一种横向激励的薄膜体声波谐振器及滤波器制造技术

本发明专利技术涉及谐振器技术领域，特别涉及一种横向激励的薄膜体声波谐振器及滤波器。包括：基底、键合层、压电薄膜层和激励电极；基底用于支撑压电薄膜层；压电薄膜层包括相对的第一表面和第二表面，键合层将第二表面与基底连接在一起；激励电极包括多个子电极，子电极设置在压电薄膜层中；子电极的一端露出第一表面。该横向激励的薄膜体谐振器的结构，将激励横向电场的电极完全设置于压电薄膜内部，避免纵向电场分量的形成以及提高横向电场的均匀性，减少杂散声波模式出现，使其阻抗响应曲线更加平滑。滑。滑。

【技术实现步骤摘要】
一种横向激励的薄膜体声波谐振器及滤波器


[0001]本专利技术涉及谐振器
，特别涉及一种横向激励的薄膜体声波谐振器及滤波器。

技术介绍

[0002]随着无线终端多功能化技术的发展，对频率器件提出了微型化、低功耗、低成本、高性能的要求。相较于传统技术的滤波器，薄膜体声波滤波器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)以其在高频应用下的优势成为当今5G技术万众瞩目的焦点，FBAR具有较低的插入损耗、高的矩形系数等优势，因此被广泛应用在当今无线通讯系统当中。FBAR谐振器同时具有对外界环境因素的频率敏感性，可以根据其频率的变化反应外界条件的改变，可用作生物化学、医学诊断以及环境监测等传感器领域。
[0003]但随着滤波器所需频率逐渐升高，且工作带宽也逐渐加大，基于AlN的FBAR谐振器设计显然有些吃力，需要完美的单晶AlN或高Sc掺杂含量的AlN才有可能满足数百兆带宽的滤波器需求，其中也存在许多待解决的技术问题。现阶段，由美国公司(Resonant)领先提出的横向激励体声波谐振器(XBAR)研究火热。XBAR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：基底(1)、键合层(4)、压电薄膜层(2)和激励电极(3)；所述基底(1)用于支撑所述压电薄膜层(2)；所述压电薄膜层(2)包括相对的第一表面和第二表面，所述键合层(4)将所述第二表面与所述基底(1)连接在一起；所述激励电极(3)包括多个子电极，所述子电极设置在所述压电薄膜层(2)中；所述子电极的一端露出所述第一表面。2.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层(2)具有有效谐振区域，所述子电极设置在所述有效谐振区域内；所述基底(1)与所述压电薄膜层(2)之间设有声学反射镜，所述声学反射镜至少包括空气、布拉格反射镜。3.根据权利要求2所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述子电极在所述有效谐振区域内呈周期性分布。4.根据权利要求3所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，相邻所述子电极之间的间距根据第一预设函数设置。5.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述子电极在所述压电薄膜层(2)中形成第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置在所述第一表面，所述第二电极层设置在所述第二表面；所述第一电极层包括多个所述子电极连接形成多个互相平行的第一电极桥；所述第二电极层包括多个所述子电极连接形成多个互相平行的第二电极桥；所述第一电极桥与所述第二电极桥在水平面上的投影互相垂直。6.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述子电极的高度与所述压电薄膜层(2)的厚度相等。7.根据权利要求6所述的横向激励的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：马宏，
申请(专利权)人：觉芯电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：