本申请涉及一种闪存集中控制方法、装置、控制芯片及存储介质，应用在芯片设计领域，其中方法包括：I/O单元接收到外部指令时，将外部指令发送至数字逻辑单元；数字逻辑单元将外部指令发送至控制器单元；控制器单元对外部指令进行解析得到外部操作码并将外部操作码与标准库中的标准操作码进行对比；若存在有与外部操作码一致的标准操作码，则在标准库中查找与标准操作码对应的操作指令，并将操作指令发送至数字逻辑单元；数字逻辑单元在接收到操作指令时，根据身份信息将操作信息对应发送至NAND Flash或NOR Flash。本申请具有的技术效果是：同一块SPI芯片可以同时具有NAND和NOR功能，使得客户使用的控制芯片可以不再区分NOR与NAND的产品。的产品。
【技术实现步骤摘要】
闪存集中控制方法、装置、控制芯片及存储介质
[0001]本申请涉及芯片设计的
，尤其是涉及一种闪存集中控制方法、装置、控制芯片及存储介质。
技术介绍
[0002]NOR Flash器件属于非易失闪存的一种，其特点是芯片内执行，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，从而使其具有较高的传输效率。是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND Flash被证明极具吸引力。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。
[0003]目前市面上有SPI
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NOR Flash与SPI
‑
NAND Flash两种不同类型的产品，虽然两者的应用领域类似，但是因为NAND Flash与NOR Flash的特性不同，因此厂商会在同一电路板上放置两种独立的芯片来做产品的储存应用。
[0004]在实现本申请的过程中，专利技术人发现该技术中至少存在如下问题：用户在使用SPI闪存时，为了区分NOR Flash与NAND Flash产品，需要同时设置两种SPI芯片，增加了电路的复杂程度。
技术实现思路
[0005]为了实现在一个芯片上具有NOR与NAND两种功能，本申请提供的一种闪存集中控制方法、装置、控制芯片及存储介质。
[0006]第一方面，本申请提供一种闪存集中控制方法，采用如下的技术方案：所述闪存集中控制方法应用于控制芯片，所述方法包括：所述I/O单元接收到来自外部设备的外部指令时，将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元；所述数字逻辑单元在接收到所述外部指令时，对所述外部指令的合法性进行判断；若所述外部指令合法，则将所述外部指令发送至所述控制器单元；所述控制器单元在接收到所述外部指令时对所述外部指令进行解析得到外部操作码；所述控制器单元将所述外部操作码与预设的标准库中的标准操作码进行对比；若存在有与所述外部操作码一致的标准操作码，则所述控制器单元在预设的标准库中根据所述标准操作码查找与所述标准操作码对应的操作指令，所述操作指令包括与NAND Flash和NOR Flash对应的身份信息以及操作信息，并将所述操作指令发送至所述数字逻辑单元；所述数字逻辑单元在接收到所述操作指令时，根据所述操作指令中的所述身份信息将所述操作信息对应发送至所述NAND Flash或所述NOR Flash。
[0007]通过上述技术方案，控制芯片上的I/O单元接收到外部指令，控制器单元对外部指令进行解析得到外部操作码，外部操作码包括与NAND Flash和NOR Flash对应的身份信息
和操作信息，数字逻辑单元根据身份信息将操作信息对应发送至NAND Flash或NOR Flash；以便于控制器单元和数字逻辑单元可以在同一块芯片上集中控制NAND Flash和NOR Flash，从而达到了使得同一块SPI芯片可以同时具有NAND和NOR功能的效果，使得客户使用的控制芯片可以不再区分NOR与NAND的产品。
[0008]在一个具体的可实施方案中，所述数字逻辑单元包括状态标识位；所述状态标识位包括空闲状态或忙碌状态；所述将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元包括：所述I/O单元查询所述数字逻辑单元的所述状态标识位；若所述状态标识位为忙碌状态，则所述I/O单元持续查询所述状态标识位；若所述状态标识位为空闲状态，则所述I/O单元将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元。
[0009]通过上述技术方案，I/O单元在将外部指令发送至数字逻辑单元前，会查询数字逻辑单元的状态标识位；若状态标识位显示为空闲状态，I/O单元将外部指令发送至数字逻辑单元；若状态标识位显示为忙碌状态，I/O单元会持续查询数字逻辑单元的状态标识位，直至状态标识位显示为空闲状态。减少了在数字逻辑单元忙碌时，I/O单元向数字逻辑单元发送外部指令的可能性，进而降低了因数字逻辑单元无法接收外部指令导致外部指令丢失的可能性。
[0010]在一个具体的可实施方案中，所述方法还包括：所述数字逻辑单元在接收到所述外部指令时，将所述状态标识位修改为忙碌状态。
[0011]通过上述技术方案，数字逻辑单元一旦接收到外部指令，就将状态标识位修改为忙碌状态；有助于数字逻辑单元在对外部指令进行合法性判断时，不再接收其他外部指令，继而使得不会有其他外部指令干扰数字逻辑单元，进而提高了数字逻辑单元的工作效率。
[0012]在一个具体的可实施方案中，所述对所述外部指令的合法性进行判断，包括：所述数字逻辑单元将所述外部指令与预设的指令库中的比对指令进行比对；若存在有与所述外部指令一致的所述比对指令，则判定所述外部指令合法；通过上述技术方案，数字逻辑单元通过将外部指令与预设的指令库中的比对指令进行比对来对外部指令的合法性进行判断，有助于减少因外部指令为非法指令而导致后续解析失误的可能性，由于已经提前对外部指令的合法性进行了判断，发送至控制器单元上的外部指令均为合法指令，减少了因外部指令为非法指令而导致控制器单元解析失败的问题的发生，进而尽量避免了控制器单元的资源浪费问题。
[0013]在一个具体的可实施方案中，所述方法还包括：在所述数字逻辑单元将所述外部指令发送至所述控制器单元时，所述数字逻辑单元将所述状态标识位修改为空闲状态。
[0014]通过上述技术方案，数字逻辑单元在判断完一条指令的合法性并将该外部指令发送至控制器单元后，可以接收其他的外部指令，有助于提高数字逻辑单元的工作效率以及资源利用率。
[0015]在一个具体的可实施方案中，所述根据所述操作指令中的所述身份信息将所述操作信息发送至所述NAND Flash或所述NOR Flash，具体包括：所述数字逻辑单元根据所述身份信息，查询所述NAND Flash或所述NOR Flash的
状态；若所述NAND Flash或所述NOR Flash为空闲状态，则将所述操作信息发送至处于空闲状态的所述NAND Flash或所述NOR Flash；否则，所述数字逻辑单元持续查询所述NAND Flash或所述NOR Flash的状态。
[0016]通过上述技术方案，数字逻辑单元在将操作信息发送给NAND Flash或NOR Flash时，首先会查询NAND Flash或NOR Flash的状态，仅在NAND Flash或NOR Flash状态位空闲时，才会根据身份信息将操作信息发送至NAND Flash或NOR Flash，减少了由于NAND Flash或NOR Flash处于被占用的状态的同时，接收到数字逻辑单元发送的操作信息，继而导致NAND Flash或NOR Flash无法及时响应，或操作信息丢失的可能，从而进一步提高了控制芯片的可靠性。
[0017]在一个具体的可实施方案中，在所述根据所述操作指令中的所述身份信息将所述操作信息对应发送至所述NAND Flash或所述NOR Flash后，还包括：在所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存集中控制方法，其特征在于，所述闪存集中控制方法应用于控制芯片，所述控制芯片包括I/O单元、数字逻辑单元、控制器单元以及NOR Flash和NAND Flash，所述方法包括：所述I/O单元接收到来自外部设备的外部指令时，将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元；所述数字逻辑单元在接收到所述外部指令时，对所述外部指令的合法性进行判断；若所述外部指令合法，则将所述外部指令发送至所述控制器单元；所述控制器单元在接收到所述外部指令时对所述外部指令进行解析得到外部操作码；所述控制器单元将所述外部操作码与预设的标准库中的标准操作码进行对比；若存在有与所述外部操作码一致的标准操作码，则所述控制器单元在预设的标准库中根据所述标准操作码查找与所述标准操作码对应的操作指令，所述操作指令包括与NAND Flash和NOR Flash对应的身份信息以及操作信息，并将所述操作指令发送至所述数字逻辑单元；所述数字逻辑单元在接收到所述操作指令时，根据所述操作指令中的所述身份信息将所述操作信息对应发送至所述NAND Flash或所述NOR Flash。2.根据权利要求1所述的闪存集中控制方法，其特征在于，所述数字逻辑单元包括状态标识位；所述状态标识位包括空闲状态或忙碌状态；所述将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元包括：所述I/O单元查询所述数字逻辑单元的所述状态标识位；若所述状态标识位为忙碌状态，则所述I/O单元持续查询所述状态标识位；若所述状态标识位为空闲状态，则所述I/O单元将所述外部指令发送至所述数字逻辑单元。3.据权利要求2所述的闪存集中控制方法，其特征在于，所述方法还包括：所述数字逻辑单元在接收到所述外部指令时，将所述状态标识位修改为忙碌状态。4.据权利要求1所述的闪存集中控制方法，其特征在于，所述对所述外部指令的合法性进行判断，包括：所述数字逻辑单元将所述外部指令与预设的指令库中的比对指令进行比对；若存在有与所述外部指令一致的所述比对指令，则判定所述外部指令合法。5.根据权利要求2所述的闪存集中控制方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述数字逻辑单元将所述外部指令发送至所述控制器单元时，所述数字逻辑单元将所述状态标识位修改为空闲状态。6.根据权利要求1所述的闪存集中控制方法，其特征在于，所述根据所述操作指令中的所述身份信息将所述操作信息发送至所述NAND Flash或所述NOR Flash，具体包括：所述数字逻辑单元根据所述身份信息，查询所述NAND Flash或所述NOR Flash的状态；若所述NAND Flash或所述NOR Flash为空闲状态...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄欢，
申请(专利权)人：南京扬贺扬微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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