【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年3月22日提交韩国专利局的、申请号为10
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2021
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0036637的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本文所描述的本专利技术构思的实施例是关于一种基板处理设备,且更具体而言,是关于一种向外壳的内部空间供应向下气流的基板处理设备。
技术介绍
[0004]执行诸如光刻工艺、薄膜沉积工艺、灰化工艺、蚀刻工艺及离子植入工艺的各种工艺来制造半导体装置。此外,在执行该等工艺中的各者之前及之后执行用于对基板上的剩余颗粒执行清洁处理的清洁工艺。基板处理过程是在基板的清洁工艺中用各种液体执行。
[0005]清洁工艺包括:向由旋转头支撑及转动的基板供应化学品的过程;藉由向基板供应清洁液诸如去离子水(deionized water;DIW)而将化学品自基板移除的过程;及然后,藉由供应诸如所具有的表面张力比清洁液低的异丙醇(IPA)溶液的有机溶剂而将基板上的清洁液替换为有机溶剂的过程;及将取代后的有机溶剂自基板移除的过程。
[0006]图1是例示已知基板处理设备的剖面图。参考图1,基板处理设备1000在外壳中设置有围绕支撑基板的支撑单元1100的处理容器1200,且在向旋转的基板供应液体的同时对基板进行处理。风扇过滤器单元1300被设置来向外壳的内部空间提供向下气流,以便容易地排放在基板处理工艺期间产生的气体。在内部空间中用各处理液处理基板时产 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备,所述基板处理设备包含:外壳,所述外壳在其中具有内部空间;处理容器,所述处理容器布置于所述内部空间内且具有处理空间;基板支撑单元,所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板;液体供应单元,所述液体供应单元向由所述基板支撑单元支撑的所述基板供应液体;排气单元,所述排气单元排出在所述处理空间中产生的烟气;气流供应单元,所述气流供应单元耦接至所述外壳的顶侧且向所述内部空间供应气体以形成向下气流;及穿孔板,所述穿孔板布置于所述处理容器与所述气流供应单元之间且将所述气体排放至所述内部空间,其中所述穿孔板包含:底部部分及侧部部分,所述侧部部分包含第一侧部部分,且所述第一侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第一侧壁且具有用于排放所述气体的第一孔。2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中所述穿孔板的所述底部部分具有用于排放所述气体的底部孔,且所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积不同于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积。3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的所述开口面积小于所述底部部分的顶表面每单位面积的所述底部孔的所述开口面积。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中所述第一孔被设置以在朝向所述外壳的所述第一侧壁的向下倾斜方向上直接排放所述气体。5.根据权利要求2或3所述的基板处理设备,其中所述穿孔板的所述侧部部分进一步包含第二侧部部分,所述第二侧部部分具有用于排放所述气体的第二孔,所述第二侧部部分与所述第一侧部部分相反,自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第二侧壁,所述外壳的所述第二侧壁与所述外壳的所述第一侧壁相反。6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中所述穿孔板的所述第一侧部部分与所述外壳的所述第一侧壁之间的第一角度不同于所述穿孔板的所述第二侧部部分与所述外壳的所述第二侧壁之间的第二角度。7.根据权利要求6所述的基板处理设备,其中所述第一角度大于所述第二角度,且所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积被设置为小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积,且所述第二侧部部分的每单位面积的所述第二孔的开口面积小于所述底部部分的所述顶表面每单位面积的所述底部孔的所述开口面积,且大于所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的所述开口面积。8.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中所述穿孔板的所述侧部部分进一步包含:第三侧部部分,所述第三侧部部分位于所述第一侧部部分与所述第二侧部部分之间且具有用于排放所述气体的第三孔;及第四侧部部分,所述第四侧部部分与所述第三侧部部分相反且位于所述第一侧部部分与所述第二侧部部分之间且具有用于排放所述气体的第四孔,所述第三侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第三侧壁,且
所述第四侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第四侧壁。9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中所述穿孔板的所述第一侧部部分与所述外壳的所述第一侧壁之间的角度大于所述穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与所述外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度,所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积被设置为小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积,且所述第二侧部部分至所述第四侧部部分的各个每单位面积的所述第二孔至所述第四孔的各个开口面积小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的所述开口面积,且大于所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的所述开口面积。10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中所述侧部部分包含有包括所述第一侧部部分的多个侧部部分,且不包括所述第一侧部部分的所述多个侧部部分与所述外壳的各个侧壁接触。11.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中所述气流供应单元包含:过滤器,所述过滤器用于将杂质自流入所述过滤器中的所述气体移除;及风扇,所述风扇布置于所述外壳的顶表面处以用于在所述内部空间中形成向下气流。12.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备,其中所述基板处理设备进一步包含:成像单元,所述成像单元与所述第一侧部部分的第一端相邻地安装于所述外壳的所述第一侧壁处,所述第一端与所述第一侧部部分的连接至所述底部部分的...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴时贤,朴仁煌,罗丞殷,张恩优,金耿民,车帝明,
申请(专利权)人:细美事有限公司,
类型:发明
国别省市:
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