一种宽阻带基片集成波导带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，包括方形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔的两侧均采用磁耦合方式级联有矩形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔和两个矩形QMSIW谐振腔构成L形谐振腔，两个矩形QMSIW谐振腔上均连接有拐角结构的微带线，两个微带线的拐角处平行靠近。本发明专利技术采用QMSIW谐振腔实现带通滤波器，设计结构简单，体积小，滤波器结构紧凑，并且可以通过调整拐角处的间距和长度，改变耦合强度，控制传输零点位置，从而可以增加下阻带的抑制速度，可以避免寄生通带产生，增大阻带宽度。宽度。宽度。

【技术实现步骤摘要】
一种宽阻带基片集成波导带通滤波器


[0001]本专利技术涉及一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，属于滤波器领域。

技术介绍

[0002]随着现代移动通信技术的发展，通信系统对滤波器的要求越来越高。随着工作频率的增加，传统波导滤波器寄生通带对带外抑制有严重影响，因此急需一种宽阻带抑制的滤波器。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，解决了
技术介绍
中披露的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，包括方形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔的两侧均采用磁耦合方式级联有矩形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔和两个矩形QMSIW谐振腔构成L形谐振腔，两个矩形QMSIW谐振腔上均连接有拐角结构的微带线，两个微带线的拐角处平行靠近。
[0005]方形QMSIW谐振腔和矩形QMSIW谐振腔均为介质基片上开设的金属化过孔、堆叠在介质基片上的顶层金属层和堆叠在介质基片下的底层金属层构成；方形QMSIW谐振腔的金属化过孔排列成方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，其特征在于，包括方形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔的两侧均采用磁耦合方式级联有矩形QMSIW谐振腔，方形QMSIW谐振腔和两个矩形QMSIW谐振腔构成L形谐振腔，两个矩形QMSIW谐振腔上均连接有拐角结构的微带线，两个微带线的拐角处平行靠近。2.根据权利要求1所述的一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，其特征在于，方形QMSIW谐振腔和矩形QMSIW谐振腔均为介质基片上开设的金属化过孔、堆叠在介质基片上的顶层金属层和堆叠在介质基片下的底层金属层构成；方形QMSIW谐振腔的金属化过孔排列成方形，矩形QMSIW谐振腔的金属化过孔排列成矩形。3.根据权利要求2所述的一种宽阻带基片集成波导带通滤波器，其特征在于，级联的方形QMSIW谐振腔和矩形QMSIW谐振腔共用同一金属化过孔列，共用的金属化过孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李思远，李子璇，裔尧，程勇，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：