多波长发光元件以及其制造方法技术

根据一实施例的发光元件包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述长波长发光部的活性层相比所述短波长发光部的活性层具有更多铟(In)，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多波长发光元件以及其制造方法


[0001]本公开涉及一种多波长发光元件，尤其涉及一种能够在无荧光体的情况下发出多波长的光的发光元件。

技术介绍

[0002]发光二极管作为无机光源，正在广泛应用于诸如显示装置、车辆用灯、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点，因此正在快速替代现有光源。
[0003]图1是用于说明根据现有技术的白色光发光元件的示意性的剖面图。
[0004]参照图1，根据现有技术的白色光发光元件包括引线电极11a、11b、壳体13、发光二极管芯片15、接合线17、波长转换器19。
[0005]发光二极管芯片15可以发出蓝色光。例如，发光二极管芯片15可以发出430nm～470nm波长范围的光。
[0006]波长转换器19例如可以由包括黄色荧光体的树脂形成。主要使用YAG系(Yttrium aluminum garnet
‑
based)或者硅酸盐系的荧光体作为黄色荧光体。波长转换器19布置在从发光二极管芯片15发出的光的路径上。
[0007]发光二极管芯片15电连接于引线电极11a、11b。例如，接合线17可以将发光二极管芯片15的一个电极电连接于引线电极11b，发光二极管芯片15的另一个电极可以通过导电胶等导电物质接合到引线电极11a。
[0008]根据现有技术的白色光发光元件通常在封装件级别(Package Level)呈现白色光。即，从蓝色发光二极管芯片发出的蓝色光和从黄色荧光体发出的黄色光混合，从而可以向外部发出白色光。
[0009]虽然图1例示了典型的白色光发光元件，但可以提供多种封装件，并且这些封装件通常包括荧光体。
[0010]根据现有技术的白色光发光元件在发光二极管芯片的基础上还包括荧光体，因此存在制造工序复杂且生产成本增加的问题。进一步，分散有荧光体的树脂并不耐热，并且存在随着时间的推移而劣化等问题。

技术实现思路

[0011]技术问题
[0012]本公开要解决的课题在于提供一种能够在不使用荧光体的情况下呈现多波长的光(例如，白色光)的发光元件。
[0013]本公开要解决的又一课题在于提供一种能够在晶圆级别或者芯片级别呈现多波长的光的发光元件。
[0014]技术方案
[0015]根据本公开的一实施例的发光元件包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合
层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述长波长发光部的活性层相比所述短波长发光部的活性层具有更多铟(In)，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。
[0016]根据一实施例的发光元件制造方法包括如下步骤：在第一基板上形成第一LED叠层；在第二基板上形成第二LED叠层；利用结合层结合所述第一LED叠层和所述第二LED叠层；去除所述第一基板或者所述第二基板，其中，所述第一LED叠层和所述第二LED叠层分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一LED叠层构成为相比所述第二LED叠层发出波长更短的光。
附图说明
[0017]图1是用于说明根据现有技术的白色光发光元件的示意性的剖面图。
[0018]图2是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0019]图3是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0020]图4是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0021]图5是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0022]图6是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0023]图7是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0024]图8是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的平面图。
[0025]图9A是沿图8的截取线A
‑
A'截取的示意性的剖面图。
[0026]图9B是沿图8的截取线B
‑
B'截取的示意性的剖面图。
[0027]图10是用于说明根据本公开的又一实施例的发光元件的示意性的平面图。
[0028]图11A是沿图10的截取线C
‑
C'截取的示意性的剖面图。
[0029]图11B是沿图10的截取线D
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D'截取的示意性的剖面图。
[0030]图12A以及图12B是用于说明根据本公开的又一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0031]图13A以及图13B是用于说明根据本公开的又一实施例的发光元件的示意性的剖面图。
[0032]图14是用于说明根据本公开的又一实施例的发光元件的示意性的平面图。
[0033]图15A是沿图14的截取线E
‑
E'截取的示意性的剖面图。
[0034]图15B是沿图14的截取线F
‑
F'截取的示意性的剖面图。
[0035]图16是图14的发光元件的示意性的电路图。
[0036]图17至图19是用于说明根据本公开的几个实施例的发光元件的示意性的电路图。
[0037]最优实施形态
[0038]以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。为了能够将本专利技术的思想充分传递给本专利技术所属
的通常技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本专利技术并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。此外，在附图中，也可能为了便利而夸张表现构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或者“上”时，不仅包括各部分均“直接”位于其他部分的“上部”或者“上”的情形，
还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
[0039]根据本公开的一实施例的发光元件包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述长波长发光部的活性层相比所述短波长发光部的活性层具有更多铟(In)，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。
[0040]可以提供一种通过结合短波长发光部和长波长发光部，从而能够不使用荧光体而发出多波长的光(例如，白色光)的发光元件。
[0041]所述发光元件还可以包括：基板，布置在所述短波长发光部侧或者所述长波长发光部侧。
[0042]在一实施例中，所述短波长发光部可以发出蓝色光，所述长波长发光部可以发出黄色光。在另一实施例中，所述短波长发光部还可以发出紫外线。
[0043]从所述长波长发光部发出的光可以通过所述短波长发光部发出到外部。据此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：短波长发光部；长波长发光部；以及结合层，结合所述短波长发光部与所述长波长发光部，其中，所述短波长发光部和所述长波长发光部中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述长波长发光部的活性层相比所述短波长发光部的活性层具有更多铟(In)，所述短波长发光部相比所述长波长发光部发出波长更短的光。2.如权利要求1所述的发光元件，还包括：基板，布置在所述短波长发光部侧或者所述长波长发光部侧。3.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述短波长发光部发出蓝色光，所述长波长发光部发出黄色光。4.如权利要求1所述的发光元件，其中，从所述长波长发光部发出的光通过所述短波长发光部发出到外部。5.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述结合层是绝缘层或者透明电极。6.如权利要求5所述的发光元件，还包括：第一接合垫，共同电连接到所述短波长发光部和所述长波长发光部；以及第二接合垫和第三接合垫，分别与所述短波长发光部和所述长波长发光部电连接。7.如权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一接合垫共同电连接到所述短波长发光部的第一导电型半导体层和所述长波长发光部的第一导电型半导体层，所述第二接合垫与所述短波长发光部的第二导电型半导体层电连接，所述第三接合垫与所述长波长发光部的第二导电型半导体层电连接。8.如权利要求7所述的发光元件，还包括：填埋式过孔，将所述第一接合垫至所述第三接合垫与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接。9.如权利要求8所述的发光元件，还包括：平坦化层，其中，所述填埋式过孔贯通所述平坦化层，所述第一接合垫至所述第三接合垫布置在所述平坦化层上。10.如权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一接合垫共同电连接到所述短波长发光部的第二导电型半导体层和所述长波长发光部的第二导电型半导体层，所述第二接合垫与所述短波长发光部的第二导电型半导体层电连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贞勳，赵大成，李素拉，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：