【技术实现步骤摘要】
检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法
[0001]本专利技术涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法。
技术介绍
[0002]在半导体产品的开发过程中，车间检测图形不良是产品质量监控很重要的环节。随着存储器、非存储器半导体的制造工艺逐渐变得微型化、高难度化，对检测技术的要求随着提高，尤其是细微缺陷需要匹配更高难度的检测工艺。但是，随着设备结构的多元化，不良的种类、发生领域也多种多样，仅靠单纯的提高检查器光源的性能无法解决问题，铜等金属深处的孔洞等不良就属于此类。
[0003]为此，提出本专利技术。
技术实现思路
[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法，该方法通过增加热退火处理使深处填充的金属中的孔洞转变为易检测的状态，从而提供更准确的检测结果。
[0005]为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案。
[0006]一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法，包括：
[0007]在半导体结构中形成金属填充物；
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测半导体结构中金属孔洞缺陷的方法，其特征在于，包括：在半导体结构中形成金属填充物；对所述金属填充物进行第一次亮场检测；对所述金属填充物进行快速热退火处理；对快速热退火处理后的所述金属填充物进行第二次亮场检测；分析所述第一次亮场检测和所述第二次亮场检测的数据，获得所述金属填充物的孔洞缺陷分布。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属包括铜。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热退火处理的温度在450℃以上。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述分析的过程为：在所述第二次...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴在晚，金德容，吴容哲，余嘉晗，曲扬，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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