本发明专利技术涉及光刻技术领域，特别涉及一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备，方法包括以下步骤：S 0：获取掩模图形的关键尺寸；S 1：根据关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；S 2：在预设的计量水平下，将关键尺寸带入焦深模型，通过预设的第一算法计算关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；S 3：根据焦点偏移量以及特征信息通过预设的第二算法计算出关键尺寸的最终焦点。本发明专利技术提供的方法将焦点偏移和焦深信息纳入考虑范围，能够更加精准地找到光刻光束焦点。精准地找到光刻光束焦点。精准地找到光刻光束焦点。
【技术实现步骤摘要】
一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备
[0001]本专利技术涉及光刻
，其特别涉及一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备。
技术介绍
[0002]随着光刻工艺的发展，集成电路制造过程中器件的尺寸从亚微米发展到超深亚微米，在半导体制作过程中，光刻设备投射光束穿过光掩膜版及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上，通过蚀刻曝光或未受曝光的部分来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路。随着集成电路制造工艺中工艺节点的不断推进，以及集成电路制造工艺特征尺寸的不断缩小，如何在光刻设备投射光束工艺中更加精准地找到光束焦点位置进行曝光成像，显得至关重要。现有的光刻光学建模未将光束在透射过程中产生的焦点位移和焦深变化纳入考虑范围，不容易矫正由于光束的偏移导致的光刻误差，使得光束的焦点不够精准。
技术实现思路
[0003]为了解决现有光束焦点不够精准的技术问题，本专利技术提供一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备。
[0004]本专利技术为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种计算光刻光束焦点的方法，包括以下步骤：S0：获取掩模图形的关键尺寸；S1：根据所述关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；S2：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸带入所述焦深模型，通过预设的第一算法计算所述关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；S3：根据所述焦点偏移量以及特征信息算出所述关键尺寸的最终焦点。
[0005]优选地，所述关键尺寸包括多状态关键尺寸和单状态关键尺寸。
[0006]优选地，在步骤S2中，通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量以及多状态关键尺寸和单状态关键尺寸的特征信息。
[0007]优选地，通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：
[0008]S21：在预设的计量水平下，将一条多状态关键尺寸在不同状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的CD值，所述CD用于描述成像清晰度；
[0009]S22：根据所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的CD值在以成像点和CD值为坐标轴建立的拟合坐标系上建立不同状态下的偏移拟合二次曲线，得到拟合焦点以及拟合权重；
[0010]S23：将所述拟合焦点以及拟合权重在预设的计量水平下，通过加权平均算法得到多状态关键尺寸的焦点偏移量。
[0011]优选地，计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：S24：判断是否还
有多状态关键尺寸还未进行焦点偏移量的计算，若有，则通过上述步骤进行计算，并对所有多状态关键尺寸计算出的结果做加权平均计算，得到所述焦点偏移量，若没有，则直接得到焦点偏移量。
[0012]优选地，所述特征信息包括最佳焦点和焦深。
[0013]优选地，计算所述特征信息包括以下步骤：
[0014]S26：，将所述多状态关键尺寸和单状态关键尺寸在同一状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到每一条所述关键尺寸在预设的成像点范围内的CD值；
[0015]S27：根据每一条所述关键尺寸在预设的成像点范围内的CD值，在以成像点和CD值为坐标轴建立的拟合坐标系上建立焦深拟合二次曲线，得到每一条所述关键尺寸的在同一状态下的焦深；
[0016]S28：以所述焦深为基准，按照预设的筛选条件对所述关键尺寸进行筛选，得到筛选后的所述关键尺寸；
[0017]S29：将所述筛选后的关键尺寸结合对应的所述拟合二次曲线的数据得到在预设的计量水平下的最佳焦点。
[0018]优选地，所述预设的筛选条件包括：
[0019]将所述关键尺寸按照所述焦深的大小降序排列，删除序列中的后40％～60％的所述关键尺寸。
[0020]优选地，在计算所述最佳焦点时，将CD值大于预设值的尺寸不带入计算。
[0021]优选地，将所述焦点偏移量以及所述最佳焦点得到在预设的计量水平下的最终焦点。
[0022]优选地，所述方法还包括以下步骤：S4：对所述最终焦点的光学误差进行验证。
[0023]优选地，对所述最终焦点的光学误差进行验证包含以下步骤：
[0024]S40：提供初始焦点，在预设的计量水平下，将所述关键尺寸及所述初始焦点带入所述光学建模模型，得到初始光学误差；
[0025]S41：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸以及所述最终焦点带入所述光学建模模型，得到优化光学误差；
[0026]S42：比较所述初始光学误差以及所述优化光学误差，得出结论。
[0027]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种用于实现上述方法的装置，所述装置包括：
[0028]输入模块：用于获取掩模图形的关键尺寸；
[0029]建模模块：用于根据关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；
[0030]计算模块：用于计算焦点偏移量、特征信息以及最终焦点。
[0031]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现上述方法。
[0032]与现有技术相比，本专利技术所提供的一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备，具有如下的有益效果：
[0033]1.本专利技术实施例提供的方法包括以下步骤：S0：获取掩模图形的关键尺寸；S1：根
据所述关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；S2：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸带入所述焦深模型，通过预设的第一算法计算所述关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；S3：根据所述焦点偏移量以及特征信息计算出所述关键尺寸的最终焦点。现有的光刻光学建模未将光束在透射过程中产生的焦点位移和焦深变化纳入考虑范围，不容易矫正由于光束的偏移导致的光刻误差。本专利技术实施例提供的方法通过结合关键尺寸的焦点偏移量和特征信息，对焦点的计算进一步细化，使得焦点的计算结果更加精确，进而更好地优化了计算光刻效果。
[0034]2.本专利技术实施例提供的方法的关键尺寸包括多状态关键尺寸和单状态关键尺寸，在步骤S2中，通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量以及多状态关键尺寸和单状态关键尺寸的特征信息。将多状态的关键尺寸与单状态的关键尺寸分出，并针对其特点分别进行计算，降低了最终焦点的光学误差，提高了最终焦点的可靠性。
[0035]3.本专利技术实施例提供的方法通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：S20：以成像点和CD值为坐标轴建立拟合坐标系；S21：将一条多状态关键尺寸在不同状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的CD值；S22：根据所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围以及对应的CD值在所述拟合坐标系上建立不同状本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种计算光刻光束焦点的方法，其特征在于：包括以下步骤：S0：获取掩模图形的关键尺寸；S1：根据所述关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；S2：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸带入所述焦深模型，通过预设的第一算法计算所述关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；S3：根据所述焦点偏移量以及特征信息算出所述关键尺寸的最终焦点。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述关键尺寸包括多状态关键尺寸和单状态关键尺寸，在步骤S2中，通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量以及多状态关键尺寸和单状态关键尺寸的特征信息。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：S21：在预设的计量水平下，将一条多状态关键尺寸在不同状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的CD值，所述CD用于描述成像清晰度；S22：根据所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的CD值在以成像点和CD值为坐标轴建立的拟合坐标系上建立不同状态下的偏移拟合二次曲线，得到拟合焦点以及拟合权重；S23：将所述拟合焦点以及拟合权重在预设的计量水平下，通过加权平均算法得到多状态关键尺寸的焦点偏移量。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：S24：判断是否还有多状态关键尺寸还未进行焦点偏移量的计算，若有，则通过上述步骤进行计算，并对所有多状态关键尺寸计算出的结果做加权平均计算，得到所述焦点偏移量，若没有，则直接得到焦点偏移量。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述特征信息包括最佳焦点和焦深。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：计算所述特征信息包括以下步骤：S26：将所述多状态关键尺寸和单状态关键尺寸在同一状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到每一条所述关键尺寸在预设的成像点范围内的CD值；S2...
【专利技术属性】
技术研发人员：何振飞，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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