本实用新型专利技术提供一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，包括框架和连接在框架上的封装体，封装体上设有芯片腔和与芯片腔连通的滤光片腔，滤光片腔位于芯片腔上远离框架的一侧，芯片和滤光片分别安装在芯片腔和滤光片腔中，芯片与滤光片之间设有第一隔离膜，第一隔离膜上设有开窗结构，开窗结构与芯片上的感光区域相对应。本实用新型专利技术中，芯片与滤光片之间通过第一隔离膜实现隔离，这种隔离方式使得封装体上无需设置隔离槽也能实现芯片与滤光片之间的隔离，从而有效简化了封装体的结构，降低了封装模具的设计难度以及制造成本，同时也降低了工艺要求，也有利于降低单个传感器的生产成本。器的生产成本。器的生产成本。
【技术实现步骤摘要】
近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构
[0001]本技术涉及芯片封装
，特别涉及一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构。
技术介绍
[0002]直接飞行时间测距原理是通过计算近红外激光的飞行时间来确定距离信息。飞行时间传感器芯片的封装机构设计需要在其感光区域挖孔开窗，并且使用近红外带通滤光片将开窗区域封住，使其成为针对于红外激光的飞行时间传感器。SPAD传感器作为光电探测传感器，最重要的是在封装形式上，应尽量减少封装对红外光透过率的影响，保证SPAD传感器的探测效率。
[0003]如附图5所示，现有的QFN封装结构具体包括封装体，封装体上设有用于安装芯片1的芯片腔和用于安装滤光片2的滤光片腔，滤光片腔位于芯片腔的一侧，在实际封装时，要求芯片与滤光片之间需要有一定的间隔距离，间隔距离一般为100
‑
200um之间，为了使芯片与滤光片之间达到间隔设置的目的，封装体上的芯片腔和滤光片腔之间设有隔离槽13，隔离槽13的宽度小于芯片腔和滤光片腔的宽度，隔离槽与芯片腔之间、隔离槽与滤光片之间均形成台阶面，芯片和滤光片均与台阶面相抵靠，从而使芯片与滤光片形成间距，芯片与滤光片之间的间隔距离与间隔槽的厚度相等。
[0004]现有的这种封装结构存在的不足之处在于：由于需要在封装体上的芯片腔和滤光片腔之间设计出隔离槽，且隔离槽的厚度需要控制在100
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200um之间，这样对工艺要求较高，大大增加了封装模具的制造难度，封装模具的制造成本也随之增加，这些增加的开模成本会分摊到生产的每一个传感器上，导致传感器的单个成本上升。
技术实现思路
[0005]本技术的目的是解决现有的QFN封装结构中，由于需要在封装体上的芯片腔和滤光片腔之间设计出隔离槽，且隔离槽的厚度需要控制在100
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200um之间，对工艺要求较高，大大增加了封装模具的制造难度，封装模具的制造成本也随之增加的问题，提供一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，能够有效解决上述问题。
[0006]本技术的目的是通过如下技术方案实现的：一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，包括框架和连接在框架上的封装体，封装体上设有芯片腔和与芯片腔连通的滤光片腔，滤光片腔位于芯片腔上远离框架的一侧，芯片和滤光片分别安装在芯片腔和滤光片腔中，芯片与滤光片之间设有第一隔离膜，第一隔离膜上设有开窗结构，开窗结构与芯片上的感光区域相对应。
[0007]作为优选，所述第一隔离膜为DAF膜。
[0008]作为优选，第一隔离膜的厚度为100
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200um。
[0009]作为优选，芯片与框架之间设有第二隔离膜。
[0010]作为优选，所述第二隔离膜为DAF膜。
[0011]作为优选，所述框架上设有填充孔，封装体上设有填充部，填充部嵌入填充孔中。
[0012]作为优选，所述框架上设有电极片，芯片通过引线与电极片相连。
[0013]作为优选，所述引线为金线。
[0014]作为优选，所述引线的直径为0.8
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1mil。
[0015]本技术的有益效果是：本技术中，芯片与滤光片之间通过第一隔离膜实现隔离，这种隔离方式使得封装体上无需设置隔离槽也能实现芯片与滤光片之间的隔离，从而有效简化了封装体的结构，降低了封装模具的设计难度以及制造成本，同时也降低了工艺要求，也有利于降低单个传感器的生产成本；第一隔离膜上设有开窗结构且开窗结构与芯片上的感光区域相对应，这样外界的光在穿过滤光片后能够直接被芯片上的感光区域接收，从而避免了第一隔离膜对芯片感光度的影响，保证了传感器的探测效率。
附图说明
[0016]图1为本技术的结构示意图。
[0017]图2为封装体的结构示意图。
[0018]图3为框架的结构示意图。
[0019]图4为第一隔离膜的结构示意图。
[0020]图5为现有的QFN封装结构的示意图。
[0021]图中：1、芯片，2、滤光片，3、封装体，4、框架，5、引线，6、电极片，7、第一隔离膜，8、透窗结构，9、第二隔离膜，10、芯片腔，11、滤光片腔，12、填充孔，13、隔离槽。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]本领域技术人员应理解的是，在本技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本技术的限制。
[0024]可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
[0025]如图1
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4所示，一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，包括框架4和连接在框架4上的封装体3。封装体3上设有芯片腔10和与芯片腔10连通的滤光片腔11，滤光片腔11位于芯片腔10上远离框架4的一侧，芯片1和滤光片2分别安装在芯片腔10和滤光片腔11中。本实施例中，框架4呈矩形板状结构，封装体3设置于框架4的一侧。
[0026]为了提高封装体3与框架4之间的结合度，在框架4上设置有填充孔12，封装体3上设有填充部，填充部嵌入填充孔12中，通过填充部与填充孔12相嵌合的方式，能够有效提高
封装体3与框架4之间的结合度。
[0027]芯片1与滤光片2之间设有第一隔离膜7，第一隔离膜7上设有开窗结构8，开窗结构8与芯片1上的感光区域相对应。其中，开窗结构8为矩形，其大小为1mm*1mm。芯片1与滤光片2同时与第一隔离膜7上的两个面贴合，芯片1与滤光片2之间的间隔距离即为第一隔离膜7的厚度。本实施例中，第一隔离膜7的厚度为100
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200um，从而将芯片1与滤光片2之间的间隔距离控制在100
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200um之间。优选的，第一隔离膜7为DAF膜。
[0028]芯片1与框架4之间设有第二隔离膜9。通过第二隔离膜9实现芯片1与框架4之间的隔离。优选的，第二隔离膜9为DAF膜。
[0029]框架4上设有电极片6，芯片1通过引线5与电极片6相连，电极片6设置在框架4的边缘位置。本实施例中，引线5为金线，引线的直径为0.8
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1mil。
[0030]传感器在具体封装时，其具本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，包括框架(4)和连接在框架(4)上的封装体(3)，其特征在于，封装体(3)上设有芯片腔(10)和与芯片腔(10)连通的滤光片腔(11)，滤光片腔(11)位于芯片腔(10)上远离框架(4)的一侧，芯片(1)和滤光片(2)分别安装在芯片腔(10)和滤光片腔(11)中，芯片(1)与滤光片(2)之间设有第一隔离膜(7)，第一隔离膜(7)上设有开窗结构(8)，开窗结构(8)与芯片(1)上的感光区域相对应。2.根据权利要求1所述的近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，其特征在于，所述第一隔离膜(7)为DAF膜。3.根据权利要求1所述的近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，其特征在于，第一隔离膜(7)的厚度为100
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200um。4.根据权利要求1所述的近红外激光飞行时间传感器的QFN封装结构，其特征在于，芯片(1)与框架...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁帅斌，
申请(专利权)人：杭州宇称电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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