本发明专利技术提供一种可提高污染物的去除率的基板处理装置。实施方式的基板处理装置包括：载置台，能够使基板旋转；冷却部，能够向载置台与基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向基板的与载置台侧相反的面供给液体；检测部，能够检测处于基板的面上的液体的冻结的开始；以及控制器，能够控制基板的旋转、冷却气体的供给及液体的供给。所述控制器控制基板的旋转、冷却气体的流量及液体的供给量中的至少任一个而使处于基板的面上的液体成为过冷状态，并在基于来自检测部的信号而判定为成为过冷状态的液体已开始冻结的情况下，在从液体开始冻结起经过规定时间后，使冻结后的液体开始解冻。解冻。解冻。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及一种基板处理装置。
技术介绍
[0002]作为将附着在压印用模板、光刻用掩模、半导体晶片等基板的表面的微粒等污染物去除的方法，提出有冻结洗净法。
[0003]在冻结洗净法中，例如在使用纯水作为用于洗净的液体的情况下，首先，向旋转的基板的表面供给纯水与冷却气体。接着，停止纯水的供给，将所供给的纯水的一部分排出而在基板的表面形成水膜。水膜通过供给至基板的冷却气体而冻结。在水膜冻结而形成冰膜时，微粒等污染物被收进冰膜中，由此从基板的表面分离。接着，向冰膜供给纯水而使冰膜融化，将污染物与纯水一起从基板的表面去除。
[0004]另外，提出有如下技术：在形成冰膜的工序(冻结工序)之前设置将水膜设为过冷状态的工序(过冷工序)，进而，在过冷工序之前设置进行基板的预备冷却的工序(预备工序)(例如参照专利文献1)。
[0005]通常而言，使冰膜融化的时机(开始解冻工序的时机)是通过时间管理来管理。例如，在从开始利用冻结洗净法进行处理起经过了预定的时间时，使得冰膜的温度达到预定的温度，从而使得冰膜开始融化。在此情况下，认为只要进行所述预备工序，则可在每个基板中使从开始处理起至冰膜的温度达到预定的温度为止的时间稳定。若可在每个基板中使从开始处理起至冰膜的温度达到预定的温度为止的时间稳定，则也可使每个基板的污染物的去除率稳定。
[0006]可是，每个基板的污染物的去除率产生了偏差。
[0007]因此，期望开发一种可抑制每个基板的污染物的去除率产生偏差的技术。
[0008][现有技术文献][0009][专利文献][0010][专利文献1]日本专利特开2018
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026436号公报
技术实现思路
[0011][专利技术所要解决的问题][0012]本专利技术所要解决的问题为提供一种可抑制每个基板的污染物的去除率产生偏差的基板处理装置。
[0013][解决问题的技术手段][0014]实施方式的基板处理装置包括：载置台，能够使基板旋转；冷却部，能够向所述载置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的与所述载置台侧相反的面供给液体；检测部，能够检测处于所述基板的所述面上的所述液体的冻结的开始；以及控制器，能够控制所述基板的旋转、所述冷却气体的供给及所述液体的供给。所述控制器控制所述基板的旋转、所述冷却气体的流量及所述液体的供给量中的至少任一个而
使处于所述基板的所述面上的所述液体成为过冷状态，在基于来自所述检测部的信号而判定为成为所述过冷状态的所述液体已开始冻结的情况下，在从所述液体开始冻结起经过规定时间后，使冻结后的所述液体开始解冻。
[0015][专利技术的效果][0016]根据本专利技术的实施方式，提供一种可抑制每个基板的污染物的去除率产生偏差的基板处理装置。
附图说明
[0017]图1为用于例示本实施方式的基板处理装置的示意图。
[0018]图2为用于例示基板处理装置的作用的时序图。
[0019]图3为用于例示供给至基板的液体的温度变化的曲线图。
[0020]图4的(a)、图4的(b)为用于例示污染物的分离机理的示意图。
[0021]图5为用于例示基板上的冻结膜的温度与污染物的去除率的关系以及冻结膜的温度与凹凸部的倒塌数的关系的曲线图。
[0022]图6为用于例示使用本实施方式的基板处理装置重复进行冻结洗净工序时的各冻结洗净工序中的基板的表面的温度变化的曲线图。
[0023]图7为用于例示从开始冻结起至冻结膜成为规定温度为止的时间的曲线图。
[0024]图8为用于例示检测部为检测温度的温度传感器时的检测值的曲线图。
[0025]图9为用于例示检测到的温度与其前一次检测到的温度的差的曲线图。
[0026]图10为用于例示使用本实施方式的基板处理装置重复进行不实施预备工序时的冻结洗净工序时的各冻结洗净工序中的基板的表面的温度变化的曲线图。
[0027][符号的说明][0028]1：基板处理装置
[0029]2：载置部
[0030]2a：载置台
[0031]2a1：支承部
[0032]2aa：孔
[0033]2b：转轴
[0034]2b1：吹出部
[0035]2c：驱动部
[0036]3：冷却部
[0037]3a：冷却液部
[0038]3a1：冷却气体
[0039]3b：过滤器
[0040]3c：流量控制部
[0041]3d：冷却喷嘴
[0042]4：第一液体供给部
[0043]4a：液体收纳部
[0044]4b：供给部
[0045]4c：流量控制部
[0046]4d：液体喷嘴
[0047]5：第二液体供给部
[0048]5a：液体收纳部
[0049]5b：供给部
[0050]5c：流量控制部
[0051]6：壳体
[0052]6a：盖
[0053]6b：分隔板
[0054]6c：排出口
[0055]6c1：排气管
[0056]6c2：排出管
[0057]7：送风部
[0058]7a：空气
[0059]8：检测部
[0060]9：排气部
[0061]10：控制器
[0062]100：基板
[0063]100a：背面
[0064]100b：表面
[0065]101：液体
[0066]101a：冻结膜
[0067]102：液体
[0068]103：污染物
[0069]F：应力。
具体实施方式
[0070]以下，一边参照附图，一边对实施方式进行例示。再者，各附图中，对同样的结构要素标注同一符号并适当省略详细说明。
[0071]以下例示的基板100例如可设为用于半导体晶片、压印用模板、光刻用掩模、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)的板状体等。
[0072]再者，在基板100的表面上可形成作为图案的凹凸部，也可不形成凹凸部。未形成凹凸部的基板例如可设为形成凹凸部之前的基板(例如所谓的块状基板(bulk substrate))等。
[0073]另外，下文中，作为一例，对基板100为光刻用掩模的情况进行说明。在基板100为光刻用掩模的情况下，基板100的平面形状可设为大致方形。
[0074]图1为用于例示本实施方式的基板处理装置1的示意图。
[0075]如图1所示，在基板处理装置1中设置有载置部2、冷却部3、第一液体供给部4、第二液体供给部5、壳体6、送风部7、检测部8、排气部9以及控制器10。
[0076]载置部2包含载置台2a、转轴2b以及驱动部2c。
[0077]载置台2a可使基板100旋转。载置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：载置台，能够使基板旋转；冷却部，能够向所述载置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的与所述载置台侧相反的面供给液体；检测部，能够检测处于所述基板的所述面上的所述液体的冻结的开始；以及控制器，能够控制所述基板的旋转、所述冷却气体的供给及所述液体的供给，所述控制器控制所述基板的旋转、所述冷却气体的流量及所述液体的供给量中的至少任一个而使处于所述基板的所述面上的所述液体成为过冷状态，并在基于来自所述检测部的信号而判定为成为所述过冷状态的所述液体已开始冻结的情况下，在从所述液体开始冻结起经过规定时间后，使冻结后的所述液体开始解冻。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述检测部以规定时间间隔检测成为所述过冷状态的所述液体的表面温度，所述控制器在所述液体的温度上升且检测到的温度与其前一次检测到的温度的差超过了规定阈值的情况及温度上升的比例超过了规定阈值的情况中的至少任一情况下，判定为所述液体已开始冻结。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述规定时间为预先求出的时间，且是从成为所述过冷状态的所述液体开始冻结的瞬间起至所述冻结后的液体的表面温度成为比所述冻结后的液体产生裂纹的温度高5℃以上且10℃以下的温度为止的时间。...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村美波，出村健介，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：
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