晶圆面型分类方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆面型分类方法及系统。该方法包括：以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0

【技术实现步骤摘要】
晶圆面型分类方法及系统


[0001]本专利技术涉及晶圆检测
，特别是涉及一种晶圆面型分类方法及系统。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的硅晶棒。硅晶棒再经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]常见的晶圆的面型有马鞍型、穿透型、平面型等，晶圆的面型能够反应机台加工的工艺参数是否正常，并且可以根据当前晶圆的面型决定后续工艺的不同处理方式，对于提高晶圆加工质量非常重要。然而，现有技术中缺乏有效的确定晶圆面型的技术方案。

技术实现思路

[0004]为此，本专利技术的一个实施例提出一种晶圆面型分类方法，以有效的确定晶圆面型，有助于提高晶圆加工质量。
[0005]根据本专利技术一实施例的晶圆面型分类方法，包括：以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0
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、135
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方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
[0006]根据本专利技术实施例提供的晶圆面型分类方法，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0
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方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，进而得到四条扫描曲线与线段之间的第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，最后根据这四个垂直距离来确定所述晶圆的面型种类，能够快速、有效的确定晶圆的面型种类，有助于提高晶圆加工质量。
[0007]此外，根据本专利技术实施例提供的晶圆面型分类方法，还具有以下技术特征：进一步地，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三
扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
[0008]进一步地，根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
[0009]进一步地，判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量的步骤之后，所述方法还包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
[0010]进一步地，判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio的步骤之后，所述方法还包括：若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
[0011]本专利技术的另一个实施例提出一种晶圆面型分类系统，以有效的确定晶圆面型，有助于提高晶圆加工质量。
[0012]根据本专利技术实施例的晶圆面型分类系统，包括：获取模块，用于以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0
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方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；计算模块，用于使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所
述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；确定模块，用于根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
[0013]根据本专利技术实施例提供的晶圆面型分类系统，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0
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方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆面型分类方法，其特征在于，包括：以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0
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、45
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方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。2.根据权利要求1所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。3.根据权利要求2所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。4.根据权利要求3所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量的步骤之后，所述方法还包括：若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/
SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。5.根据权利要求4所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio的步骤之后，所述方法还包括：若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；若Rati...

【专利技术属性】
技术研发人员：向小山，郭青扬，马铁中，
申请(专利权)人：昂坤视觉北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：