晶圆级芯片封装方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆级芯片封装方法，包括沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙，刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面，刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构，沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆，研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离，无需通过划片刀进行横向切割和纵向切割，极大的降低了成本。极大的降低了成本。极大的降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种晶圆级芯片封装方法。

技术介绍

[0002]现有技术中晶圆封装进行切割时，通常使用划片刀进行纵方向切割和横方向切割，切割次数大，成本很高。
[0003]因此，有必要提供一种新型的晶圆级芯片封装方法以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆级芯片封装方法，以降低成本。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的所述晶圆级芯片封装方法，包括：
[0006]提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片，且所述芯片包括若干触点，所述芯片之间开设有深沟槽结构；
[0007]沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙；
[0008]刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面；
[0009]刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构；
[0010]沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆；
[0011]研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离。
[0012]所述晶圆级芯片封装方法的有益效果在于：沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙，刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面，刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构，沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆，研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离，无需通过划片刀进行横向切割和纵向切割，极大的降低了成本。
[0013]可选地，执行所述研磨所述待分割晶圆的底面之前，还包括：
[0014]在所述待分割晶圆的顶面覆盖一层保护膜，然后将所述待分割晶圆翻转。
[0015]可选地，执行所述然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离之后，还包括：
[0016]沉积一层封装材料，以覆盖若干所述芯片的底面和侧面；
[0017]通过所述保护膜的张力，使若干所述芯片分离。
[0018]可选地，所述保护膜为胶带或UV膜。
[0019]可选地，所述封装材料包括聚酰亚胺。
[0020]可选地，执行所述研磨所述待分割晶圆的底面之前，还包括：
[0021]刻蚀所述封装材料，以暴露若干所述触点的部分顶面。
[0022]可选地，所述研磨所述待分割晶圆的底面，包括：
[0023]研磨所述待分割晶圆的顶面，直至能够通过酸槽或镭射切割将若干所述芯片分离。
附图说明
[0024]图1为本专利技术的圆级芯片封装方法的流程图；
[0025]图2为本专利技术一些实施例中晶圆的结构示意图；
[0026]图3为本专利技术一些实施例中第一中间结构的示意图；
[0027]图4为本专利技术一些实施例中第二中间结构的示意图；
[0028]图5为本专利技术一些实施例中第三中间结构的示意图；
[0029]图6为本专利技术一些实施例中第四中间结构的示意图；
[0030]图7为本专利技术一些实施例中第五中间结构的示意图；
[0031]图8为本专利技术一些实施例中第六中间结构的示意图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0033]针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种晶圆级芯片封装方法。参照图1，所述晶圆级芯片封装方法包括以下步骤：
[0034]S0：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片，且所述芯片包括若干触点，所述芯片之间开设有深沟槽结构；
[0035]S1：沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙；
[0036]S2：刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面；
[0037]S3：刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构；
[0038]S4：沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆；
[0039]S5：研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离。
[0040]一些实施例中，执行所述研磨所述待分割晶圆的底面之前，还包括：在所述待分割晶圆的顶面覆盖一层保护膜，然后将所述待分割晶圆翻转。
[0041]一些实施例中，执行所述然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离之后，还包括：沉积一层封装材料，以覆盖若干所述芯片的底面和侧面；
[0042]通过所述保护膜的张力，使若干所述芯片分离。
[0043]一些实施例中，所述保护膜为胶带或UV膜。
[0044]一些实施例中，所述封装材料包括聚酰亚胺。
[0045]一些实施例中，执行所述研磨所述待分割晶圆的底面之前，还包括：刻蚀所述封装材料，以暴露若干所述触点的部分顶面。刻蚀所述封装材料时，先涂覆光刻胶，然后对光刻胶进行曝光，以得到光刻胶图案，以光刻胶图案为掩膜刻蚀所述封装材料，以暴露若干所述触点的部分顶面。
[0046]一些实施例中，所述研磨所述待分割晶圆的底面，包括：研磨所述待分割晶圆的顶面，直至能够通过酸槽或镭射切割将若干所述芯片分离。
[0047]图2为本专利技术一些实施例中晶圆的结构示意图。参照图2，所述晶圆包括两个芯片，两个所述芯片包括第一芯片100和第二芯片(图中未示出)，且所述第一芯片包括四个触点101，所述第一芯片100和所述第二芯片之间开设有深沟槽结构200。
[0048]图3为本专利技术一些实施例中第一中间结构的示意图。参照图2和图3，在所述晶圆上沉积保护层300，以覆盖所述深沟槽结构200的顶面、若干所述触点101的顶面，以及填充所述若干触点101之间的空隙，以形成第一中间结构。
[0049]图4为本专利技术一些实施例中第二中间结构的示意图。参照图3和图4，在所述第一中间结构的基础上，刻蚀所述保护层300以暴露所述深沟槽结构200的顶面和所述触点101的顶面，以得到第二中间结构。
[0050]一些实施例中，在刻蚀时，可以先沉积光刻胶，然后对光刻胶进行曝光，以形成光刻胶图案，以光刻胶图案为掩膜刻蚀所述保护层，从而暴露所述深本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片，且所述芯片包括若干触点，所述芯片之间开设有深沟槽结构；沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙；刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面；刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构；沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆；研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，执行所述研磨所述待分割晶圆的底面之前，还包括：在所述待分割晶圆的顶面覆盖一层保护膜，然后将所述待分割晶圆翻转。3.根据权利要求2所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子伦，
申请(专利权)人：苏州聚谦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：