分栅式闪存的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。本发明专利技术将第一侧墙的制备步骤调整至开口的形成之后，即，先形成开口，再在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，可通过控制开口的侧壁的垂直度从而控制第一侧墙的侧壁的垂直度，无需再在第一侧壁的侧墙上形成额外的氮化层，有利于确保所述第一侧墙覆盖所述开口一侧的侧壁平直且底角处无拖尾现象，从而减少或避免了字线的实际长度减小。减小。减小。

【技术实现步骤摘要】
分栅式闪存的制造方法


[0001]本专利技术涉及集成制造
，尤其涉及一种分栅式闪存的制造方法。

技术介绍

[0002]闪存器件作为一种非易失性存储器，具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点，应用广泛。现有的闪存器件的结构通常包括分栅结构、叠栅结构或其组合，其中，分栅式闪存器件具有编程效率高的特点。
[0003]然而，在现有的闪存器件的制造工艺中，由于浮栅与字线之间的二氧化硅侧墙在刻蚀之后底部会出现拖尾现象(如图4中A所表示的部分)，导致字线的实际长度变短(图4中B1为所述字线的实际长度，B2为所述字线的设计长度)，从而影响所述闪存器件的性能。
[0004]鉴于此，本专利技术提供一种方法减少或避免第一侧墙的底部出现拖尾现象，从而避免字线的实际长度减小。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种分栅式闪存的制造方法，减少或避免第一侧墙的底角处出现拖尾现象，从而避免字线的实际长度减小。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：
[0007]提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；
[0008]在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；
[0009]在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，
[0010]去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。
[0011]可选的，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。
[0012]可选的，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅的过程包括：
[0013]在所述开口内形成浮栅材料层，且所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面；
[0014]在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧壁及所述浮栅材料层的部分表面；
[0015]以所述硬掩膜层和所述第二侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层，以形成相互分离的两个浮栅，并使所述开口暴露所述衬底。
[0016]可选的，形成表面低于所述硬掩膜层的所述浮栅材料层的过程包括：
[0017]在所述开口内填充浮栅材料层，并延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；
[0018]对所述浮栅材料层进行平坦化处理，使所述浮栅材料层的表面与所述硬掩膜层的表面齐平；
[0019]刻蚀所述浮栅材料层，以使所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面。
[0020]可选的，形成所述擦除栅的过程包括：
[0021]在所述开口的侧壁及底部形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述开口暴露的衬底，以及所述浮栅和所述第二侧墙的远离所述第一侧墙一侧的侧壁；
[0022]在所述开口内填充多晶硅以形成所述擦除栅。
[0023]可选的，在形成所述浮栅之后，形成所述隧穿氧化层之前，还包括：
[0024]在所述开口暴露的衬底内形成源区。
[0025]可选的，在形成所述字线之后，还包括：
[0026]在所述字线的远离所述第一侧墙一侧的侧壁上形成第三侧墙。
[0027]可选的，在形成所述第三侧墙之后，还包括：
[0028]在所述字线的远离所述第一侧墙一侧的衬底内形成漏区。
[0029]可选的，所述第一侧墙、所述第二侧墙和所述第三侧墙均为氧化层。
[0030]可选的，所述字线与所述衬底之间还形成栅有氧化层。
[0031]综上所述，本专利技术提供一种分栅式闪存的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。本专利技术将第一侧墙的制备步骤调整至开口的形成之后，即，先形成开口，再在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，可通过控制开口的侧壁的垂直度从而控制第一侧墙的侧壁的垂直度，无需再在第一侧壁的侧墙上形成额外的氮化层，有利于确保所述第一侧墙覆盖所述开口一侧的侧壁平直且底角处无拖尾现象，从而减少或避免了字线的实际长度减小。
附图说明
[0032]图1
‑
图4为一闪存器件的制造方法中部分步骤对应的结构示意图；
[0033]图5为本专利技术一实施例提供的分栅式闪存的制造方法的流程图；
[0034]图6
‑
图16为本专利技术一实施例提供的分栅式闪存的制造方法中各个步骤对应的结构示意图；
[0035]其中，附图标记如下：
[0036]100
‑
衬底；110
‑
浮栅；111
‑
浮栅侧墙；120
‑
擦除栅；121
‑
擦除栅侧墙；130
‑
字线；
[0037]200
‑
衬底；201
‑
源区；202
‑
漏区；210
‑
硬掩膜层；211
‑
开口；212
‑
介质层；220
‑
浮栅材料层；221
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第一侧墙；222
‑
第二侧墙；223
‑
浮栅；230
‑
擦除栅；231
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隧穿氧化层；240
‑
字线；241
‑
栅氧化层；242
‑
第三侧墙。
具体实施方式
[0038]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0039]图1
‑
图4为一闪存器件的制作方法中部分步骤对应的结构示意图，所述闪存器件的制造方法包括：参阅图1，提供衬底100，所述衬底100上形成有擦除栅120，所述擦除栅120两侧的衬底100上形成有浮栅110，所述浮栅110的表面形成有擦除栅侧墙121；参阅图2，在所述浮栅110和所述擦除栅侧墙121的远离所述擦除栅120一侧的侧壁上依次形成氧化层
112和氮化硅层113；参阅图3，刻蚀去除所述氮化硅层113和位于所述浮栅侧墙111及所述浮栅110的侧壁以外的所述氧化层112以形成浮栅侧墙111；参阅图4，在所述浮栅侧墙111的远离所述浮栅110一侧的侧壁上形成字线130。
[0040]然而，参阅图1，在去除硬掩膜层(图中未示出)之后，所述擦除栅侧墙121的侧壁并不垂直于所述衬底100的表面，而是存在一定的倾斜角度，因此，参阅图2和图3，在形成所述浮栅侧墙111的过程中会产生“阴影效应”，所述氮化硅层113下方的所述氧化层112无法被有效地刻蚀掉，使得最终形成的所述浮栅侧墙111的底部出现拖尾现象(如图4中A所表示的部分)，导致字线130的实际长度变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。2.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。3.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅的过程包括：在所述开口内形成浮栅材料层，且所述浮栅材料层的表面低于所述硬掩膜层的表面；在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧壁及所述浮栅材料层的部分表面；以所述硬掩膜层和所述第二侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层，以形成相互分离的两个浮栅，并使所述开口暴露所述衬底。4.如权利要求3所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于，形成表面低于所述硬掩膜层的所述浮栅材料层的过程包括：在所述开口内填充浮栅材料层，并延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；对所述浮栅材料层进行平坦化处理，使所述浮栅材料层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利，于涛，李冰寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：