一种嵌入微流道散热的三维集成封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种嵌入微流道散热的三维集成封装结构，包括上下键合的盖板层和凹槽层，盖板层包括第一芯片，凹槽层包括第二芯片，第一芯片和第二芯片的两侧分别设有TMV转接芯片，TMV转接芯片的外侧设有绝缘层，绝缘层的外侧设有再布线层，TMV转接芯片的内侧设有键合层，盖板层和凹槽层通过键合层键合，第一芯片与TMV转接芯片之间设有微流体出入口，第一芯片与第二芯片之间设有微流道凹槽。本发明专利技术还公开了一种嵌入微流道散热的三维集成封装方法。本发明专利技术提供的嵌入微流道散热的三维集成封装结构,提升了三维集成封装体的散热水平，可实现在不同高功率高密度三维集成封装场景的应用。密度三维集成封装场景的应用。密度三维集成封装场景的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入微流道散热的三维集成封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，尤其涉及一种嵌入微流道散热的三维集成封装结构及嵌入微流道散热的三维集成封装方法。

技术介绍

[0002]随着智能手机、物联网、智能芯片、无人驾驶等科技的飞速发展，引领芯片封装技术朝高密度、多功能、小型化、轻型化、三维化等趋势发展，三维电子封装技术逐渐成为热门技术。而扇出型三维封装由于实现在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小以及多功能异构芯片集成，受到越来越多的重视。在三维电子封装技术中，芯片间的互连技术是影响芯片间通信质量、甚至整个系统性能的关键因素。扇出型三维封装技术形成的封装体互联密度高，相比传统的引线键合封装方案，可以大大改善芯片速度、减少信号的延迟、降低功率损耗等，从而可以实现多种功能集成。
[0003]申请号为201921532342.2的专利使用树脂基重构晶圆和扇出晶圆级封装工艺，实现了高密度三维集成封装。但是在这些三维集成封装结构中，并未考虑散热问题。很显然，这种三维集成封装结构在正反面均集成了多个芯片，发热量很大，但封装面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入微流道散热的三维集成封装结构，其特征在于，包括上下键合的盖板层（110）和凹槽层（113），所述盖板层（110）包括第一芯片（103），所述凹槽层（113）包括第二芯片（111），所述第一芯片（103）和第二芯片（111）的两侧分别设有TMV转接芯片（104），所述TMV转接芯片（104）的外侧设有绝缘层（106），所述绝缘层（106）的外侧设有再布线层（107），所述TMV转接芯片（104）的内侧设有键合层（109），所述盖板层（110）和凹槽层（113）通过键合层（109）键合，所述第一芯片（103）与所述TMV转接芯片（104）之间设有微流体出入口（108），所述第一芯片（103）与所述第二芯片（111）之间设有微流道凹槽（112）；其中，由所述盖板层（110）和凹槽层（113）组合围成微流道结构。2.根据权利要求1所述的嵌入微流道散热的三维集成封装结构，其特征在于，所述第一芯片（103）包括数模芯片、射频芯片、无源器件芯片、DSP芯片、存储芯片和桥连接的芯片中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的嵌入微流道散热的三维集成封装结构，其特征在于，所述键合层（109）的材料包括金、铜、锡铅、锡银或锡银铜。4.根据权利要求1所述的嵌入微流道散热的三维集成封装结构，其特征在于，所述微流道凹槽（112）的结构包括直线型、S型或折线型。5.根据权利要求1所述的嵌入微流道散热的三维集成封装结构，其特征在于，所述微流道凹槽（112）的深度小于所述第二芯片（111）的厚度。6.一种嵌入微流道散热的三维集成封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S11：提供一片厚度为600μm的玻璃晶圆（101），在所述玻璃晶圆（101）的正面涂覆厚度为4μm的临时键合胶（102），固化后形成临时键合载板；步骤S12：将第一芯片（103）与TMV转接芯片（104）分别键合在所述临时键合载板上；步骤S13：用塑封料（105）将所述第一芯片（103）与TMV转接芯片（10...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宇航，夏晨辉，王刚，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：