一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法，该静电抑制器包括从上至下依次设置的上电极引出层、功能层和下电极引出层；功能层包括中间树脂层、上功能电极层和下功能电极层；上电极引出层包括上树脂层和上引出端电极，下电极引出层包括下树脂层和下引出端电极；上引出端电极、上功能电极层、下引出端电极和下功能电极层之间通过填充于上树脂层、中间树脂层和下树脂层上设置的通孔中的金属铜连接；所述功能层中还填充有上下贯穿的可变阻浆料。该静电抑制器利用微米级别的电极间隙和可变阻浆料实现变阻作用，从而降低了电容，改善击穿电压，实现有效的静电保护作用。实现有效的静电保护作用。实现有效的静电保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及静电抑制器
，特别涉及一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法。

技术介绍

[0002]静电抑制器是一种分立的被动元件，其作用在于当有静电发生时将静电电压转变成电流泄放到地线中。通常情况下静电抑制器处于高阻态，当有静电时，元件的电阻降低从而将静电电压转变成电流泄放掉，起到保护作用。
[0003]静电可以导致半导体器件被击穿；由于半导体芯片技术的进步导致电路线间距变小，对于静电的耐受能力也呈现出下降趋势，因而需要外加的静电抑制器提供保护。现代通讯技术的发展导致数据传输的速度越来越快，但元件的寄生电容对于高频信号有干扰作用，数据传输的速度越快，电容对信号传输的影响也就越大，因此需要低电容的静电抑制器。
[0004]现有的静电抑制器的电极间隙的形成方式有两种，一种是切割方式，另一种是化学刻蚀方式。由切割形成的间隙无法避免切割形成的金属残余物从而增加短路或失效的可能，且其精度受制于切割的刀具及切割中刀具高速旋转精度，因而精度有限，导致击穿电压大小不一。由化学刻蚀形成的间隙受制于铜箔厚度，一般宽度较难做到50微米以下，不能制备击穿电压较低的静电抑制器。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法。该静电抑制器利用微米级别的电极间隙和可变阻浆料实现变阻作用，从而降低了电容，改善击穿电压，实现有效的静电保护作用。
[0006]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种电极间隙可控的静电抑制器，包括从上至下依次设置的上电极引出层、功能层和下电极引出层；所述功能层包括中间树脂层、位于中间树脂层上表面上的上功能电极层和位于中间树脂层下表面上的下功能电极层；所述上电极引出层包括上树脂层和位于上树脂层的上表面上的上引出端电极，所述下电极引出层包括下树脂层和位于下树脂层的下表面上的下引出端电极；上引出端电极、上功能电极层、下引出端电极和下功能电极层之间通过填充于上树脂层、中间树脂层和下树脂层上设置的通孔中的金属铜连接；所述功能层中还填充有上下贯穿的可变阻浆料。
[0007]进一步的，所述上功能电极层和下功能电极层的厚度为17
‑
35μm。
[0008]进一步的，所述中间树脂层的厚度为8
‑
35μm，优选为18
‑
22μm；上树脂层和下树脂层的厚度为50
‑
150μm。
[0009]进一步的，所述可变阻浆料包括10
‑
45wt％金属粉体、5
‑
50wt％无机粉体、3
‑
25wt％橡胶、10
‑
45wt％溶剂；金属粉体优选为铝粉、铜粉、镍粉中的一种或两种以上的结
合，进一步优选为0.8
‑
5μm粒径的铝粉；无机粉体优选为硫酸钡、碳酸钙、氧化镁、氧化铝中一种或两种以上的混合，进一步优选为0.8
‑
7μm粒径的硫酸钡；橡胶优选为硅橡胶或氟硅橡胶；溶剂优选为乙酸乙酯或丙酮。
[0010]进一步的，所述上引出端电极的表面和下引出端电极的表面均设有可焊性镀层。
[0011]本专利技术进一步提供了一种电极间隙可控的静电抑制器的制作方法，包括如下步骤：
[0012](1)提供一双面覆铜的树脂板一；在该树脂板一的两面的铜层上蚀刻出穿孔；
[0013](2)将经过步骤(1)处理后的双面覆铜的树脂板一压合在另一单面覆铜的树脂板二上，单面覆铜的树脂板二的铜层朝向外侧；
[0014](3)在对应穿孔的位置，对步骤(2)得到的结构进行钻孔，形成贯穿树脂板一的浆料填充孔；
[0015](4)在浆料填充孔中填充可变阻浆料，并加热固化；
[0016](5)在双面覆铜的树脂板一的上表面上压合一块单面覆铜的树脂板三；该单面覆铜的树脂板三的铜层朝向外侧层；
[0017](6)对单面覆铜的树脂板三上的铜层和单面覆铜的树脂板二上的铜层进行刻蚀，分别形成上引出端电极和下引出端电极；
[0018](7)在步骤(6)形成的结构所对应的上引出端电极和下引出端电极处钻孔，形成贯穿的填充通孔，在该填充通孔中填充金属铜。
[0019]进一步的，步骤(4)中，所述可变阻浆料包括10
‑
45wt％金属粉体、5
‑
50wt％无机粉体、3
‑
25wt％橡胶、10
‑
45wt％溶剂；金属粉体优选为铝粉、铜粉、镍粉中的一种或两种以上的结合，进一步优选为0.8
‑
5μm粒径的铝粉；无机粉体优选为硫酸钡、碳酸钙、氧化镁、氧化铝中一种或两种以上的混合，进一步优选为0.8
‑
7μm粒径的硫酸钡；橡胶优选为硅橡胶或氟硅橡胶；溶剂优选为乙酸乙酯或丙酮。
[0020]进一步的，步骤(4)中，加热固化的温度为150
‑
170℃，固化时间为1
‑
3小时。
[0021]进一步的，在步骤(7)中，金属铜填充完毕后，在上引出端电极和下引出端电极上分别电镀一层可焊性镀层。
[0022]本专利技术的有益效果是：
[0023]本专利技术采用微米级别的中间树脂层作为电极间隙，并在电极间隙中填充可变阻浆料，从而利用该较小的电极间隙和可变阻浆料的配合实现变阻作用，达到降低电容以及击穿电压的目的，使得静电抑制器的触发电压降低，同时稳定性增加，可实现50％以上的静电抑制器在2KV条件下触发，由于制作过程可以保证间隙中没有金属残余物，可以避免金属残余物导致的短路和漏电。本专利技术制作出的静电抑制器能够在更广泛的线路应用中起到有效的静电保护作用。
[0024]此外，本专利技术采用树脂层作为电极间隙，从而可以通过调整树脂层厚度，实现较小和较均一的电极间隙；其中的覆铜树脂板的加工过程采用挤出覆膜工艺得到，可以保证1～3μm的加工精度，远高于切割工艺
±
5μm的加工精度，可以实现较高的间隙控制精度，从而保证较高的产品一致性。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例1的电极间隙可控的静电抑制器的分解结构示意图。
[0026]图2为本专利技术实施例2的电极间隙可控的静电抑制器的分解结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0028]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]实施例1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极间隙可控的静电抑制器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上电极引出层、功能层和下电极引出层；所述功能层包括中间树脂层、位于中间树脂层上表面上的上功能电极层和位于中间树脂层下表面上的下功能电极层；所述上电极引出层包括上树脂层和位于上树脂层的上表面上的上引出端电极，所述下电极引出层包括下树脂层和位于下树脂层的下表面上的下引出端电极；上引出端电极、上功能电极层、下引出端电极和下功能电极层之间通过填充于上树脂层、中间树脂层和下树脂层上设置的通孔中的金属铜连接；所述功能层中还填充有上下贯穿的可变阻浆料。2.根据权利要求1所述的一种电极间隙可控的静电抑制器，其特征在于，所述上功能电极层和下功能电极层的厚度为17
‑
35μm。3.根据权利要求1或2所述的一种电极间隙可控的静电抑制器，其特征在于，所述中间树脂层的厚度为8
‑
35μm；上树脂层和下树脂层的厚度为50
‑
150μm。4.根据权利要求1所述的一种电极间隙可控的静电抑制器，其特征在于，所述可变阻浆料包括10
‑
45wt％金属粉体、5
‑
50wt％无机粉体、3
‑
25wt％橡胶、10
‑
45wt％溶剂。5.根据权利要求1所述的一种电极间隙可控的静电抑制器，其特征在于，所述上引出端电极的表面和下引出端电极的表面均设有可焊性镀层。6.一种电极间隙可控的静电抑制器的制作方法，其特征在于：包括如...

【专利技术属性】
技术研发人员：张甦，戴剑，杨涛，李启迪，仇利民，
申请(专利权)人：苏州晶讯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：