改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和钕铁硼永磁体技术

本发明专利技术公开了改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法以及钕铁硼永磁体。所述方法包括：将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内；其中，悬浮液由Re

【技术实现步骤摘要】
改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和钕铁硼永磁体


[0001]本专利技术涉及稀土永磁材料制备领域，尤其涉及改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和钕铁硼永磁体。

技术介绍

[0002]Nd2Fe
14
B永磁体作为全球稀土永磁材料的高产量代表，已经进入高速增长时期。随着钕铁硼永磁体在风力发电、混合动力汽车及纯电动汽车和节能家电等低碳经济领域中的广泛应用，对钕铁硼永磁体也提出了越来越高的要求。钕铁硼永磁体中存在的多相结构以及各相之间的化学特性差异，使得钕铁硼稀土永磁体表现出固有的耐蚀性不足的特点。钕铁硼永磁体中晶界富Nd相发生腐蚀溶解后，磁体内部主相晶粒之间的结合介质消失，将造成主相晶粒的脱落，严重时，还会造成磁体的粉化失效。因此，钕铁硼永磁体的应用和发展，离不开其腐蚀防护技术的进步和创新。
[0003]钕铁硼永磁体的表面防护技术是伴随着钕铁硼永磁体应用领域的拓宽，服役环境的苛刻程度加深，用户要求的提升而不断发展和进步的。虽然经过多年的发展，取得了很大的进步，但是钕铁硼永磁体表面防护技术仍然与实际需要存在差距。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。
[0005]本专利技术的一个目的是提供改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，其可以改善钕铁硼永磁体的抗腐蚀性能。
[0006]本专利技术的另一个目的是提供一种钕铁硼永磁体，其具有高耐蚀性。
[0007]为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，包括：
[0008]将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内；其中，所述悬浮液由Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成，Re选自Nd、Pr、Ce、La、Sm中的一种或者几种，M选自Al、Ag、Au、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ga中的一种或几种；
[0009]将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内，通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型，得到生坯，其中，所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液；
[0010]对所述生坯进行真空烧结，所述真空烧结包括合金晶界扩散阶段，所述合金晶界扩散阶段在900～1000℃下保温5～15h。
[0011]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，所述Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末在所述悬浮液中的质量百分比为40％～70％。
[0012]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，所述有机溶剂选自异丙醇和无水乙醇中的一种。
[0013]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，所述固化液由聚乙烯
醇缩丁醛与松油醇按质量比1:10比例配制而成。
[0014]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，在所述对所述生坯进行真空烧结之前，还对所述生坯进行烘干处理。
[0015]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，所述对所述生坯进行烘干处理，包括：
[0016]将所述生坯置于真空度为5Pa，温度为100℃的条件下进行烘干处理0.5～1h。
[0017]优选的是，所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法中，所述对所述生坯进行真空烧结，包括：
[0018]将所述生坯放入真空烧结设备中，在真空度为1.0
×
10
‑2Pa以下，升温至150℃，保温0.5～2h，每间隔10～30min充入惰性气体；继续升温至350～550℃保温0.5～2h，继续升温至700～800℃，保温0.5～2h；进入合金晶界扩散阶段，继续升温至900～1000℃，保温5～15h；进入高温烧结致密阶段，继续升温至1050～1090℃，保温1～4h；充入惰性气体至85～100Kpa进行冷却；待冷却至70℃以下，转入热处理设备，抽真空至1Pa以下，开始升温，热处理温度为450～650℃。
[0019]为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，还提供了一种钕铁硼永磁体，其由所述的方法制备得到的。
[0020]本专利技术至少包括以下有益效果：
[0021]本专利技术提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法和和钕铁硼永磁体。该方法包括：将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内；其中，所述悬浮液由Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成，Re选自Nd、Pr、Ce、La、Sm中的一种或者几种，M选自Al、Ag、Au、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ga中的一种或几种；将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内，通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型，得到生坯，其中，所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液；对所述生坯进行真空烧结，所述真空烧结包括真空低温加热阶段和合金晶界扩散阶段，所述真空低温加热阶段在真空度为1.0
×
10
‑2Pa以下，温度为150～180℃，保温0.5～2h，所述合金晶界扩散阶段在900～1000℃下保温5～15h。基于该方法，通过压制成型阶段将Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末包裹于钕铁硼永磁体的生坯表面，经过真空烧结过程中的合金晶界扩散阶段实现合金向钕铁硼永磁体的晶界扩散，从而制备出高矫顽力、高耐蚀性的烧结钕铁硼磁体。
[0022]本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
具体实施方式
[0023]下面对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0024]本专利技术提供了一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，包括：将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内；其中，所述悬浮液由Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成，Re选自Nd、Pr、Ce、La、Sm中的一种或者几种，M选自Al、Ag、Au、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ga中的一种或几种；将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内，通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型，得到生坯，其中，所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液；对所
述生坯进行真空烧结，所述真空烧结包括合金晶界扩散阶段，所述合金晶界扩散阶段在900～1000℃下保温5～15h。
[0025]在真空烧结过程的合金晶界扩散阶段，Re稀土元素和M元素可以扩散至钕铁硼永磁体内部，与铁和硼形成新的相结构，从而提高钕铁硼永磁体的耐蚀性，并提高磁性能。
[0026]综上所述，本专利技术将Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末配制成悬浮液，其中，Re选自Nd、Pr、Ce、La、Sm中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，其特征在于，包括：将悬浮液喷涂于成型设备的模具腔内；其中，所述悬浮液由Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末、有机溶剂和固化液配制而成，Re选自Nd、Pr、Ce、La、Sm中的一种或者几种，M选自Al、Ag、Au、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ga中的一种或几种；将用于制备钕铁硼永磁体的原料磁粉加入所述模具腔内，通过所述成型设备对所述原料磁粉进行压制成型，得到生坯，其中，所述生坯的外表面裹覆有所述悬浮液；对所述生坯进行真空烧结，所述真空烧结包括合金晶界扩散阶段，所述合金晶界扩散阶段在900～1000℃下保温5～15h。2.如权利要求1所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，其特征在于，所述Re
x
M
(100
‑
X)
合金粉末在所述悬浮液中的质量百分比为40％～70％。3.如权利要求1所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，其特征在于，所述有机溶剂选自异丙醇和无水乙醇中的一种。4.如权利要求1所述的改善钕铁硼永磁体抗腐蚀性能的方法，其特征在于，所述固化液由聚乙烯醇缩丁醛与松油醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：史荣莹，刘润海，李一萌，左志军，
申请(专利权)人：京磁材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：