一种低功耗保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉涉及锂电池技术领域，具体为一种低功耗保护电路，包括MOS管、电阻、稳压器、三极管以及锂电单体电芯保护芯片，所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管，所述电阻包括第一电阻以及第二电阻，本实用新型专利技术的电路在电池电量不足时，具有开关“自锁”功能，当保护动作时开关相当于“断开”切断电池放电回路，同时还能将保护电路的电源切除，确保极低功耗，防止过放电出现，由锂电单体电芯保护芯片和低温高精度的电阻组成电压比较检测电路，第一电阻以及第二电阻够成电阻分压网络，因此可以提高电路的工作的稳定性，从而提高保护电压的精度和工作稳定性和可靠性。护电压的精度和工作稳定性和可靠性。护电压的精度和工作稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗保护电路


[0001]本技术涉及锂电池
，具体为一种低功耗保护电路。

技术介绍

[0002]众所周知，锂电池通过串并联给负载供电或作为储能单元，锂电池因其特性，需要有锂电池采集管理电路，目前的电池管理电路均采用单体电池检测及保护。
[0003]随着锂电池产业发展，电池一致性越来越好，对于小功率小电流的应用场合，电池串联数较多，单体电池检测，线束多，每节电池的功耗不一致。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种稳定可靠的低功耗保护电路。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低功耗保护电路，包括MOS管、电阻、稳压器、三极管以及锂电单体电芯保护芯片，所述MOS 管包括第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管，所述电阻包括第一电阻以及第二电阻，所述三级管的基极与第一MOS管的GS极连接，所述三级管的电极与稳压器连接，所述第二MOS管的发射极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的控制端连接，所述第一MOS管的源极与漏极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接，所述第二MOS管的源极与漏极通过第二电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接
[0008]进一步的，本技术的改进有，所述第一电阻包括RI电阻、R2电阻以及R3电阻，所述第二电阻包括R4电阻、R5电阻、R6电阻以及R7电阻,所述第一MOS管为Q1,所述第二MOS管为Q2,所述第三MOS管为Q3。
[0009]进一步的，本技术改进有，所述第一MOS管、第二MOS管以及第三 MOS管为低导通电阻的P沟道MOS管。
[0010]进一步的，本技术改进有，所述三级管为PNP型三极管。
[0011]进一步的，本技术改进有，所述的第一电阻以及第二电阻为低温高精度电阻。
[0012]进一步的，本技术改进有，所述锂电单体电芯保护芯片的输入电压为3.7
‑
22V。
[0013](三)有益效果
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种低功耗保护电路，具备以下有益效果：
[0015]本技术的电路在电池电量不足时，具有开关“自锁”功能，当保护动作时开关相当于“断开”切断电池放电回路，同时还能将保护电路的电源切除，确保极低功耗，防止过放电出现。
[0016]由锂电单体电芯保护芯片和低温高精度的电阻组成电压比较检测电路，第一电阻以及第二电阻够成电阻分压网络，因此可以提高电路的工作的稳定性，从而提高保护电压
的精度和工作稳定性和可靠性。
附图说明
[0017]图1为本技术电路示意图；
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1，本技术的一种低功耗保护电路，包括MOS管、电阻、稳压器、三极管以及锂电单体电芯保护芯片，所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管，所述电阻包括第一电阻以及第二电阻，所述三级管的基极与第一MOS管的GS极连接，所述三级管的电极与稳压器连接，所述第二MOS管的发射极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的控制端连接，所述第一MOS管的源极与漏极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接，所述第二MOS管的源极与漏极通过第二电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接。
[0020]如图1所示，所述第一电阻包括RI电阻、R2电阻以及R3电阻，所述第二电阻包括R4电阻、R5电阻、R6电阻以及R7电阻，所述第一MOS管为Q1, 所述第二MOS管为Q2,所述第三MOS管为Q3。
[0021]本市实施例中，所述第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管为低导通电阻的P沟道MOS管，从而提高保护电压的精度和工作稳定性和可靠性。
[0022]本实施例中，所述三级管为PNP型三极管，从而提高三级管使用的稳定性，提高放电保护维持电路和输出短路检测电路的稳定性。
[0023]本实施例中，所述的第一电阻以及第二电阻为低温高精度电阻，提高电路的工作的稳定性。
[0024]本实施例中，所述锂电单体电芯保护芯片的输入电压为3.7
‑
22V，提高锂电单体电芯保护芯片的使用范围，保证锂电单体电芯保护芯片工作的稳定性，从而保持电单体电芯保护芯片的正常工作。
[0025]综上所述，该低功耗保护电路是一个锂电池总压保护和短路保护电路，第一MOS管控制放电，第三MOS管控制充电，第一电阻以及第二电阻够成电阻分压网络，通过第二发射极跟随至锂电单体电芯保护芯片检测，锂电单体电芯保护芯片输出通过电压变换驱动电路控制充、放第一MOS管与三MOS管，达到电池总压检测和保护，第一MOS管底下的电路为输出短路检测和放电保护维持电路，通过三级管拉低第一MOS管的GS极电压，起到关闭放电控制第一MOS管。
[0026]本技术的电路在电池电量不足时，具有开关“自锁”功能，当保护动作时开关相当于“断开”切断电池放电回路，同时还能将保护电路的电源切除，确保极低功耗，防止过放电出现。
[0027]由锂电单体电芯保护芯片和低温高精度的电阻组成电压比较检测电路，第一电阻
以及第二电阻够成电阻分压网络，因此可以提高电路的工作的稳定性，从而提高保护电压精度和工作稳定性和可靠性。
[0028]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗保护电路，其特征在于，包括MOS管、电阻、稳压器、三极管以及锂电单体电芯保护芯片，所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管，所述电阻包括第一电阻以及第二电阻，所述三极管的基极与第一MOS管的GS极连接，所述三极管的电极与稳压器连接，所述第二MOS管的发射极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的控制端连接，所述第一MOS管的源极与漏极通过第一电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接，所述第二MOS管的源极与漏极通过第二电阻与锂电单体电芯保护芯片的引脚依次连接。2.根据权利要求1所述的一种低功耗保护电路，其特征在于，所述第一电阻包括RI电阻、R2电阻以及R3电阻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜荣军，巫扬勋，
申请(专利权)人：厦门华戎能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：