一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔技术

本发明专利技术公开了一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔。所述化成方法，包括如下步骤：S1.将铝箔置于己二酸盐水溶液中进行第一级化成、第一次水洗；S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1～8wt.％硅酸盐水溶液中进行钝化处理，再进行热处理、第二次水洗；S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于化成液中进行第二级化成、第三次水洗、烘干得无磷低压化成箔；所述化成液包含以下浓度的组分：0.2～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。所述化成方法采用硅酸盐钝化处理再进行热处理，最后采用硅酸盐和有机酸的混合液进行化成，可以替代常规含磷的化成方法，所述化成方法更加环保；且制得的无磷低压化成箔性能优良。且制得的无磷低压化成箔性能优良。

【技术实现步骤摘要】
一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔


[0001]本专利技术属于化成箔
，具体涉及一种无磷低压化成箔的化成方法及制得的化成箔。

技术介绍

[0002]随着社会磷用量的增加，价格越来越贵，磷污染对环境的影响也越来越大了。对铝电解电容器用化成箔作为铝电解电容器中的核心材料，对电容器的寿命特性起决定性作用。
[0003]现有化成箔的化成方法一般是经过如下步骤：取经过腐蚀的铝箔，置于己二酸铵及己二酸盐的水溶液中，经过化成、水洗，在浓度1～8％的磷酸溶液中进行钝化处理、水洗；再置于磷酸二氢盐水溶液中，经过化成、水洗，得到。但是这种化成箔的化成方法，后道工序的含磷废液的处理较难，一般都是加石灰中和，然后填埋，无法满足环境保护的需求。
[0004]因此，需要开发出一种无磷低压化成箔的化成方法，使得制得的化成箔性能好，并且不污染环境。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供了一种无磷低压化成箔的化成方法，采用硅酸盐水溶液对铝箔进行钝化处理，采用硅酸盐和有机酸进行二级化成，所述化成方法制得的化成箔耐水合性能良好且不污染环境。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供上述化成方法制得的无磷低压化成箔。
[0007]为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现的：
[0008]一种无磷低压化成箔的化成方法，包括如下步骤：
[0009]S1.将铝箔置于己二酸盐水溶液中进行第一级化成、第一次水洗；
[0010]S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1～8wt.％硅酸盐水溶液中进行钝化处理，再进行热处理、第二次水洗；
[0011]S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于化成液中进行第二级化成、第三次水洗、烘干得无磷低压化成箔；所述化成液包含以下浓度的组分：0.2～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。
[0012]本专利技术的化成方法，将第一级化成后的铝箔采用硅酸盐钝化再进行热处理，可以替代常规磷酸钝化处理方式，最后采用硅酸盐和有机酸的混合液进行化成。所述化成方法成本较低，更加环保；另外有机酸加强了金属离子的螯合能力，硅酸盐和有机酸化成可以在铝箔表面生成酸性硅化膜，更耐腐蚀。
[0013]优选地，步骤S1.中，所述己二酸盐为己二酸铵、己二酸钠或己二酸钾中的一种或几种。
[0014]本专利技术可以根据现有技术选择第一级化成的参数。优选地，步骤S1.中，所述第一级化成的温度为65～95℃，电流密度为20～25mA/cm2，化成时间为18～22min。
[0015]优选地，步骤S2.中，所述硅酸盐水溶液的浓度为5～8wt.％。
[0016]优选地，步骤S2.中，所述硅酸盐为硅酸钠和/或硅酸钾。
[0017]优选地，步骤S2.中，所述钝化处理的温度为50～80℃，所述钝化处理的时间为1～5min。
[0018]优选地，步骤S2.中，所述热处理的温度为300～550℃，所述热处理的时间为1～5min。
[0019]更优选地，步骤S2.中，所述热处理的温度为450～550℃。
[0020]优选地，步骤S3.中，所述化成液包含以下浓度的组分：0.8～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。进一步调整化成液中硅酸盐和有机酸浓度可以在生成酸性硅化膜的同时不引起皮膜溶解，进一步提高无磷低压化成箔的耐水合性能。
[0021]优选地，步骤S3.中，所述硅酸盐为硅酸钠和/或硅酸钾。
[0022]优选地，步骤S3.中，所述有机酸为酒石酸、柠檬酸或马来酸的一种或几种。
[0023]更优选地，步骤S3.中，所述有机酸为酒石酸。
[0024]优选地，步骤S3.中，所述第二级化成的温度为50～95℃，电流密度为20～25mA/cm2，化成时间为4～6min。
[0025]本专利技术还保护上述化成方法制得的无磷低压化成箔。
[0026]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0027]本专利技术提供了一种无磷低压化成箔的化成方法，所述化成方法将第一级化成后的铝箔采用硅酸盐钝化处理再进行热处理，最后采用硅酸盐和有机酸的混合液进行化成，可以替代常规含磷的化成方法，所述化成方法成本较低，更加环保；且所述方法制得的无磷低压化成箔性能良好与现有技术有磷化成方法制得的低压化成箔性能相近。
具体实施方式
[0028]下面结合具体实施例对本专利技术做出进一步地详细阐述，所述实施例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径得到的试剂和材料。
[0029]实施例和对比例中采用的铝箔LT02规格，腐蚀箔比容为5.3μF/cm2铝箔纯度≥99.98％，购自广东乳源立东科技股份有限公司，所用试剂均为市售分析纯。
[0030]实施例1
[0031]一种无磷低压化成箔的化成方法，包括如下步骤：
[0032]S1.将铝箔置于15wt.％的己二酸铵水溶液中，进行第一级化成、第一次水洗；第一级化成的化成温度为75℃，电流密度为20mA/cm2，化成时间为18min；
[0033]S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1wt.％的硅酸钠水溶液中，在50℃温度下，进行硅酸钠钝化处理；硅酸钠钝化处理后的铝箔置于烘干炉中，在空气气氛下进行热处理，热处理的温度300℃，时间为3min，然后进行第二次水洗；
[0034]S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于0.2wt.％硅酸钠和0.2wt.％酒石酸水溶液中，进行第二级化成，第二级化成的化成温度为95℃，电流密度为20mA/cm2，化成时间为4min，取出后经过第三次水洗、烘干，得到无磷低压化成箔。
[0035]实施例2
[0036]一种无磷低压化成箔的化成方法，包括如下步骤：
[0037]S1.将铝箔置于15wt.％的己二酸铵水溶液中，进行第一级化成、第一次水洗；第一级化成的化成温度为75℃，电流密度为20mA/cm2，化成时间为18min；
[0038]S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1wt.％的硅酸钠水溶液中，在50℃温度下，进行硅酸钠钝化处理；硅酸钠钝化处理后的铝箔置于烘干炉中，在空气气氛下进行热处理，热处理的温度450℃，时间为3min，然后进行第二次水洗；
[0039]S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于0.2wt.％硅酸钠和0.2wt.％酒石酸水溶液中，进行第二级化成，第二级化成的化成温度为95℃，电流密度为20mA/cm2，化成时间为4min，取出后经过第三次水洗、烘干，得到无磷低压化成箔。
[0040]实施例3
[0041]一种无磷低压化成箔的化成方法，包括如下步骤：
[0042]S1.将铝箔置于15wt.％的己二酸铵水溶液中，进行第一级化成、第一次水洗；第一级化成的化成温度为75℃，电流密度为20m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无磷低压化成箔的化成方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将铝箔置于己二酸盐水溶液中进行第一级化成、第一次水洗；S2.将S1.中第一次水洗后的铝箔置于1～8wt.％硅酸盐水溶液中进行钝化处理，再进行热处理、第二次水洗；S3.将S2.中第二次水洗后的铝箔置于化成液中进行第二级化成、第三次水洗、烘干得无磷低压化成箔；所述化成液包含以下浓度的组分：0.2～1.5wt.％硅酸盐和0.2～1.5wt.％有机酸水溶液。2.根据权利要求1所述化成方法，其特征在于，步骤S2.中，所述硅酸盐水溶液的浓度为5～8wt.％。3.根据权利要求1所述化成方法，其特征在于，步骤S3.中，所述化成液包含以下浓度的组分：0.8～1.5wt.％硅酸盐和0.8～1.5wt.％有机酸水溶液。4.根据权利要求1所述化成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭旭东，黄启潜，范力进，黎俊，吕根品，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：