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半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架制造方法及图纸
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文档序号:34942616
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本公开内容是有关于用于进行半导体器件老化过程的老化装置、转移方法、老化腔室和老化装置的可互换框架。老化装置包括具有不完整基底的老化腔室,不完整基底适于与至少一个可互换框架的隔温基底协作而变完整且隔温,所述至少一个可互换框架适于可移除地移动至...
该专利属于MSV系统与服务有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过MSV系统与服务有限公司授权不得商用。
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