含半导体纳米粒子的组合物、彩色滤光片及图像显示装置制造方法及图纸

提供可形成对激发光高效地进行波长变换，展示充分的发光强度的波长变换层的含半导体纳米粒子的组合物。本发明专利技术的含半导体纳米粒子的组合物的一个方式，其特征在于，含有半导体纳米粒子(A)和色素(B)，进一步含有聚合性化合物(C)，所述半导体纳米粒子(A)在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素(B)含有从具有特定结构的色素(B1)～(B5)中选择的至少1个。构的色素(B1)～(B5)中选择的至少1个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含半导体纳米粒子的组合物、彩色滤光片及图像显示装置


[0001]本专利技术涉及含半导体纳米粒子的组合物、彩色滤光片及图像显示装置。本申请基于2020年2月10日在日本申请的特愿2020
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020428号、2020年3月23日在日本申请的特愿2020
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050698号、2020年3月23日在日本申请的特愿2020
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050699号、2020年4月7日在日本申请的特愿2020
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068974号及2020年6月17日在日本申请的特愿2020
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104194号主张优先权，在此引用其内容。

技术介绍

[0002]液晶显示装置等显示屏作为耗费电力少、省空间的图像显示装置，其用途逐年扩展，近年，需要进一步的省电力化，提高色彩还原性。
[0003]由于这样的背景，为了提高光利用效率，提高色彩还原性，提出了利用波长变换层，其包含变换入射光波长而发光的量子点、量子棒、其他无机荧光体粒子等半导体纳米粒子作为发光材料。
[0004]通常，将这样的量子点等半导体纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有半导体纳米粒子A和色素B的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述含半导体纳米粒子的组合物进一步含有聚合性化合物C，所述半导体纳米粒子A在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素B含有从以下色素B1～B5构成的群中选择的至少1个，具有下述通式[I]表示的部分结构的色素B1，【化1】通式[I]中，X表示O原子或S原子，Z表示CR2或N原子，R1和R2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键；下述通式[II]表示的色素B2，【化2】通式[II]中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，R1和R2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基；下述通式[III]表示的分支度总数为3以上的色素B3，【化3】
通式[III]中，R
11
、R
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、R
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和R
41
各自独立地表示氢原子或任意取代基；这里，R
11
、R
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、R
31
和R
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中的1个以上为下述通式[IIIa]表示的基团，【化4】通式[IIIa]中，R5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，R
12
、R
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、R
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、R
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、R
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、R
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和R
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各自独立地表示氢原子或任意取代基；具有香豆素骨架、分支度总数为3以上的色素B4，及下述通式[V]表示的色素B5，【化5】通式[V]中，X表示C
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*或N，*表示结合键，R1、R2各自独立地表示氟原子或氰基。2.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有半导体纳米粒子A和色素B的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述含半导体纳米粒子的组合物还含有光散射性粒子，所述半导体纳米粒子A在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素B含有从由以下色素B1～B5构成的群中选择的至少1个，具有下述通式[I]表示的部分结构的色素B1，【化6】
通式[I]中，X表示O原子或S原子，Z表示CR2或N原子，R1和R2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键；下述通式[II]表示的色素B2，【化7】通式[II]中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，R1和R2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基；下述通式[III]表示的分支度总数为3以上的色素B3，【化8】通式[III]中，R
11
、R
21
、R
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和R
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各自独立地表示氢原子或任意取代基；这里，R
11
、R
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、R
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和R
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中的1个以上为下述通式[IIIa]表示的基团，【化9】
通式[IIIa]中，R5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，R
12
、R
13
、R
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、R
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、R
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、R
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、R
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和R
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各自独立地表示氢原子或任意取代基；具有香豆素骨架、分支度总数为3以上的色素B4，及下述通式[V]表示的色素B5，【化10】通式[V]中，X表示C
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*或N，*表示结合键，R1、R2各自独立地表示氟原子或氰基。3.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子A和色素B的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素B含有具有下述通式[I]表示的部分结构的色素B1，【化11】通式[I]中，X表示O原子或S原子，Z表示CR2或N原子，R1和R2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键。4.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子A和色素B的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素B含有下述通式[II]表示的色素B2，【化12】
通式[II]中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，R1和R2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基。5.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子A和色素B的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素B含有下述通式[III]表示的分支度总数为3以上的色素B3，【化13】通式[III]中，R
11
、R
21
、R
31
和R
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各自独立地表示氢原子或任意取代基，这里，R
11
、R
21
、R
31
和R
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中的1个以上为下述通式[IIIa]表示的基团；【化14】通式[IIIa]中，R5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，R
12
、R
13
、R
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、R
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、R
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、R
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、R
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和R

【专利技术属性】
技术研发人员：石井洸毅，西村政昭，藤原崇志，谷口智隆，服部繁树，平冈紫阳，志贺靖，稻垣裕子，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：