一种发光辅助材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种发光辅助材料及其制备方法和应用，所述发光辅助材料具有如下式I所示结构。本发明专利技术的发光辅助材料与红光双主体材料搭配，制备成的有机电致发光器件具有高启亮电压的同时，具有较低的驱动电压，并保留了双主体红光器件高效率长寿命的器件优势。体红光器件高效率长寿命的器件优势。体红光器件高效率长寿命的器件优势。

【技术实现步骤摘要】
一种发光辅助材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于发光材料
，涉及一种发光辅助材料及其制备方法和应用，具体涉及一种会使器件具有高启亮电压、低驱动电压的发光辅助材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。
[0003]OLED器件的发光性能与驱动电压有着密切的联系。就目前的显示以及照明领域来说，其器件的发光效率及功耗指标非常重要，均需要器件有相对较低的工作电压来降低功耗，减少发热量以及延长器件使用时间。
[0004]在磷光有机电致发光器件(Phosphorescent OLEDs，Ph OLEDs)中选择合适的主体材料十分重要。例如宽带隙的主体材料会引起磷光有机电致发光器件启亮电压的升高，相应可获取高效率。选择合适的主体材料，进而采用主客体掺杂方式来调节光色、亮度与效率，可达到改善有机电致发光显示器件性能的目的。一般来说，主体材料必备的特性包括：(1)拥有较高的三线态能级；(2)具有较好的载流子迁移率且能与相邻层能级匹配；(3)具有高的热稳定性和成膜稳定性。
[0005]启亮电压定义为器件发光亮度达到1cd/m2时所需要施加的电压。当有机发光器件中的主体材料为红光双主体材料时，容易带来偷亮问题，而解决红光偷亮问题的手段之一是更换器件中有机层材料，特别是空穴传输区域中的空穴传输层和/或空穴传输辅助层材料，以提高启亮电压。然而启亮电压的提高通常会导致驱动电压的同步提高，导致发光效率降低，稳定性变差，寿命降低。
[0006]因此，在本领域中，期望开发一种发光辅助材料，当其应用于有机电致发光器件时，使得器件同时具有高启亮电压以及低驱动电压。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种发光辅助材料及其制备方法和应用。本专利技术的发光辅助材料与红光双主体材料搭配，制备成的有机电致发光器件具有高启亮电压的同时，具有较低的驱动电压，并保留了双主体红光器件高效率长寿命的器件优势。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种发光辅助材料，所述发光辅助材料具有如下式I所示结构：
式I其中，R1选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1~C10（例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10）烷基、取代或未取代的C3~C8（例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8）环烷基、取代或未取代的3元~10元（例如可以是3元、4元、5元、6元、7元、8元、9元、10元）杂环烷基中的任意一种，所述杂环烷基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；R2、R3各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C10（例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10）烷基、取代或未取代的C3~C10（例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10）环烷基、取代或未取代的3元~10元（例如可以是3元、4元、5元、6元、7元、8元、9元、10元）杂环烷基中的任意一种，所述杂环烷基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；并且，R2、R3不能相互连接成环；R4、R5各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C25（例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25）烷基、取代或未取代的C3~C20（例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20）环烷基、取代或未取代的3元~20元（例如可以是3元、4元、5元、6元、7元、8元、9元、10元、11元、12元、13元、14元、15元、16元、17元、18元、19元、20元）杂环烷基、取代或未取代的C6~C30（例如可以是C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等）芳基、取代或未取代的3元~30元（例如可以是3元、6元、8元、10元、12元、14元、16元、18元、20元、22元、24元、26元、28元、30元等）杂芳基中的任意一种，所述杂环烷基和所述杂芳基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；虚线画出的环Ar为稠合在苯环上的取代基，所述取代基选自取代或未取代的C6~C30（例如可以是C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30等）芳基，并且环Ar可稠合在苯环的任意位置；虚线划过苯环代表稠合位置为苯环上可稠合的任意位置；Ar1选自苯基、萘基、联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基中的任意一种；Ar2选自取代或未取代的C6~C20（例如可以是C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20等）芳基、取代或未取代的3元~20元（例如可以是3元、6元、8元、10元、12元、14元、16元、18元、20元等）杂芳基，所述杂芳基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种。
[0009]在本专利技术中，在作为发光辅助层功能基团的三芳胺分子中，引入苯并芴基团的基础上，引入芳香基或杂芳基在异侧取代，通过异侧取代基扩大共轭体系，避免载流子迁移局域化，用于红光器件后，能够降低空穴传输能障，提升迁移速率，最终使得本专利技术的材料相对于无异侧取代的基团、芴基、苯并芴基等其它材料，能级与红光主体和红光空穴传输材料更加匹配，进而提高效率。
[0010]在本专利技术中，由于第一芳基苯并芴基团、第二芳基异侧取代的二苯并芴的引入，使得本专利技术的发光辅助材料的分子量较大，通过限定三芳胺中第三芳基（Ar1）具有合理的原子数，进而平衡整体分子的分子量，进而调控蒸镀温度，使其不至于过高，避免影响器件寿命。
[0011]优选地，所述环Ar为稠合在苯环上的苯基，其稠合位置为其所连接的苯环上可稠合的任意位置。
[0012]优选地，所述发光辅助材料具有如下式I
‑
1、式I
‑
2或式I
‑
3所示结构：其中，R1‑
R5、Ar1、Ar2具有与前文相同的限定范围。
[0013]优选地，所述R2、R3表示氢。
[0014]优选地，所述R1表示氢。
[0015]优选地，所述R4、R5表示氢。
[0016]优选地，所述Ar2选自如下结构中的任意一种：其中，*表示连接位点。
[0017]在本专利技术中，术语“取代或未取代的”意指被选自以下的一个、两个或更多个取代基取代：氢、氘、卤素基团、腈基、C1
‑
C5（例如可以是C1、C2、C3、C4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料具有如下式I所示结构：式I其中，R1选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C8环烷基、取代或未取代的3元~10元杂环烷基中的任意一种，所述杂环烷基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；R2、R3各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的3元~10元杂环烷基中的任意一种，所述杂环烷基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；并且，R2、R3不能相互连接成环；R4、R5各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C25烷基、取代或未取代的C3~C20环烷基、取代或未取代的3元~20元杂环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的3元~30元杂芳基中的任意一种，所述杂环烷基和所述杂芳基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种；虚线画出的环Ar为稠合在苯环上的取代基，所述取代基选自取代或未取代的C6~C30芳基，并且环Ar可稠合在苯环的任意位置；虚线划过苯环代表稠合位置为苯环上可稠合的任意位置；Ar1选自苯基、萘基、联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基中的任意一种；Ar2选自取代或未取代的C6~C20芳基、取代或未取代的3元~20元杂芳基，所述杂芳基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、Si、P或Se中的任意一种。2.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述环Ar为稠合在苯环上的苯基，其稠合位置为其所连接的苯环上可稠合的任意位置。3.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪康，贾宇，徐佳楠，金成寿，韩瑞锋，张思铭，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：