增强的颜色转换制造技术

一种形成发光结构的方法，所述发光结构包括：被配置为发射具有主峰值波长的光的发光区域；部分反射区域；反射区域；以及颜色转换区域，其中所述发光区域至少部分地位于所述部分反射区域和所述反射区域之间，所述部分反射区域至少部分地位于所述颜色转换区域和所述发光区域之间，所述部分反射区域被配置为反射预定波长范围的光并允许所述预定波长范围之外的光通过，其中主峰值波长在所述预定波长范围之外。之外。之外。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】增强的颜色转换


[0001]本专利技术涉及发光结构和形成发光结构的方法。特别是，但不唯一地，本专利技术涉及改进发光二极管结构中的颜色转换。

技术介绍

[0002]众所周知，发光二极管(LED)器件为广泛的应用中提供了有效的光源。LED光源用于提供常规的白光和/或多色光发射。例如，多色光发射包括适合于显示应用的红色、绿色和/或蓝色的光发射。通常，通过使用泵浦源LED(pump source LED)与颜色转换材料(例如磷光体或量子点(QDs))的组合来实现LED提供的所需波长的光。这样的泵浦源LED产生具有主峰值波长输出的光，并激发颜色转换材料中不同波长的光的发射。例如，使用蓝光氮化材料的LED(发射主峰值波长约为450nm的光)来提供白色转换光的LED发射(white colour converted light LED emission)。蓝光氮化材料的LED还用于提供红色转换光的LED发射(red colour converted light LED emission)和绿色转换光的LED发射(green colour converted 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成发光结构的方法，所述发光结构包括：发光区域，被配置为发射具有主峰值波长的光；部分反射区域；反射区域；以及颜色转换区域，其中所述发光区域至少部分地位于所述部分反射区域和所述反射区域之间，所述部分反射区域至少部分地位于所述颜色转换区域和所述发光区域之间，其中所述部分反射区域被配置为反射预定波长范围的光并允许所述预定波长范围之外的光通过，其中主峰值波长在所述预定波长范围之外，其中所述方法包括：在基板上形成包括所述发光区域的发光器件；在发光区域之前形成所述部分反射区域；去除所述基板；以及在去除所述基板之后且在粗糙化的发光结构上形成所述颜色转换区域之前，粗糙化所述发光结构。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述部分反射区域包括分布式布拉格反射器。3.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述反射区域包括基于银的镜。4.如前述任一权利要求所述的方法，其中，包括在包括所述发光区域的发光器件上沉积所述反射区域。5.如前述任一权利要求所述的方法，其中，包括在所述基板与所述部分反射区域之间形成未掺杂的材料，其中粗糙化所述发光结构包括粗糙化所述未掺杂的材料。6.如前述任一权利要求所述的方法，其中，包括通过湿蚀刻去除所述基板。7.如前述任一权利要求所述的方法，其中，包括将处理装置结合到所述反射区域。8.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述发光结构包括基于氮化镓的结构。9.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述发光区域包括一个或多个外延量子阱。10.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述发光区域被配置为发射具有与蓝光相对应的主峰值波长的光。11.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述预定波长范围包括大于500nm的光的波长，以使小于500nm的波长在所述预定波长范围之外。12.如前述任一权利要求所述的方法，其中，所述部分反射区域包括交替的外延晶体层。13.如权利要求12所述的方法，其中，所述交替的外延晶体层包括在所述交替的外延晶体层中的具有不同孔隙率的半导体材料。14.如权利要求13所述的方法，其中，所述半导体材料为氮化镓。15.如权利要求14所述的方法，其中，与所述交替的外延晶体层中的其他层的厚度λ0/...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚，
申请(专利权)人：普列斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：