基于IGBT的四分时逆变功率单元制造技术

技术编号:34979738 阅读:29 留言:0更新日期:2022-09-21 14:22
本实用新型专利技术公开了一种基于IGBT的四分时逆变功率单元,包括U形壳体,壳体翼板内侧设置逆变桥,壳体翼板外侧设置突波电容;每个逆变桥包括四只并联的IGBT逆变器,其输入侧电连接直流输入母排,其输出侧电连接交流输出汇流排;每个逆变桥搭配一块水冷铝板,水冷铝板间设置桥间绝缘块;水冷铝板上方设置驱动板,驱动板驱动IGBT逆变器轮流工作。本实用新型专利技术采用上述逆变功率单元,通过IGBT替代MOS管,无均流、转化效率更高,且同功率等级下体积更小、重量更轻、组装更方便。组装更方便。组装更方便。

【技术实现步骤摘要】
基于IGBT的四分时逆变功率单元


[0001]本技术涉及逆变器
,尤其是涉及一种基于IGBT的四分时逆变功率单元。

技术介绍

[0002]在大功率高频感应加热焊接领域或者带钢加热领域,对于800kW及以上的加热电源,其加热的谐振频率大多在30KHz

200KHz以内,由于MOS管的频率适应范围较宽(最高到1MHz),所以市场上的逆变功率单元大都采用MOS管作为功率器件,通过多只MOS管并联来实现不同容量的功率单元(例如50kW逆变单元采用8只MOS管并联,100kW逆变单元采用16只MOS管并联)。
[0003]现有技术下,MOS管逆变功率单元存在如下不足:1)由于电流传输路径上差异、线路杂散电感及磁场干扰等因素的影响,逆变功率单元的MOS管间的均流性无法保证,逆变功率单元满功率运行情况下,电流大的MOS管容易损坏;2)逆变功率单元需为每组MOS管提供阻容吸收电路,以吸收MOS管开关过程中产生的电压尖峰,降低了逆变功率单元的效率;3)由于MOS管自身寄生的二极管特性很差(反向恢复时间),无法满足MOS管关断时续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于IGBT的四分时逆变功率单元,其特征在于,包括U形壳体,壳体翼板内侧设置逆变桥,壳体翼板外侧设置突波电容;每个逆变桥包括四只并联的IGBT逆变器,其输入侧电连接直流输入母排,其输出侧电连接交流输出汇流排;每个逆变桥搭配一块水冷铝板,水冷铝板间设置桥间绝缘块;水冷铝板上方设置驱动板,驱动板驱动IGBT逆变器轮流工作。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王飞刘志军
申请(专利权)人:保定三正电气设备有限公司
类型:新型
国别省市:

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