温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；介质层，覆盖栅极结构和源漏掺杂层的顶部；源漏插塞，贯穿栅极结构两侧的介质层并与源漏掺杂层顶部电连接，源漏插塞沿栅极结构延伸方向包括第一端...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。