功率模块及其制造方法技术

本发明专利技术涉及功率模块及其制造方法，其中绝缘间隔物设置在上、下两个基板之间，从而有效地散去从安装在所述基板之间的半导体芯片产生的热量，并防止由于该热量引起的弯曲变形。此外，由于由绝缘材料制成的间隔物通过钎焊接合与所述基板集成在一起，因此提高了接合强度，从而保持甚至能抵抗振动的较强的接合。从而保持甚至能抵抗振动的较强的接合。从而保持甚至能抵抗振动的较强的接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率模块及其制造方法


[0001]本公开涉及一种功率模块及其制造方法，该功率模块具有在上下两个基板之间安装有半导体芯片的结构。

技术介绍

[0002]功率模块用于提供高压电流来驱动混合动力汽车和电动汽车的电机。
[0003]在功率模块中，双面冷却功率模块具有在半导体芯片的上部和下部的基板，以及在每个基板的外表面上的散热板。与在一个表面上具有散热板的单面冷却功率模块相比，双面冷却功率模块具有优异的冷却性能，因此双面冷却功率模块的使用逐渐增加。
[0004]用于诸如电动汽车的双面冷却功率模块具有安装在两个基板之间的、包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的功率半导体芯片，由于高电压而在驱动过程中产生高热量和振动，因此为了解决上述问题，重要的是要同时满足高强度和高散热特性。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本公开旨在解决上述问题，本公开的目的是提供一种单面或双面冷却功率模块及其制造方法，所述单面或双面冷却功率模块具有高强度和高散热特性、优异的接合特性，并且能够改善性能。/>[0007]问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率模块，包括：第一基板，所述第一基板具有上表面，至少一个半导体芯片安装在所述上表面；第二基板，所述第二基板设置在所述第一基板上方；间隔物，所述间隔物接合到所述第一基板的上表面，并配置为限定所述第一基板和所述第二基板之间的间隔距离；以及钎焊接合层，所述钎焊接合层配置为使所述间隔物接合到所述第一基板。2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述第一基板包括：陶瓷基板；和金属层，所述金属层钎焊并接合到所述陶瓷基板的至少一个表面。3.根据权利要求2所述的功率模块，其中，所述金属层包括Cu。4.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述间隔物包括陶瓷材料。5.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述间隔物由选自Al2O3、ZTA、Si3N4以及AlN，或其两种或更多种的混合物中的一种形成。6.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述间隔物的高度相对大于所述半导体芯片的高度。7.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述钎焊接合层包括AgCu。8.根据权利要求7所述的功率模块，其中，所述钎焊接合层进一步包括Ti。9.根据权利要求1所述的功率模块，进一步包括：接合层，所述接合层配置为使所述间隔物接合到所述第二基板。10.根据权利要求9所述的功率模块，其中，所述接合层由焊料或Ag膏制成。11.一种制造功率模块的方法，包括：制备第一基板；制备间隔物；在所述第一基板或所述间隔物上形成钎焊接合层；将所述间隔物布置在所述第一基板上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志炯，
申请(专利权)人：阿莫绿色技术有限公司，
类型：发明
国别省市：