微带高耐受限幅器制造技术

本申请提供一种微带高耐受限幅器，微带高耐受限幅器包括：微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括依次连接的第一段微带线、第一折叠微带线、第二段微带线、第二折叠微带线以及第三段微带线，第一级二极管对管并联在所述第二段微带线的两侧，所述射频扼流电感并联在所述第二段微带线的一侧，第二级二极管对管并联在所述第三段微带线的两侧。本发明专利技术能够实现大信号下8

【技术实现步骤摘要】
微带高耐受限幅器


[0001]本申请属于微波
，具体涉及到一种微带高耐受限幅器。

技术介绍

[0002]限幅器芯片最主要的作用是阻止高功率微波对信号接收系统造成破坏。限幅器芯片在电路中可以反射雷达发射机发射的高功率信号，防止其烧坏后级灵敏部件；而对于低功率信号则可以低插损地通过。整体的运行过程为，当接收到的信号较小时可无损坏的通过；当接收到的信号为大信号，那么将会急剧衰减，这一功率值称为门限电平，输入功率超过门限电平后，输出功率不再增加，起到保护作用。
[0003]现有技术学采用多级级联二极管实现限幅，而通过添加多级联二极管，不仅会使体积增大、结构变复杂、成本提高，而且限幅效果增加也有限。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种微带高耐受限幅器，以解决现有的耐受程度低、插入损耗大的问题。
[0005]基于上述目的，本专利技术实施例提供了一种微带高耐受限幅器，包括：微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括依次连接的第一段微带线、第一折叠微带线、第二段微带线、第二折叠微带线以及第三段微带线，第一级二极管对管并联在所述第二段微带线的两侧，所述射频扼流电感并联在所述第二段微带线的一侧，第二级二极管对管并联在所述第三段微带线的两侧。
[0006]可选的，所述第一折叠微带线包括：第一垂直微带线、第二垂直微带线、第一电容以及第一弯曲微带线，所述第一垂直微带线与所述第一段微带线垂直连接，所述第二垂直微带线与所述第二段微带线垂直连接，所述第一电容连接所述第一弯曲微带线和所述第二垂直微带线。
[0007]可选的，所述第一电容为长条形的分布式电容。
[0008]可选的，第一弯曲微带线为弯曲成半圆形的微带线。
[0009]可选的，第一级二极管对管包括6个二极管，其中第一二极管的阴极与所述第二段微带线连接，所述第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与第三二极管的阴极连接，所述第三二极管的阳极接地；第四二极管的阳极与所述第二段微带线连接，所述第四二极管的阴极与第五二极管的阳极连接，所述第五二极管的阴极与第六二极管的阳极连接，所述第六二极管的阴极接地。
[0010]可选的，第二折叠微带线包括：第三垂直微带线、第四垂直微带线以及第二弯曲微带线，所述第三垂直微带线与所述第二段微带线垂直连接，所述第四垂直微带线与所述第三段微带线垂直连接，所述第二弯曲微带线连接第二垂直微带线与所述第四垂直微带线。
[0011]可选的，第二弯曲微带线为弯曲成半圆形的微带线。
[0012]可选的，第二级二极管对管包括第七二极管和第八二极管，所述第七二极管的阴
极和所述第八二极管的阳极与所述第三段微带线连接，所述第七二极管的阳极和所述第八二极管的阴极接地。
[0013]可选的，第二级二极管对管和所述第二级二极管对管中的各二极管为PIN二极管。
[0014]可选的，微带高耐受限幅器对8
‑
12GHz频段的微波信号进行限幅。
[0015]从上面所述可以看出，本专利技术实施例提供的一种微带高耐受限幅器，包括：微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括依次连接的第一段微带线、第一折叠微带线、第二段微带线、第二折叠微带线以及第三段微带线，第一级二极管对管并联在所述第二段微带线的两侧，所述射频扼流电感并联在所述第二段微带线的一侧，第二级二极管对管并联在所述第三段微带线的两侧，能够实现大信号下8
‑
12GHz的限幅功能，耐受程度高、插入损耗小。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术实施例中的微带高耐受限幅器的结构示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例中的微带高耐受限幅器的限幅电平仿真示意图；
[0019]图3为本专利技术实施例中的微带高耐受限幅器的回波损耗仿真示意图；
[0020]图4为本专利技术实施例中的微带高耐受限幅器的插入损耗仿真示意图。
具体实施方式
[0021]为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面将对本申请的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但本申请还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]本专利技术实施例提供了一种微带高耐受限幅器。如附图1所示，微带高耐受限幅器包括：微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感L，所述微带线包括依次连接的第一段微带线1、第一折叠微带线2、第二段微带线3、第二折叠微带线4以及第三段微带线5。第一级二极管对管6并联在所述第二段微带线3的两侧，所述射频扼流电感L并联在所述第二段微带线3的一侧，第二级二极管对管7并联在所述第三段微带线5的两侧。本专利技术实施例通过设置微带双折线，实现了在宽带内电路的阻抗匹配，使电路的插入损耗和回波损耗获得良好的指标，能够实现大信号下8
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12GHz的限幅功能，耐受程度高、插入损耗小。
[0024]在本专利技术实施例中，第一折叠微带线2包括：第一垂直微带线21、第二垂直微带线23、第一电容C1以及第一弯曲微带线22。所述第一垂直微带线21与所述第一段微带线1垂直连接，所述第二垂直微带线23与所述第二段微带线3垂直连接，所述第一电容C1连接所述第一弯曲微带线22和第二垂直微带线23。所述第一电容C1为长条形的分布式电容。第一弯曲
微带线22为弯曲成半圆形的微带线。第二折叠微带线4包括：第三垂直微带线41、第四垂直微带线43以及第二弯曲微带线42，所述第三垂直微带线41与所述第二段微带线3垂直连接，所述第四垂直微带线43与所述第三段微带线5垂直连接，所述第二弯曲微带线42连接第二垂直微带线41与所述第四垂直微带线43。第二弯曲微带线42为弯曲成半圆形的微带线。
[0025]不同于一般工程中使用的隔直电容主要利用其电容特性，需要添加额外的微带线或电感进行匹配，导致尺寸体积较大。长条形分布式电容相较于常规电容，其不仅能够实现隔直作用，且分布式电容形态可引入寄生电感，构成低Q谐振器结构，可实现良好的宽带阻抗匹配。微带双折线结构，通过压缩微带线，减少芯片面积；且折叠的微带线可引入分布式电容效应，通过单一元件的加载实现双种元件的性能，有效地提升了阻抗匹配，进一步增加了所设计芯片的工作频率带宽。
[0026]在本专利技术实施例中，第一级二极管对管6包括6个二极管，其中第一二极管D1的阴极与所述第二段微带线3连接，所述第一二极管D1的阳极与第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微带高耐受限幅器，其特征在于，所述微带高耐受限幅器包括微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括依次连接的第一段微带线、第一折叠微带线、第二段微带线、第二折叠微带线以及第三段微带线，第一级二极管对管并联在所述第二段微带线的两侧，所述射频扼流电感并联在所述第二段微带线的一侧，第二级二极管对管并联在所述第三段微带线的两侧。2.如权利要求1所述的微带高耐受限幅器，其特征在于，所述第一折叠微带线包括：第一垂直微带线、第二垂直微带线、第一电容以及第一弯曲微带线，所述第一垂直微带线与所述第一段微带线垂直连接，所述第二垂直微带线与所述第二段微带线垂直连接，所述第一电容连接所述第一弯曲微带线和所述第二垂直微带线。3.如权利要求2所述的微带高耐受限幅器，其特征在于，所述第一电容为长条形的分布式电容。4.如权利要求2所述的微带高耐受限幅器，其特征在于，所述第一弯曲微带线为弯曲成半圆形的微带线。5.如权利要求1所述的微带高耐受限幅器，其特征在于，所述第一级二极管对管包括6个二极管，其中第一二极管的阴极与所述第二段微带线连接，所述第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与第三二极管的阴极连接，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志清，褚少甫，郭雅清，
申请(专利权)人：湖南芯引向科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：