【技术实现步骤摘要】
一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路
[0001]本专利技术属于金刚石基薄膜电路
,具体涉及一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路。
技术介绍
[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息,不必然构成在先技术。
[0003]金刚石具有所有材料中最高的热导率,加上其高的电阻率和高的击穿场强,使金刚石膜可作集成电路的基片或绝缘层以及固体激光器的导热绝缘层,己在微波、毫米波及太赫兹波器件和集成电路上有了应用尝试,可以解决高驱动功率二极管的散热问题,避免二极管因温度升高造成失效,拓宽其应用领域。金刚石膜本身的特性、金刚石基薄膜电路较小的厚度和细长的外形,是造成该应用推广缓慢主要原因。
[0004]目前,金刚石基薄膜电路一般采用传统制作方法,即经过基片加工、清洗、真空镀膜、光刻腐蚀电路图形、电镀、外形加工等十几个工序、数十个工步,整个制作过程非常长,过程中可采用临时键合和解键合技术,为金刚石膜提供支撑,有一定程度的防碎裂作用,但在临时键合和解键合过程中的碎裂概率非常高,不能很好的解决制作难度问 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金刚石基薄膜电路制作方法,其特征在于,包括:(1)选定底层硅材料;(2)在底层硅材料的上方制作金刚石膜;(3)对金刚石膜的上表面进行清洗;(4)在金刚石膜的上表面镀膜,形成膜层,且膜层上表面为金层;(5)在膜层的上表面涂覆光致抗蚀剂,并做前烘处理;(6)采用紫外曝光机,利用相应的掩膜版对光致抗蚀剂进行处理,形成工艺窗口;(7)在工艺窗口上电镀金,形成薄膜电路图形,并在薄膜电路图形上表面镀一层保护层;(8)去除光致抗蚀剂;(9)去除未受保护层保护的膜层,然后去除保护层;(10)根据电路外形,进行开槽处理,形成外形加工槽;(11)将硅腐蚀液注入外形加工槽,以去除底层硅材料;(12)清洗得到金刚石基薄膜电路。2.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法,其特征在于,所述步骤(2)具体包括:对金刚石膜的上表面进行包括铬酸洗液浸泡、DI水超声波清洗、离心甩干和烘烤的清洗处理。3.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电路制作方法,其特征在于,所述膜层从下往上依次包括附着层和导电层;或,所述膜层从下往上依次包括电阻层、附着层和导电层。4.根据权利要求1所述的金刚石基薄膜电...
【专利技术属性】
技术研发人员:王斌,孙吉胜,姜万顺,邓建钦,宋振国,付延新,桑锦正,孙建华,王沫,
申请(专利权)人:中电科思仪科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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