一种防雷保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防雷保护电路，其可满足千安级通流能力，并具有防反接功能，且可降低防雷电路成本及减少空间布局；输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，包括依次连接的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块；所述电压检测模块，与电源相连接，用于检测所述电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至所述驱动模块；所述驱动模块，用于接收从所述电压检测模块输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至所述主浪涌保护模块；所述主浪涌保护模块，与所述后级电路连接，用于接收从所述驱动模块输出的驱动信号，以实现吸收负压浪涌及对所述后级电路的反接保护。浪涌及对所述后级电路的反接保护。浪涌及对所述后级电路的反接保护。

【技术实现步骤摘要】
一种防雷保护电路


[0001]本技术涉及防雷
，具体为一种防雷保护电路。

技术介绍

[0002]防雷电路是电源输入端口防护的关键电路，这部分电路起到保护后级功率变换器件或电池组的作用，几乎在所有二次电源及一次电源应用中，都会配备防雷电路。对于户外应用场景，典型的防雷电路一般设置有一级防护电路和二级防护电路，一级防护电路由千安级大功率TVS和退偶电感来实现输入输出正负压防雷防护，通过一级防护电路可以将正压浪涌钳制在合理范围内，但负压浪涌由于其特殊性往往仍残存较高电压，极易损坏后级电路敏感元器件，因此还需要设置二级防护电路来将一级防护电路的负向残压进一步降低，以保护后级电路敏感元器件不被损坏，同时因电源输入口正负极不允许反接，需要二级防护电路具备防反接能力，目前常见的二级防护电路由功率MOS管串联功率二极管来实现，其具备负向残压钳制能力和防反接能力，但由于MOS管的通流能力低，无法满足千安级应用需求。因此如何提高防雷电路至千安级通流能力，并使得防雷电路兼具防反接功能，降低防雷电路成本及减少空间布局成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本技术提供了一种防雷保护电路，其可满足千安级通流能力，并具有防反接功能，且可降低防雷电路成本及减少空间布局。
[0004]本技术的技术方案是这样的，一种防雷保护电路，输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，包括依次连接的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块；
[0005]所述电压检测模块，与电源相连接，用于检测所述电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至所述驱动模块；
[0006]所述驱动模块，用于接收从所述电压检测模块输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至所述主浪涌保护模块；
[0007]所述主浪涌保护模块，与所述后级电路连接，用于接收从所述驱动模块输出的驱动信号，以实现吸收负压浪涌及对所述后级电路的反接保护。
[0008]其进一步特征在于：
[0009]所述电压检测模块包括：第一电阻、第二电阻和第一二极管；所述第一电阻与所述第二电阻及所述第一二极管依次串联后并接在所述电源两端，其中第一电阻连接至所述电源正端，第一二极管负极连接至所述电源负端；所述第一电阻与所述第二电阻的连接点连接至所述驱动模块的输入端；
[0010]所述驱动模块包括第一MOS管，所述第一MOS管采用的金属氧化物半导体MOS管；所述第一MOS管的栅极连接至所述电压检测模块的输出端，所述第一MOS管的漏极连接至所述电源负端，所述第一MOS管的源极连接至所述主浪涌保护模块的控制端；
[0011]所述主浪涌保护模块包括第一半导体可编程过压保护器；所述第一半导体可编程
过压保护器的控制极连接至所述驱动模块的输出端，所述第一半导体可编程过压保护器的阳极连接至所述电源负端，所述第一半导体可编程过压保护器的阴极连接至所述电源正端。
[0012]本技术的有益效果是，通过设置的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块，若是电源输入端的输入不符合预设条件时，可实现吸收负压浪涌及对后级电路的反接保护，从而能够满足千安级通流能力，能稳定消除负压浪涌，具有很好的防雷效果，而且兼具防反接功能，有效解决了现有防反接防雷电路通流能力小成本高的问题，具有较好的经济使用价值。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例提供的电路原理图；
具体实施方式
[0014]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本技术实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0015]本技术实施例提供一种防雷保护电路，参照图1中所示，该防雷保护电路，输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，包括依次连接的电压检测模块1、驱动模块2、主浪涌保护模块3；电压检测模块1的输入端与电源输入端相连接，电压检测模块1的输出端与驱动模块2的输入端相连接，驱动模块2的输出端与主浪涌保护模块3的控制端相连接，主浪涌保护模块3的输出端与电源输出端相连接；
[0016]其中，电压检测模块1，与电源相连接，用于检测电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至驱动模块2；
[0017]驱动模块2，用于接收从电压检测模块1输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至主浪涌保护模块3；
[0018]主浪涌保护模块3，与后级电路连接，用于接收从驱动模块2输出的驱动信号，以使得在电源输入端的输入符合预设条件时，实现吸收负压浪涌及对后级电路的反接保护；
[0019]其中，预设条件指的是电源的输入电压为正压还是负压输入，以及是否出现负向雷击的情况。
[0020]电压检测模块1包括第一电阻R1、第二电阻R2和第一二极管D1；第一电阻R1与第二电阻R2及第一二极管D1依次串联后并接在电源两端，其中第一电阻R1连接至电源正端，第一二极管D1负极连接至电源负端；第一电阻R1与第二电阻R2的连接点连接至驱动模块2的输入端；驱动模块2包括第一MOS管Q1，第一MOS管Q1采用的金属氧化物半导体MOS管；第一MOS管Q1的栅极连接至电压检测模块1的输出端，第一MOS管Q1的漏极连接至电源负端，第一MOS管Q1的源极连接至主浪涌保护模块3的控制端；主浪涌保护模块3包括第一半导体可编程过压保护器U1；第一半导体可编程过压保护器U1的控制极连接至驱动模块2的输出端，第一半导体可编程过压保护器U1的阳极连接至电源负端，第一半导体可编程过压保护器U1的阴极连接至电源正端。
[0021]一种防雷保护方法，包括如下步骤：
[0022]在电源的输入电压为正压输入的情况下，电压检测模块1输出的电压控制信号控制驱动模块2导通，且驱动模块2产生的驱动信号驱动主浪涌保护模块3在设定条件下能够由阳极到阴极导通，其中，该设定条件为：在电源的输入电压为正压输入、且出现负向雷击的情况下，第一半导体可编程过压保护器的阳极与阴极之间导通，第一半导体可编程过压保护器吸收负向雷击浪涌能量；
[0023]在电源的输入电压为正压输入的情况下，电压检测模块1输出的电压控制信号控制驱动模块2导通，且驱动模块2产生的驱动信号驱动第一半导体可编程过压保护器的控制极与阳极之间导通实现自偏置；
[0024]在电源的输入电压为负压输入的情况下，电压检测模块1输出的电压控制信号控制驱动模块2截止，且驱动模块2产生的驱动信号驱动第一半导体可编程过压保护器的控制极呈高阻悬空状态失去自偏置，第一半导体可编程过压保护器的阳极与阴极之间不导通，实现防反接保护。
[0025]本技术的工作原理是，
[0026]当电源的输入电压为正压输入时，第一二极管D1正向导通，第二电阻R2与第一二极管D1两端产生一个正压用作驱动模块2的输入控制信号；当电源的输入电压为负压输入时，第一二极管D1反向截止，第一电阻R1两端电压约等于零伏，同样用作驱动模块2的输入控制信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防雷保护电路，输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，其特征在于：包括依次连接的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块；所述电压检测模块，与电源相连接，用于检测所述电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至所述驱动模块；所述驱动模块，用于接收从所述电压检测模块输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至所述主浪涌保护模块；所述主浪涌保护模块，与所述后级电路连接，用于接收从所述驱动模块输出的驱动信号，以实现吸收负压浪涌及对所述后级电路的反接保护。2.根据权利要求1所述的一种防雷保护电路，其特征在于：所述电压检测模块包括：第一电阻、第二电阻和第一二极管；所述第一电阻与所述第二电阻及所述第一二极管依次串联后并接在所述电源两端，其中第一电阻连接至所述电源正端，第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴月挺，仇利民，戴剑，
申请(专利权)人：苏州晶讯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：