【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架
[0001]本专利技术是有关于对半导体器件或集成电路实行老化过程的老化装置,确切而言是有关于一种包括可与一个或更多个可互换框架协作地操作以完成老化腔室的隔温的老化腔室的老化装置、用于藉由分别完成和解除腔室的隔温来将至少一个框架转移于腔室中和转移出腔室的方法、用于在老化装置与老化区域中的至少一个其他装置之间转移支撑于框架上的一组老化板的方法和一种具有老化腔室以及一个或更多个可互换框架的老化装置。
技术介绍
[0002]老化是一种将半导体器件与激励电源和/或信号一起暴露于高温和/或低温以在投入运行之前消除早期故障的过程。
[0003]在此过程中,使用的是自动化的老化装载/卸载装置来将半导体器件装载至老化板上。然后将老化板装载至老化系统中,在所述老化系统中老化板连接至为半导体器件提供激励电源和信号的老化驱动器。此后,从老化系统卸载老化板,然后藉由老化装载/卸载装置从老化板卸载半导体器件。
[0004]一般来说,有两种现有方法来将老化板装载至老化系统中或从老化系统卸载老化板 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于对半导体器件或集成电路实行老化过程的老化装置,所述老化装置包括:老化腔室,具有至少一个侧开口和至少一个基底开口;至少一个门或盖子,适于封闭所述侧开口;至少一个可互换框架,能够移动地穿过所述侧开口且能够可移除地对接于所述腔室中以封闭所述基底开口,所述至少一个可互换框架中的每个框架具有隔温基底和齿条,所述隔温基底具有第一侧和第二侧,所述齿条布置于所述隔温基底的所述第一侧处,其中当所述侧开口被封闭且所述至少一个可互换框架中的每个框架可移除地对接于所述腔室中时,所述隔温基底布置于所述腔室的所述基底开口处且邻接所述腔室以完成所述腔室的隔温,且所述齿条和所述隔温基底的所述第一侧位于所述腔室内部,而所述隔温基底的所述第二侧位于所述腔室外部。2.根据权利要求1所述的老化装置,其中所述腔室包括至少一个隔温侧元件,当所述至少一个可互换框架中的每个框架可移除地对接于所述腔室中时,所述至少一个隔温侧元件至少部分地沿著所述基底开口布置且适于邻接所述隔温基底。3.根据权利要求1至权利要求2中任一项所述的老化装置,其中所述至少一个可互换框架中的每个框架还包括:滑轮,是手动的或助力式的;或布置,适于与自主导引车(AGV)一起使用,其中所述滑轮或所述布置被布置于所述隔温基底的所述第二侧处。4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的老化装置,还包括:布置于所述隔温基底的所述第二侧处的电子电路系统,所述电子电路系统包括选自由通信电路系统、传感器、储存器装置和微处理器组成的群组中的一者或更多者,且被配置成至少当所述至少一个框架可移除地对接于所述腔室中且所述腔室中发生老化过程时发送和/或接收信号。5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的老化装置,其中所述至少一个框架包括两个或更多个框架,并且其中所述两个或更多个框架中的至少一者装载有老化板,并且其中所述两个或更多个框架中的至少另一者不具有老化板。6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的老化装置,还包括:布置于所述腔室外部的多个第二框架,其中所述至少一个框架能够与所述第二框架中的至少一者互换。7.一种方法,包括:藉由使至少一个框架穿过腔室的侧开口移动至所述腔室中来将一组老化板转移至所述腔室中,其中所述至少一个框架中的每个框架包括隔温基底和齿条,所述齿条布置于所述隔温基底的第一侧处且支撑所述一组老化板;完成所述腔室的隔温,包括:藉由将所述至少一个框架对接于所述腔室中来封闭所述腔室的基底开口,所述将所述至少一个框架对接于所述腔室中是藉由以下方式进行:将所述至少一个框架中的每个框架的所述隔温基底布置于所述基底开口处且使所述隔温基底邻接所述腔室,使得所述齿条和所述隔温基底的所述第一侧位于所述腔室内部而所述隔温基底的第二侧位于所述腔室外部,以及封闭所述侧开口;以及对布置于所述一组老化板中的半导体器件实行老化过程。8.根据权利要求7所述的方法,还包括:解除所述腔室的所述隔温,包括:
敞开所述侧开口,以及藉由将所述至少一个框架从所述腔室分离来敞开所述基底开口;藉由使所述至少一个框架穿过所述侧开口移动出所述腔室来将所述一组老化板转移出所述腔室。9.根据权利要求8所述的方法,其中在将所述一组老化板转移出所述腔室之后,所述方法还包括:藉由使至少一个第二框架穿过所述腔室的所述侧开口移动至所述腔室中来将第二组老化板转移至所述腔室中,其中所述至少一个第二框架中的每个第二框架包括第二隔温基底和第二齿条,所述第二齿条布置于所述第二隔温基底的第一侧处且支撑所述第二组老化板;完成所述腔室的所述隔温,包括:藉由将所述至少一个第二框架对接于所述腔室中来封闭所述腔室的所述基底开口,所述将所述至少一个第二框架对接于所述腔室中是藉由以下方式进行:使所述第二隔温基底邻接所述腔室,使得所述第二齿条和所述第二隔温基底的所述第一侧位于所述腔室内部而所述第二隔温基底的第二侧位于所述腔室外部,以及藉由门或盖子封闭所述侧开口;以及对布置于由所述第二框架支撑的所述第二组老化板中的半导体器件实行所述老化过程。10.根据权利要求7至权利要求9中任一项所述的方法,其中封闭所述腔室的所述基底开口包括:使所述隔温基底邻接至少部分地沿著所述基底开口布置的至少一个隔温侧元件。11.根据权利要求8至权利要求9中任一项所述的方法,其中敞开所述腔室的所述基底开口包括:使所述隔温基底不邻接至少部分地沿著所述基底开口布置的至少一个隔...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈德发,刘俊漮,
申请(专利权)人:MSV系统与服务有限公司,
类型:发明
国别省市:
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