晶片抛光装置用抛光垫以及用于制造其的设备和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制造抛光垫的方法，所述方法包括：用于制造非织造垫的步骤；用聚氨酯浸渍非织造垫的聚氨酯浸渍步骤；以及对用聚氨酯浸渍的非织造垫的表面进行抛光的表面抛光步骤，其中实施聚氨酯浸渍步骤和表面抛光步骤，使得表面层和抛光垫内部之间的密度比均匀。匀。匀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片抛光装置用抛光垫以及用于制造其的设备和方法


[0001]一些实施方式涉及晶片(wafer)抛光设备，更具体地涉及用于晶片抛光设备的抛光垫。

技术介绍

[0002]通常，使用可以丘克拉斯基法(Czochralski method)生长并制造单晶硅锭。该方法是一种在腔室中的坩埚内熔化多晶硅、将晶种(单晶)浸泡在熔化的硅中并缓慢提升晶种以生长为具有所需直径的单晶硅锭(以下称为锭)的方法。
[0003]单晶硅晶片制造工艺包括使用上述方法形成锭的单晶生长工艺、对锭进行切片以获得薄的圆盘形晶片的切片工艺、对通过切片工艺获得的晶片边缘进行研磨以防止晶片破裂或变形的边缘研磨(grind)工艺、去除晶片上残留的机械加工造成的损坏以提高晶片的平整度的精研(lap)工艺、对晶片进行抛光的抛光工艺以及从抛光的晶片上去除抛光剂和异物的清洁工艺。
[0004]在晶片抛光工艺中，其中，晶片的两个表面可以使用双侧抛光(DSP)设备同时进行抛光。
[0005]图1是常规晶片抛光设备的透视图。
[0006]如图1所示，常规晶片抛光设备100包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造晶片抛光设备用抛光垫的方法，所述方法包括：制造非织造织物的步骤；用聚氨酯浸渍非织造织物的聚氨酯浸渍步骤；以及对用聚氨酯浸渍的非织造织物的表面进行精加工的表面精加工步骤，其中，实施聚氨酯浸渍步骤和表面精加工步骤，以使表面层和抛光垫内部之间的密度比均匀。2.如权利要求1所述的方法，其中，聚氨酯浸渍步骤包括：对非织造织物进行预处理的预处理步骤；去除非织造织物中水分的第一干燥步骤；用聚氨酯浸渍非织造织物的浸渍步骤；对通过浸渍包含在非织造织物中的聚氨酯进行干燥的第二干燥步骤；以及对用聚氨酯浸渍的非织造织物进行压制的压制工艺。3.如权利要求2所述的方法，其中，在浸渍步骤中，聚氨酯浸渍工艺进行至少两次。4.如权利要求3所述的方法，其中，浸渍步骤包括：用亲水性聚氨酯浸渍非织造织物的第一浸渍工艺；以及用疏水性聚氨酯浸渍非织造织物的第二浸渍工艺。5.如权利要求4所述的方法，其中，进行磨光，以使得抛光垫表面层中含有聚氨酯的多孔层与不含聚氨酯的多孔层的密度之比为1:1。6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安镇佑，张洙天，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：