【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。
[0003]为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与基底的导通是通过互连结构实现的。互连结构包括互连线和形成于接触开口内的接触孔插塞。接触孔插塞与半导体器件相连接，互连线实现接触孔插塞之间的连接，从而构成电路。晶体管结构内的接触孔插塞包括位于栅极结构表面的栅极接触孔插塞，用于实现栅极结构与外部电路的连接，还包括位于源漏掺杂层表面的源漏接触孔插塞，用于实现源漏掺杂层与外部电路的连接。
[0004]目前，为实现晶体管面积的进一步缩小，引入了有源栅极接触孔插塞(Contact Over Active Gate，COAG)工艺。与传统的栅极接...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底内；介质层，位于所述基底上且覆盖所述栅极结构顶部和所述源漏掺杂层顶部；源漏插塞，贯穿所述栅极结构两侧的所述介质层、并与所述源漏掺杂层顶部电连接，沿所述栅极结构的延伸方向上，所述源漏插塞包括相对的第一端和第二端，且所述源漏插塞包括相邻接的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一端一侧或位于所述第二端一侧，所述第一区域的源漏插塞顶部低于所述第二区域的源漏插塞顶部；源漏盖帽层，位于所述第一区域的源漏插塞顶部，并覆盖所述第二区域的源漏插塞侧壁；栅极插塞，位于所述源漏盖帽层之间且贯穿所述栅极结构顶部的介质层，所述栅极插塞与所述栅极结构顶部电连接。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：栅极盖帽层，位于所述栅极结构的顶部；所述栅极插塞在纵向上贯穿所述栅极结构顶部的介质层和所述栅极盖帽层。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构一侧的源漏插塞的第二区域位于所述第一端一侧，所述栅极结构另一侧的源漏插塞的第二区域位于所述第二端一侧。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述栅极结构的延伸方向，所述源漏插塞的形状为长条形，所述源漏插塞覆盖源漏掺杂层的顶部和侧壁。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏插塞的顶部尺寸大于所述源漏插塞的底部尺寸。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域的源漏插塞顶部至所述第一区域的源漏插塞顶部的距离为所述源漏插塞总高度的10％至50％。7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域的源漏插塞顶部低于或齐平于栅极盖帽层的顶部。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏盖帽层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、掺碳的氮化硅、掺碳的氧化硅和碳化硅中的一种或多种。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏插塞的材料包括钨、钴或钌，所述栅极插塞的材料包括钨、钴或钌。10.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极盖帽层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、掺碳的氮化硅、掺碳的氧化硅和碳化硅中的一种或多种。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括金属栅极结构。12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述基底上形成有覆盖所述栅极结构顶部和所述源漏掺杂层顶部的介质层；在所述栅极结构两侧形成贯穿所述介质层并与所述源漏掺杂层顶部电连接的源漏插塞，沿所述栅极结构的延伸方向上，所述源漏插塞包括相对的第一端和第二端，且所述源漏
插塞包括相邻接的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一端一侧或位于所述第二端一侧；去除所述第一区域的部分厚度的所述源漏插塞，在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏青，金吉松，苏柏松，王俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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