波导宽边宽带耦合电桥制造技术

本发明专利技术公开了一种波导宽边宽带耦合电桥，涉及耦合电桥技术领域。所述电桥包括上壳体、中间板以及下壳体，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，且所述第一波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的同一侧的长边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的另一侧的长边侧面上，所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。所述电桥具有结构简单，工作带宽宽等优点。工作带宽宽等优点。工作带宽宽等优点。

【技术实现步骤摘要】
波导宽边宽带耦合电桥


[0001]本专利技术涉及耦合电桥
，尤其涉及一种波导宽边宽带耦合电桥。

技术介绍

[0002]波导3dB电桥是雷达馈线，卫星地面站馈线及微波测试设备中广泛应用的微波元件。可分为窄边耦合和宽边耦合。窄边耦合型又可分为电容匹配型和电感匹配型。宽边耦合可分为无内导体型和有内导体型。对雷达与通信系统而言，系统输出功率的提高，意味着系统具有更大的作用半径以及更强的抗干扰能力。但是在毫米波频段产生的输出功率要受到器件制造工艺、阻抗匹配与器件热耗散的限制。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种结构简单，能够加宽工作带宽的波导宽边宽带耦合电桥。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述宽边耦合电桥的整体结构为长方体，包括长方体结构的上壳体、长方体结构的中间板以及长方体结构的下壳体，所述上壳体、中间板以及下壳体依次从上到下的固定到一起，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，且所述第一波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的同一侧的长边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的另一侧的长边侧面上，所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。
[0005]进一步的技术方案在于：所述上壳体的下表面形成有上第一耦合槽，与所述上第一耦合槽相对应的所述中间板的上表面形成有下第一耦合槽，所述上第一耦合槽与所述下第一耦合槽相对设置后构成所述第一波导耦合腔。
[0006]进一步的技术方案在于：所述上第一耦合槽与所述下第一耦合槽的整体结构为U型，且两个结构类似，上第一耦合槽的两端开口位于所述上壳体的前侧面上，所述下第一耦合槽的两端开口位于所述中间板的前侧面上，所述上第一耦合槽包括第一连接段、第二连接段以及第三连接段，第一连接段和第三连接段沿所述上壳体的短边方向设置，所述第二连接段沿所述上壳体的长边方向设置，所述第一连接段以及第三连接段的宽度首先保持不变后再逐渐减小再保持不变，所述第二连接段的宽度不变，所述第一连接段与第二连接段之间以及所述第二连接段与第三连接段之间通过倒圆角的形式进行连接。
[0007]进一步的技术方案在于：所述中间板的下表面形成有上第二耦合槽，与所述上第二耦合槽相对应的所述下壳体的上表面形成有下第二耦合槽，所述上第二耦合槽与所述下第二耦合槽相对设置后构成所述第二波导耦合腔，所述耦合孔位于所述下第一耦合槽的中间，且通过所述耦合孔使得所述下第一耦合槽与所述上第二耦合槽相连通。
[0008]进一步的技术方案在于：所述上第二耦合槽与所述下第二耦合槽的整体结构为U型，且两个结构类似，上第二耦合槽的两端开口位于所述中间板的后侧面上，所述下第二耦合槽的两端开口位于所述下壳体的后侧面上，所述下第二耦合槽包括第四连接段、第五连接段以及第六连接段，第四连接段和第六连接段沿所述下壳体的短边方向设置，所述第二连接段沿所述下壳体的长边方向设置，所述第四连接段以及第六连接段的宽度首先保持不变后再逐渐减小后再保持不变，所述第四连接段的宽度不变，所述第四连接段与第五连接段之间以及所述第五连接段与第六连接段之间通过倒圆角的形式进行连接。
[0009]进一步的技术方案在于：所述第一波导耦合腔体以及第二波导耦合腔体从两端开口向内延伸的部分采用缩窄内径的方式进行处理，使得两侧端部的腔体从外到内渐变缩小。
[0010]本专利技术还公开了一种波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述宽边耦合电桥的整体结构为长方体，包括长方体结构的上壳体、长方体结构的中间板以及长方体结构的下壳体，所述上壳体、中间板以及下壳体依次从上到下的固定到一起，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，所述第一波导耦合腔的两个端口分别位于矩形的宽边耦合电桥两侧的短边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口分别位于矩形的宽边耦合电桥两侧的短边侧面上；所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。
[0011]本专利技术还公开了一种波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述宽边耦合电桥的整体结构为长方体，包括长方体结构的上壳体、长方体结构的中间板以及长方体结构的下壳体，所述上壳体、中间板以及下壳体依次从上到下的固定到一起，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，所述第一波导耦合腔的两个端口中的一个端口位于矩形的宽边耦合电桥的一个短边侧面上，另一个端口位于矩形的宽边耦合电桥的一个长边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口中的一个端口位于矩形的宽边耦合电桥的一个短边侧面上，另一个端口位于矩形的宽边耦合电桥的一个长边侧面上；所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。
[0012]采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本申请所述电桥结构中采用了宽边（宽边是指矩形电桥的长）耦合， 且波导腔由标准波导尺寸过渡到小波导尺寸（腔体的内径逐渐减小）， 可以加宽工作带宽， 大大超过传统电桥的频带宽度。通过控制耦合孔的尺寸，数量及排布方式，可将耦合度，方向性，相位和幅度平坦度等指标达到良好的状态。此外，本申请中两个耦合波导腔体中宽边部分的上下重叠设置，因此减小了所述耦合电桥的宽度，进而可以缩小其尺寸。
附图说明
[0013]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0014]图1是本专利技术实施例一所述耦合电桥内部的第一波导耦合腔和第二波导耦合腔的
结构示意图；图2是本专利技术实施例一所述耦合电桥内部的第一波导耦合腔和第二波导耦合腔的透视结构示意图；图3是本专利技术实施例一所述耦合电桥的透视结构示意图；图4是本专利技术实施例一所述耦合电桥的透视结构示意图；图5是本专利技术实施例一所述耦合电桥的透视结构示意图；图6是本专利技术实施例一所述耦合电桥的立体结构示意图；图7是本专利技术实施例一所述耦合电桥的侧视结构示意图；图8是本专利技术实施例一所述耦合电桥中中间板的结构示意图；图9是本专利技术实施例一所述耦合电桥中上壳体（下壳体）的结构示意图；图10是本专利技术实施例一所述耦合电桥的分解结构示意图；图11是本专利技术实施例二所述耦合电桥内部的第一波导耦合腔和第二波导耦合腔的结构示意图；图12是本专利技术实施例三所述耦合电桥内部的第一波导耦合腔和第二波导耦合腔的结构示意图；图13是本专利技术实施例四所述耦合电桥内部的第一波导耦合腔和第二波导耦合腔的结构示意图；其中：1、上壳体；2、中间板；3、下壳体；4、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述宽边耦合电桥的整体结构为长方体，包括长方体结构的上壳体（1）、长方体结构的中间板（2）以及长方体结构的下壳体（3），所述上壳体（1）、中间板（2）以及下壳体（3）依次从上到下的固定到一起，所述上壳体（1）与中间板（2）之间形成有第一波导耦合腔，且所述第一波导耦合腔（4）的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的同一侧的长边侧面上，所述中间板（2）与下壳体（3）之间形成有第二波导耦合腔（5），且所述第二波导耦合腔（5）的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的另一侧的长边侧面上；所述第一波导耦合腔（4）与第二波导耦合腔（5）的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体（4）与第二波导耦合腔体（5）之间通过位于中间板（2）上的耦合孔（6）进行耦合连通。2.如权利要求1所述的波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述上壳体（1）的下表面形成有上第一耦合槽（7），与所述上第一耦合槽（7）相对应的所述中间板（2）的上表面形成有下第一耦合槽（8），所述上第一耦合槽（7）与所述下第一耦合槽（8）相对设置后构成所述第一波导耦合腔（4）。3.如权利要求2所述的波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述上第一耦合槽（7）与所述下第一耦合槽（8）的整体结构为U型，且两个结构类似，上第一耦合槽（7）的两端开口位于所述上壳体（1）的前侧面上，所述下第一耦合槽（8）的两端开口位于所述中间板（2）的前侧面上，所述上第一耦合槽（7）包括第一连接段（7
‑
1）、第二连接段（7
‑
2）以及第三连接段（7
‑
3），第一连接段（7
‑
1）和第三连接段（7
‑
3）沿所述上壳体（2）的短边方向设置，所述第二连接段（7
‑
2）沿所述上壳体（2）的长边方向设置，所述第一连接段（7
‑
1）以及第三连接段（7
‑
3）的从外到内的宽度首先保持不变，再逐渐减小，最后保持不变；所述第二连接段（7
‑
2）的宽度不变，所述第一连接段（7
‑
1）与第二连接段（7
‑
2）之间以及所述第二连接段（7
‑
2）与第三连接段（7
‑
3）之间通过倒圆角的形式进行连接。4.如权利要求2所述的波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述中间板（2）的下表面形成有上第二耦合槽（9），与所述上第二耦合槽（9）相对应的所述下壳体（3）的上表面形成有下第二耦合槽（10），所述上第二耦合槽（9）与所述下第二耦合槽（10）相对设置后构成所述第二波导耦合腔（5），所述耦合孔（6）位于所述下第一耦合槽（8）的中间，且通过所述耦合孔（6）使得所述下第一耦合槽（7）与所述上第二耦合槽（9）相连通。5.如权利要求4所述的波导宽边宽带耦合电桥，其特征在于：所述上第二耦合槽（9）与所述下第二耦合槽（10）的整体结构为U型，且两个结构类似，上第二耦合槽（9）的两端开口位于所述中间板（2）的后侧面上，所述下第二耦合槽（10）的两端开口位于所述下壳体（3）的后侧面上，所述下第二耦合槽（10）包括第四连接段（10
‑
1）、第五连接段（10
‑
2）以及第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡南，谢文青，刘建睿，刘爽，赵丽新，
申请(专利权)人：北京星英联微波科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：