电源线结构制造技术

一种电源线结构包含一介电层、一第一导电部件、一第二导电部件以及一第三导电部件。第一导电部件设置于介电层的一第一侧。第二导电部件设置于介电层的第一侧。第三导电部件设置于介电层的第一侧且位于第一导电部件与第二导电部件之间。第一导电部件以及该第二导电部件的电压为一地电压。第三导电部件用以接收一第一电源电压。第一电源电压。第一电源电压。

【技术实现步骤摘要】
电源线结构


[0001]本专利技术申请是关于一种电源线结构，特别关于一种可降低电磁干扰的电源线结构。

技术介绍

[0002]在随着半导体技术的发展，各种集成电路已被发展出来。在集成电路中，电源线所产生的磁场耦合效应，会对其他电子组件造成电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)。这些电磁干扰将会影响到整个集成电路的运作以及效能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施方式是关于一种电源线结构。电源线结构包含一介电层、一第一导电部件、一第二导电部件以及一第三导电部件。第一导电部件设置于介电层的一第一侧。第二导电部件设置于介电层的第一侧。第三导电部件设置于介电层的第一侧且位于第一导电部件与第二导电部件之间。第一导电部件以及该第二导电部件的电压为一地电压。第三导电部件用以接收一第一电源电压。
[0004]综上所述，本专利技术的电源线结构可有效地避免电源线对其他电子组件造成电磁干扰。
附图说明
[0005]为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，将结合附图进行以下说明：图1A是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；图1B是依照本专利技术一些实施例所绘示的图1A的电源线结构的立体图；图2A是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；图2B是依照本专利技术一些实施例所绘示的图2A的电源线结构的立体图；图2C是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；图3A是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；图3B是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；图4A是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图；以及图4B是依照本专利技术一些实施例所绘示的一电源线结构的示意图。
[0006]符号说明100：电源线结构110：导电部件120：导电部件130：导电部件140：介电层
150：信号线200、200
‑
1：电源线结构210：导电部件210
‑
1：导电部件220：导电部件220
‑
1：导电部件230：导电部件240：介电层250：信号线260：导电部件300、300
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1：电源线结构310：导电部件310
‑
1：导电部件320：导电部件320
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1：导电部件330：导电部件340：介电层350：信号线360：导电部件370：导电部件380：导电部件400：电源线结构410：导电部件410
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1：导电部件420：导电部件420
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1：导电部件430：导电部件440：介电层450：信号线460：导电部件VDD1：电源电压VDD2：电源电压VDD3：电源电压VDD4：电源电压VSS：地电压X：方向Y：方向Z：方向H：高度
G1：间隔G2：间隔G3：间隔G4：间隔S1：宽度S2：宽度W：线宽
具体实施方式
[0007]下文是举实施例配合附图作详细说明，下述图标以及说明中相同组件或相似组件将以相同的符号标示，但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围，而结构及运作的描述非用以限制其执行顺序，任何由组件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本专利技术所涵盖的范围。
[0008]在本专利技术中，使用第一、第二与第三等等词汇，是用于描述各种组件、组件、区域、层与/或区块是可以被理解的。但是这些组件、组件、区域、层与/或区块不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一组件、组件、区域、层与/或区块。因此，在下文中的一第一组件、组件、区域、层与/或区块也可被称为第二组件、组件、区域、层与/或区块，而不脱离本专利技术的本意。
[0009]于本专利技术中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“该”可泛指单一个或多个。将进一步理解的是，本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似词汇，指明其所记载的特征、区域、整数、步骤、操作、组件与/或组件，但不排除其所述或额外的其一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、组件、组件，与/或其中的群组。
[0010]参考图1A以及图1B。图1A是依照本专利技术一些实施例所绘示的电源线结构100的示意图。图1B是依照本专利技术一些实施例所绘示的图1A的电源线结构100的立体图。
[0011]以图1A以及图1B示例而言，电源线结构100包含导电部件110、导电部件120、导电部件130以及介电层140。在一些实施例中，介电层140沿方向X与方向Y所形成的平面延伸。导电部件110、导电部件120以及导电部件130设置于介电层140的第一侧(例如：下侧)且接触介电层140的第一表面(例如：下表面)。换句话说，导电部件110、导电部件120以及导电部件130设置于介电层140的同一侧(例如：下侧)。
[0012]导电部件130用以接收电源电压VDD1以作为电源线。具体而言，导电部件130可与其他电子组件耦接以将接收到的电源电压VDD1提供给该些电子组件。导电部件130设置于导电部件110与导电部件120之间。导电部件110以及导电部件120的电压为地电压VSS。在这种配置下，电源线结构100形成“交错式结构”。于此所称“交错式结构”是指作为提供电源电压VDD1的导电部件130与具有地电压VSS的导电部件110/120交错设置。
[0013]如图1A以及图1B所示，导电部件130与导电部件110之间形成间隔G1，且导电部件130与导电部件120之间形成间隔G2。在一些实施例中，间隔G1的宽度S1与间隔G2的宽度S2相等。在一些实施例中，间隔G1的宽度S1以及间隔G2的宽度S2皆与导电部件130的线宽W相等。宽度S1、宽度S2以及线宽W的值可依实际应用进行设计。在一些其他的实施例中，间隔G1的宽度S1、间隔G2的宽度S2以及导电部件130的线宽W的值彼此不同。
[0014]在一些相关技术中，提供电源电压的导电部件为一板状(plane)结构且设置于介电层的上侧，而具有地电压的另一导电部件亦为一板状结构且设置于介电层的下侧。在这种配置中，提供电源电压的导电部件所产生的磁场耦合很容易对其他电子组件造成电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)。
[0015]相较于上述相关技术，在本专利技术的电源线结构100中，提供电源电压VDD1的导电部件130以及具有地电压VSS的两导电部件110以及120设置于介电层140的同一侧，且提供电源电压VDD1的导电部件130设置于具有地电压VSS的两导电部件110以及120之间。在这种配置中，可将导电部件130所产生的磁场耦合局限在两导电部件110与120之间。举例而言，导电部件130所产生的磁场耦合可被局限于间隔G1与间隔G2中，以避免导电部件130所产生的磁场耦合对其他电子组件造成电磁干扰。此外，由于导电部件130是设置于导电部件110与120之间，电源线结构100的体积并不会明显地增加。
[0016]在一些实施例中，电源线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源线结构，其特征在于，所述电源线结构包含：一介电层；一第一导电部件，设置于所述介电层的一第一侧；一第二导电部件，设置于所述介电层的所述第一侧；以及一第三导电部件，设置于所述介电层的所述第一侧且位于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间，其中所述第一导电部件以及所述第二导电部件的电压为一地电压，且所述第三导电部件用以接收一第一电源电压。2.如权利要求1所述的电源线结构，其特征在于，所述第三导电部件与所述第一导电部件之间形成一第一间隔，且所述第三导电部件与所述第二导电部件之间形成一第二间隔。3.如权利要求2所述的电源线结构，其特征在于，所述第一间隔的宽度与所述第二间隔的宽度相同，或所述第一间隔的宽度与所述第三导电部件的线宽相同。4.如权利要求2所述的电源线结构，其特征在于，所述第一间隔的宽度与所述第二间隔的宽度不同，或所述第一间隔的宽度与所述第三导电部件的线宽不同。5.如权利要求1所述的电源线结构，其特征在于，所述电源线结构还包含：一信号线，设置于所述介电层的一第二侧。6.如权利要求1所述的电源线结构，其特征在于，所述电源线结构还包含：一第四导电部件，设置于所述介电层的一第二侧且相对于所述第三导电部件设置，其中所述第四导电部件的电压为所述地电压。7.如权利要求6所述的电源线结构，其特征在于，所述第四导电部件与所述第三导电部件于一第一方向对齐，其中所述介电层沿一第二方向与一第三方向所形成的一平面延伸，所述第四导电部件于所述平面的垂直投影与所述第三导电部件于所述平面的垂直投影重叠，且所述第二方...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊铭，吴瑞北，王世宏，吴亭莹，黄铭崇，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：