磁性部件和电子设备制造技术

磁性部件被配置为与围绕沿着轴向的中心轴缠绕的线圈一起使用。磁性部件包括第一磁性元件至第三磁性元件。第一磁性元件被配置为使由线圈产生的磁通穿过其中，在轴向上延伸以在轴向上具有第一端部和第二端部，从与轴向垂直的方向观察时具有与线圈重叠的部分。第二磁性元件在轴向上相对于第一磁性元件的第一端部设置在线圈的相对侧。第三磁性元件在轴向上相对于第二磁性元件设置在线圈的相对侧。第三磁性元件的磁各向异性大于第一磁性元件和第二磁性元件中每一个磁性元件的磁各向异性，第三磁性元件具有易磁化方向，与其他方向相比第三磁性元件沿着易磁化方向更容易被磁化。第三磁性元件的易磁化方向与轴向垂直。磁性部件能够有助于减少磁损耗。有助于减少磁损耗。有助于减少磁损耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁性部件和电子设备


[0001]本公开涉及与线圈一起使用的磁性部件，以及包括该磁性部件的电子设备。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种线圈元件。线圈元件例如是层叠电感器。线圈元件包括线圈导体、各向同性磁性材料层、各向异性磁性材料层和磁芯部。
[0003]各向同性磁性材料层设置在线圈导体的上表面和下表面中的至少一个表面上。各向异性磁性材料层设置在各向同性磁性材料层的与线圈导体相反的表面上。各向异性磁性材料层由第一各向异性磁性材料制成，该第一各向异性磁性材料具有与各向同性磁性材料层和各向异性磁性材料层的层叠方向垂直的易磁化方向。磁芯部设置在线圈导体的内部。磁芯部由第二各向异性磁性材料制成，该第二各向异性磁性材料具有与各向同性磁性材料层和各向异性磁性材料层的层叠方向平行的易磁化方向。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP 2018
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125527 A

技术实现思路

[0007]磁性部件被配置为与围绕沿着轴向的中心轴缠绕的线圈一起使用。磁性部件包括第一磁性元件至第三磁性元件。第一磁性元件被配置为使得由线圈产生的磁通穿过该第一磁性元件。第一磁性元件在轴向上延伸以在轴向上具有第一端部和第二端部。从与轴向垂直的方向观察时第一磁性元件具有与线圈重叠的部分。第二磁性元件在轴向上相对于第一磁性元件的第一端部设置在线圈的相对侧。第三磁性元件在轴向上相对于第二磁性元件设置在线圈的相对侧。第三磁性元件的磁各向异性大于第一磁性元件和第二磁性元件中的每一个磁性元件的磁各向异性。第三磁性元件具有易磁化方向，与其他方向相比第三磁性元件沿着该易磁化方向更容易被磁化。第三磁性元件的易磁化方向与轴向垂直。
[0008]该磁性部件能够有助于减少磁损耗。
附图说明
[0009]图1A是示出了根据实施例的电子设备的立体图；
[0010]图1B是沿着图1A的IB
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IB线的电子设备的截面图；
[0011]图2示出了根据实施例的电子设备中产生的磁通；
[0012]图3示出了根据实施例的电子设备的制造方法；
[0013]图4示出了根据实施例的电子设备的制造方法中使用的材料；
[0014]图5示出了根据实施例的电子设备的制造方法中使用的材料；
[0015]图6A示出了比较例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0016]图6B示出了比较例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0017]图7示出了根据实施例的电子设备的制造方法的流程图；
[0018]图8示出了根据实施例的电子设备的另一个制造方法的流程图；
[0019]图9示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0020]图10示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0021]图11示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0022]图12示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0023]图13示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0024]图14示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0025]图15示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0026]图16示出了根据实施例的电子设备的磁性部件内部的磁通密度的强度分布的模拟结果；
[0027]图17示出了根据实施例的电子设备的又一个制造方法的流程图。
具体实施方式
[0028]参考附图描述根据实施例的磁性部件和电子设备。注意，下面描述的实施例仅仅是本公开的各种实施例的示例。只要能够实现本公开的目的，可以根据设计等对以下实施例进行各种修改。以下实施例说明中所参考的附图均为示意图。附图所示的各个构成元件的尺寸(包括厚度)的比例并不一定反映它们的实际尺寸比例。
[0029](1)概述
[0030]图1A是根据实施例的电子设备100的立体图。图1B是沿着图1A的IB
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IB线的电子设备100的截面图。电子设备100包括磁性部件1和线圈2。
[0031]图2示出了在电子设备100中产生的磁通。图3示出了电子设备100的制造方法。线圈2包括绕组20，该绕组20围绕沿着轴向X1的虚拟中心轴A1缠绕。线圈2围绕中心轴A1穿过的内部空间21缠绕。
[0032]磁性部件1包括磁性元件11、磁性元件12(121、122)和磁性元件13(131、132)。磁性元件11至13中的每一个磁性元件由磁性材料制成。
[0033]磁性元件11在轴向X1上设置在与线圈2相同的层。也就是说，从与轴向X1垂直的方向观察时磁性元件11具有与线圈2重叠的部分。磁性元件11包括在被线圈2包围的内部空间21中通过的部分111和位于线圈2外部的部分112。从与轴向X1垂直的方向观察时部分111和112中的每一个部分具有与线圈2重叠的部分。
[0034]在轴向X1上，磁性元件12位于线圈2外部和磁性元件11外部。磁性元件12覆盖线圈2的在轴向X1上的外部面，即线圈2的与轴向X1交叉的面。
[0035]在轴向X1上，磁性元件13位于磁性元件12外部。磁性元件13覆盖磁性元件12的在轴向X1上的外部面，即磁性元件12的远离线圈2的面。在轴向X1上，磁性元件12位于线圈2与磁性元件13之间。在轴向X1上，磁性元件12位于磁性元件11与磁性元件13之间。
[0036]磁性元件13的磁各向异性大于磁性元件11和磁性元件12中的每一个磁性元件的磁各向异性。具有磁各向异性的磁性元件的磁导率根据穿过磁性元件的磁通的方向而不同。例如，磁性元件的磁各向异性的大小由针对穿过磁性元件的每个方向的磁通考虑的磁导率值中的磁性元件的磁导率的最大值与最小值的比值来表示。越大的比值指示磁各向异性的大小越大。磁性元件13具有易磁化方向，与其他方向相比磁性元件13沿着该易磁化方向容易被磁化。磁性元件11和12中的一者或两者可以具有易磁化方向，与其他方向相比该磁性元件沿着该易磁化方向容易被磁化。与磁性元件11和12相比，磁性元件13的易磁化方向的方向性更显著。
[0037]在磁性部件1中，磁性元件13的易磁化方向与轴向X1垂直。
[0038]如图2所示，根据本实施例的磁性部件1和电子设备100，流过线圈2的电流产生磁通B1，该磁通B1从位于中央侧的磁性元件11的部分111，穿过位于上侧的磁性元件12(121)、位于上侧的磁性元件13(131)、位于上侧的磁性元件12、位于外侧的磁性元件11的部分112、位于下侧的磁性元件12(122)、位于下侧的磁性元件13(132)以及位于下侧的磁性元件12(122)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁性部件，被配置为与围绕沿着轴向的中心轴缠绕的线圈一起使用，所述磁性部件包括：第一磁性元件，由所述线圈产生的磁通穿过所述第一磁性元件，所述第一磁性元件在所述轴向上延伸以在所述轴向上具有第一端部和第二端部，并且从与所述轴向垂直的方向观察时具有与所述线圈重叠的部分；第二磁性元件，在所述轴向上相对于所述第一磁性元件的所述第一端部设置在所述线圈的相对侧；以及第三磁性元件，在所述轴向上相对于所述第二磁性元件设置在所述线圈的相对侧，所述第三磁性元件的磁各向异性大于所述第一磁性元件和所述第二磁性元件中的每一个磁性元件的磁各向异性，所述第三磁性元件具有易磁化方向，与其他方向相比所述第三磁性元件沿着所述易磁化方向更容易被磁化，所述第三磁性元件的所述易磁化方向与所述轴向垂直。2.根据权利要求1所述的磁性部件，其中所述第一磁性元件由各向同性磁性材料制成，以及所述第三磁性元件由各向异性磁性材料制成。3.根据权利要求1或2所述的磁性部件，其中所述第一磁性元件和所述第二磁性元件由相同的材料制成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁性部件，其中所述第二磁性元件的沿着所述轴向的尺寸落入所述第二磁性元件的沿着所述轴向的尺寸和所述第三磁性元件的沿着所述轴向的尺寸的总和的30％至65％的范围内。5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁性部件，其中所述第一磁性元件的沿着所述轴向的尺寸落入所述第二磁性元件的沿着所述轴向的尺寸和所述第三磁性元件的沿着所述轴向的尺寸的总和的50％至100％的范围内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁性部件，其中所述第二磁性元件与所述第一磁性元件的所述第一端部直接连接，以及所述第三磁性元件与所述第二磁性元件直接连接。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：小谷淳一，森家制，杉村佳奈子，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：