例屏蔽件的视图的概念图。
[0021]图4为说明用于植入包括屏蔽件的植入式医疗引线的实例技术的流程图。
[0022]图5为说明用于制造包括屏蔽件的植入式医疗引线的实例技术的流程图。
[0023]图6为说明包括多个屏蔽件的实例植入式医疗引线的远侧部分的概念图。
[0024]图7为说明包括多个屏蔽件的另一实例植入式医疗引线的远侧部分的概念图。
[0025]图8为说明包括屏蔽件的另一实例植入式医疗引线的远侧部分的概念图。
[0026]图9为说明包括屏蔽件的另一植入式医疗引线的远侧部分的一部分的概念图。
[0027]图10为实例ICD的电子组件的实例配置的功能框图。
具体实施方式
[0028]如本文所用,如“第一”和“第二”、“上方”和“下方”、“前方”和“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种植入式医疗引线,其包括:第一除颤电极和第二除颤电极,所述第一和第二除颤电极被配置成递送抗快速性心律失常电击;起搏电极,其设置在所述第一除颤电极和所述第二除颤电极之间,所述起搏电极被配置成递送在所述起搏电极附近产生电场的起搏脉冲;和屏蔽件,其设置在所述第一除颤电极和所述第二除颤电极之间、在所述起搏电极的外表面的一部分上方并且远离所述起搏电极侧向延伸,其中所述屏蔽件被配置成阻止在从所述起搏电极到远离心脏的方向上的所述电场。2.根据权利要求1所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件的长度大于所述起搏电极的长度。3.根据权利要求1或2所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件从所述第一除颤电极和所述第二除颤电极中的近侧电极的远侧端部延伸到所述第一除颤电极和所述第二除颤电极中的远侧电极的近侧端部。4.根据权利要求1至3中任一项所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件的宽度大于所述起搏电极的宽度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件为电绝缘的。6.根据权利要求1至5中任一项所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件被配置成折叠或缠绕在所述起搏电极周围以经由植入工具的腔递送,并且被配置成在从所述腔释放时弹性解折叠或解开至打开配置。7.根据权利要求1至6中任一项所述的植入式医疗引线,其中所述植入式医疗引线的所述远侧部分限定波状配置,所述波状配置包含在第一方向上延伸的第一峰、在所述第一方向上延伸的第二峰,以及在所述第一峰和所述第二峰之间在与所述第一方向相反的第二方向上延伸的第三峰,并且其中所述第一除颤电极的至少一部分设置在所述第一峰上,所述第二除颤电极的至少一部分设置在所述第二峰上并且所述起搏电极的至少一部分设置在所述第三峰上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的植入式医疗引线,其中所述屏蔽件包括被配置成促进所述屏蔽件的展开或铰接中的至少一种的至少一个支撑结构。9.根据权利要求8所述的植入式医疗引线,其中所述支撑结构包括镍钛诺。10.根据权利要求1至9中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:V
申请(专利权)人:美敦力公司
类型:发明
国别省市:

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