一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置，涉及碳化硅生产技术领域，本发明专利技术包括装置板，所述装置板的顶部固定连接有装置筒，在装置筒的内部固定连接有储料筒，所述装置筒和储料筒之间形成空心腔，所述储料筒的顶部卡接有密封盖板，所述密封盖板的顶部、且远离中心位置和外边缘之间开设有施压连接口，所述空心腔的内部活动套接有第一环形稳固圈，在第一环形稳固圈内部的两端卡接有疏导管，通过向输水内盘输入所需温度的水流后，水流通过输水外盘将水流输送到输送管的内部，当进入到输送管内部的水流向环形支架管的内部输送，直至水流输送至疏导管的内部，从而实现可根据使用需求控制受热温度的效果。用需求控制受热温度的效果。用需求控制受热温度的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置


[0001]本专利技术属于碳化硅生产
，特别是涉及一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料碳化硅，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、抗辐射等领域，尤其是高温或强腐蚀性等恶劣环境中具有巨大的应用潜力，作为一种具有极高应用价值和广阔市场前景的半导体材料，随着单晶生长技术和外延薄膜生长技术的不断发展，已受到国内外半导体行业的极大关注，常用碳化硅晶体材料主要多以4H、6H晶型为主，生长2
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8英寸直径的晶柱，但是现有多数针对碳化硅进行生长的装置，在生长过程中并不能保证均匀受热的效果，同时加热温度控制精度不高，存在一定的缺陷。
[0003]因此，需要提供一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置，旨在解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置，通过稳压控制控温的碳化硅生长装置的设计，解决了现有的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于稳压控制控温的碳化硅生长装置，包括装置板(1)，其特征在于：所述装置板(1)的顶部固定连接有装置筒(2)，在装置筒(2)的内部固定连接有储料筒(3)，所述装置筒(2)和储料筒(3)之间形成空心腔(4)，所述储料筒(3)的顶部卡接有密封盖板(5)，所述密封盖板(5)的顶部、且远离中心位置和外边缘之间开设有施压连接口(6)，所述空心腔(4)的内部活动套接有第一环形稳固圈(7)，在第一环形稳固圈(7)内部的两端卡接有疏导管(8)，在疏导管(8)的两端卡接有稳固块(9)，所述疏导管(8)的尾端固定连接有疏导弯管(12)，所述稳固块(9)的侧部卡接有第二环形稳固圈(13)，在第二环形稳固圈(13)的内侧面固定连接有环形支架管(14)，在环形支架管(14)前端的两侧固定连接有输送管(15)，在输送管(15)的尾端固定连接有输水外盘(16)，在输水外盘(16)的内部卡接有输水内盘(17)，在输水内盘(17)侧部的四个方向角均开设有出水接口(18)，所述输水内盘(17)底部的两端开设有进水连接口(19)，所述储料筒(3)底部的中心位置固定连接有对接圈(20)，在对接圈(20)的内侧面卡接有螺旋杆(21)，所述螺旋杆(21)的底端固定连接有传动齿轮(22)，所述装置板(1)底部的右端固定连接有支撑杆(23)，在支撑杆(23)的底端卡接有转向杆(24)，在转向杆(24)的内部、且远离中部和尾端之间固定连接有传导电机(25)，在传导电机(25)的输出端活动套接有传导履带(26)，在传导履带(26)的内侧面活动套接有转动杆(27)，在转动杆(27)的侧部固定连接有驱动齿轮(28)，所述装置板(1)右端的内部固定连接有微型电机(29)，在微型电机(29)的输出端固定连接有第一传导齿轮(30)，在第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泓江，李斯，
申请(专利权)人：安徽德徽创芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：