一种新型输入输出电路模块制造技术

技术编号:35076123 阅读:48 留言:0更新日期:2022-09-28 11:41
本发明专利技术公开了一种新型输入输出电路模块,包括:独立前级驱动单元,用于分离输出驱动管N0和驱动管P0的栅极;浮阱结构电路,在进入非烧写模式时,对浮阱进行充电,使所述浮阱处于和所述电源电压同电位的状态;进入烧写模式时,切断所述浮阱和电源电压的通路,所述浮阱电压等于焊盘引脚的外加电压。本发明专利技术提供的输入输出电路模块的架构设计,既保证了此端口可加高压进行芯片程序烧写,同时在正常工作的模式下又可作为输出功能完整的I/O使用,增加了芯片的多用性,和灵活性。和灵活性。和灵活性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型输入输出电路模块


[0001]本专利技术涉及一种通用以及专用可编程内嵌可擦除存储器的单片机以及系统级集成电路芯片的设计应用模块,尤其是一种新型输入输出电路模块。

技术介绍

[0002]I/O电路是集成电路芯片里面必不可少的一个功能模块,它是芯片对外部环境系统的接口,负责把外部信号接收到芯片内部,同时也负责把芯片内部产生发的信号输出给外部设备。
[0003]由于I/O电路模块是连接芯片内部微观世界和外部宏观环境的接口,所以它还兼有着防止外部静电对芯片的破坏作用,也就是I/O电路模块的防静电击穿保护,简称ESD特性,通常需要达到静电模拟人体模型5000V以上,以及模仿机器模型300V以上。
[0004]同时,作为接受外部信号的模块,它必须具有一定的抗干扰特性指标,作为输出模块,它又必须具有一定的驱动能力,以便驱动外部设备正常运作。
[0005]但是在内部集成可烧写存储器的MCU或系统芯片,有一个引脚是要加专门配合烧写操作的,需要在此引脚上加比芯片内部电压还要高的烧写电压,那么这种情况下,此I/O电路模块就必须舍去一部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型输入输出电路模块,其特征在于,包括:独立前级驱动单元,用于分离输出驱动管N0和驱动管P0的栅极;浮阱结构电路,在进入非烧写模式时,对浮阱进行充电,使所述浮阱处于和所述电源电压同电位的状态;进入烧写模式时,切断所述浮阱和电源电压的通路,所述浮阱电压等于焊盘引脚的外加电压。2.根据权利要求1所述的新型输入输出电路模块,其特征在于,所述浮阱结构电路进一步包括:第一、第二、第三P型晶体管P1、P2和P3和接地电阻R0,第一P型晶体管P1栅极接电源电压,源极与输出管P0的栅极相连,其漏极连接所述焊盘引脚;第二P型晶体管P2的源极接所述电源电压,漏极连接其N阱,栅极通过接地电阻R0接地电压;第三P型晶体管P3的栅极接所述电源电压,其源极通过接地电阻R0连接地电压,其漏极连接第一P型晶体管P1的漏极;其中,第一P型晶体管P1和第二P型晶体P2,第三P型晶体管P3以及驱动管P0共为所述浮阱,所述浮阱为N浮阱。3.根据权利要求2所述的新型输入输出电路模块,其特征在于,所述浮阱结构电路进一步包括:当进入非烧写模式,所述焊盘引脚无高压,第三P型晶体管P3关闭,第二P型晶体管P2的栅极经过接地电阻R0下拉处于导通状态,电源电压传送到所述N浮阱,第二P...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘立明黄明程杨升启陆卫星文兴
申请(专利权)人:上海新茂半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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