一种支持唤醒的BMS保护板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种支持唤醒的BMS保护板，其前端芯片的REGOUT引脚作为3V3输出端，用于输出3.3V电压，前端芯片的VC1引脚与场效应管MOSFET的源极连接，场效应管MOSFET的栅极与3V3输出端连接，场效应管MOSFET的漏极作为TS输出端，用于输出唤醒信号。本实用新型专利技术在前端芯片因意外因素关闭时，其REGOUT引脚输出的3.3V电压也同时关闭，导致场效应管MOSFET的栅极和源极之间的负压加大，使场效应管MOSFET导通，场效应管MOSFET的漏极输出唤醒信号，使前端芯片可以重新激活，恢复对MCU的供电，达到唤醒BMS保护板的目的。醒BMS保护板的目的。醒BMS保护板的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种支持唤醒的BMS保护板


[0001]本技术涉及锂电池BMS
，具体地说，涉及一种支持唤醒的BMS保护板。

技术介绍

[0002]基于全球新能源需求旺盛的背景，锂电池行业蓬勃发展，同时锂电池的可靠性与目标成本一直是微电子技术重点耕研的方向。
[0003]目前市面上的BMS(电池管理系统)绝大部分会用到称之为AFE (前端芯片)的IC(集成电路)。高串数的电池组需要用到高串数的 AFE，但由于半导体工艺、成本等原因，目前市面上的AFE分两大类：一种是在单个CHIP(芯片)里面只有一个DIE(祼片)的AFE，这种结构的的芯片稳定性相对好一些。另一种则是在单个CHIP(芯片)里面有两个甚至多个DIE(祼片)的AFE，这种结构的的芯片稳定性、抗干扰能力则要差很多。因此，需要针对第二种结构的AFE，设计一种可以检测AFE的工作状态的BMS，当发现AFE因干扰或冲击工作异常时，可以通过激活使AFE回到正常工作状态。

技术实现思路

[0004]为了解决上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种支持唤醒的BMS保护板，以克服现有技术中的缺陷。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种支持唤醒的BMS保护板，包括PCBA板；其中，PCBA板上连接有前端芯片、MCU、电芯侦测线组、电芯温度传感器、通信模块、B
‑
接线端和P
‑
接线端；前端芯片与电芯侦测线组的输出接线端对应连接，电芯侦测线组的输入接线端依次焊接在电池组中每一电芯的正极上，B
‑r/>接线端焊接到电池组的总负极上，电池组的总正极连线到电池组的PACK正极上，P
‑ꢀ
接线端焊接到电池组的PACK放电输出负极上；前端芯片与电芯温度传感器的输出接线端对应连接，电芯温度传感器的输入接线端与两组热敏电阻连接；前端芯片与通过MCU与通信模块对应连接；前端芯片上设置有唤醒模块，唤醒模块包括3V3输出端和TS输出端，所述 3V3输出端设置在前端芯片的REGOUT引脚上，用于输出3.3V电压，所述TS输出端设置在前端芯片的VC1引脚上，前端芯片的VC1引脚与场效应管MOSFET Q24的源极连接，场效应管MOSFET Q24 的栅极与所述3V3输出端连接，场效应管MOSFET Q24的漏极作为所述TS输出端，用于输出唤醒信号。
[0006]通过上述技术方案，当前端芯片U1因受到冲击、干扰、接触不良等意外因素影响关闭时，伴随其REGOUT引脚的3V3输出端输出的3.3V电压也同时关闭，导致MCU U2无供电(不工作)。场效应管MOSFET Q24的栅极连接前端芯片U1的REGOUT引脚的3V3输出端，源极连接前端芯片U1的VC1引脚，当前端芯片U1的REGOUT 引脚输出的3.3V电压因前端芯片U1关闭导致下降时，场效应管 MOSFET Q24的栅极和源极之间的负压加大，使场效应管MOSFETQ24导通，前端芯片U1的VC1引脚的电压信号传输到场效应管 MOSFET Q24的漏极，即TS输出端输出唤醒信号，实现对前端芯片 U1重新激活，恢复对MCU U2的供电，达到唤醒BMS保护板的目的。
[0007]作为对本技术所述的支持唤醒的BMS保护板的进一步说明，优选地，PCBA板的底部设置有PVC胶片，PCBA板的顶部设置有散热片，散热片、PCBA板和PVC胶片通过螺丝组件固定在一起。
[0008]作为对本技术所述的支持唤醒的BMS保护板的进一步说明，优选地，前端芯片的型号为BQ76940。
[0009]作为对本技术所述的支持唤醒的BMS保护板的进一步说明，优选地，通信模块的型号为MAX485。
[0010]本技术的有益效果：本技术的BMS保护板上前端芯片 U1负责通过电芯侦测线组和电芯温度传感器采集电池组的电压、电流、温度，并转化为数字量，MCU U2通过I2C总线从前端芯片U1 读取已经量化的信息，并分析处理(包括判断是否需要关闭输出，是否允许充电、发生异常时生成历史记录等)，并且当外部设备需要读取电池相关信息时，MCU U2经通信模块将信息通过485总线发送出去。其中，MCU U2依靠前端芯片U1的REGOUT引脚输出的3.3V 来供电，当前端芯片U1因受到冲击、干扰、接触不良等意外因素影响关闭时，伴随其REGOUT引脚的3V3输出端输出的3.3V电压也同时关闭，导致MCU U2无供电(不工作)。场效应管MOSFET Q24 的栅极连接前端芯片U1的REGOUT引脚的3V3输出端，源极连接前端芯片U1的VC1引脚，当前端芯片U1的REGOUT引脚输出的 3.3V电压因前端芯片U1关闭导致下降时，场效应管MOSFET Q24 的栅极和源极之间的负压加大，使场效应管MOSFET Q24导通，前端芯片U1的VC1引脚的电压信号传输到场效应管MOSFET Q24的漏极，即TS输出端输出唤醒信号，实现对前端芯片U1重新激活，恢复对MCU U2的供电，达到唤醒BMS保护板的目的。
附图说明
[0011]图1为本技术的支持唤醒的BMS保护板的装配示意图；
[0012]图2为本技术的支持唤醒的BMS保护板的俯视图；
[0013]图3为本技术的支持唤醒的BMS保护板的外部连接示意图；
[0014]图4为本技术的支持唤醒的BMS保护板的内部连接示意图；
[0015]图5为本技术的通信模块的连接示意图。
具体实施方式
[0016]为了能够进一步了解本技术的结构、特征及其他目的，现结合所附较佳实施例附以附图详细说明如下，本附图所说明的实施例仅用于说明本技术的技术方案，并非限定本技术。
[0017]如图1和图2所示，一种支持唤醒的BMS保护板，包括PCBA 板1，PCBA板1上连接有前端芯片U1、电芯侦测线组2、电芯温度传感器3、通信模块4、B
‑
接线端5和P
‑
接线端6。
[0018]如图4所示，前端芯片U1与电芯侦测线组2的输出接线端对应连接。在图4中编号J1的部分表示电芯侦测线组2的输出接线端，其与前端芯片U1的管脚24
‑
44、管脚20/15/10连接。如图3所示，电芯侦测线组2的输入接线端依次焊接在电池组7中每一电芯的正极上。采用充放电同口的主回路接法，B
‑
接线端5焊接到电池组7的总负极上，电池组7的总正极连线到电池组的PACK正极上，P
‑
接线端 6焊接到电池组7的PACK放电输出负极上。上电顺序为B
‑
接线端5、电芯侦测线组2。视需求可接入充电器10或负载11。
[0019]如图4所示，前端芯片U1与电芯温度传感器3的输出接线端对应连接。在图4中编号THC的部分表示电芯温度传感器3的输出接线端，其与前端芯片U1的管脚18/15/13/10连接。如图3所示，电芯温度传感器3的输入接线端与两组热敏电阻8连接。热敏电阻的参数为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支持唤醒的BMS保护板，其特征在于，包括PCBA板(1)；其中，PCBA板(1)上连接有前端芯片(U1)、MCU(U2)、电芯侦测线组(2)、电芯温度传感器(3)、通信模块(4)、B
‑
接线端(5)和P
‑
接线端(6)；前端芯片(U1)与电芯侦测线组(2)的输出接线端对应连接，电芯侦测线组(2)的输入接线端依次焊接在电池组(7)中每一电芯的正极上，B
‑
接线端(5)焊接到电池组(7)的总负极上，电池组(7)的总正极连线到电池组的PACK正极上，P
‑
接线端(6)焊接到电池组(7)的PACK放电输出负极上；前端芯片(U1)与电芯温度传感器(3)的输出接线端对应连接，电芯温度传感器(3)的输入接线端与两组热敏电阻(8)连接；前端芯片(U1)通过MCU(U2)与通信模块(4)对应连接；前端芯片(U1)上设置有唤醒模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：程兵富，石开，
申请(专利权)人：东莞市百维科技有限公司，
类型：新型
国别省市：