本实用新型专利技术提供一种用于激光器倍频晶体加热装置，包括倍频晶体柱、用于固定倍频晶体柱的固定座以及温度传感器，所述固定座上设置有位于倍频晶体柱两端的左夹套和右夹套，在本实用新型专利技术中，在倍频晶体柱的外周设置封闭结构的环形凹槽，环形凹槽内设置至少三个周向均匀分布的半导体加热棒，半导体加热棒加热时，倍频晶体柱的温度均匀，进而加热均匀，环形凹槽内设置的温度传感器可以准确反映半导体加热棒加热的温度和倍频晶体柱实际受热的温度。棒加热的温度和倍频晶体柱实际受热的温度。棒加热的温度和倍频晶体柱实际受热的温度。
【技术实现步骤摘要】
一种用于激光器倍频晶体加热装置
[0001]本技术涉及倍频晶体加热
，具体为一种用于激光器倍频晶体加热装置。
技术介绍
[0002]现有的激光器倍频晶体的加热装置是半导体致热片直接贴紧在被加热的倍频晶体座底面，然后在加热片和倍频晶体之间安装温度传感器，加热片通电加热时，倍频晶体仅能部分受热，无法全面受热，温度传感器测得的温度主要源自加热片，无法准确反映出倍频晶体实际加热后的温度，加热精确度较差。
[0003]为此，本技术提供一种用于激光器倍频晶体加热装置。
技术实现思路
[0004]针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种用于激光器倍频晶体加热装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术在倍频晶体棒的外周设置封闭结构的环形凹槽，环形凹槽内设置至少三个周向均匀分布的半导体加热棒，由此半导体加热棒通电后可以对倍频晶体柱进行全面加热。
[0005]为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种用于激光器倍频晶体加热装置，包括倍频晶体柱、用于固定倍频晶体柱的固定座以及温度传感器，所述固定座上设置有位于倍频晶体柱两端的左夹套和右夹套，所述左夹套和右夹套之间和倍频晶体柱的外周壁围成一个环形凹槽，所述温度传感器设置在容置于环形凹槽内，所述固定座上还设置有套设在左夹套和右夹套上的一个封套，该封套和环形凹槽围成一个封闭空间，所述封套的内周壁连接有至少三个周向均匀分布的半导体加热棒。
[0006]进一步的，所述左夹套和右夹套的相对端均固定连接有同轴心设置的对接套，该对接套的一端开设有和倍频晶体柱一端密封对接的沉头孔。
[0007]进一步的，所述左夹套和右夹套的相对端均固定连接有同轴心设置的对接套，该对接套的一端开设有和倍频晶体柱一端密封对接的沉头孔。
[0008]进一步的，位于所述左夹套上的的对接套的端面上固定设置有连接轴，位于所述右夹套上的对接套的端面上开设有和连接轴卡接配合的卡孔。
[0009]进一步的，所述封套与左夹套和右夹套之间嵌套有密封胶套。
[0010]进一步的，所述封套的外周壁贯穿开设有定位孔，所述半导体加热棒的一端固定套设有隔热套，该隔热套套设在定位孔内且为密封配合。
[0011]进一步的，所述隔热套的外部套设有橡胶套。
[0012]本技术的有益效果：本技术一种用于激光器倍频晶体加热装置，包含倍频晶体柱；固定座；左夹套；右夹套；封套；定位孔；温度传感器；环形凹槽；半导体加热棒；隔热套；对接套；沉头孔；连接轴。
[0013]在倍频晶体柱的外周设置封闭结构的环形凹槽，环形凹槽内设置至少三个周向均
匀分布的半导体加热棒，半导体加热棒加热时，倍频晶体柱的温度均匀，进而加热均匀，环形凹槽内设置的温度传感器可以准确反映半导体加热棒加热的温度和倍频晶体柱实际受热的温度。
附图说明
[0014]图1为本技术一种用于激光器倍频晶体加热装置中固定座、倍频晶体柱、半导体加热棒和温度传感器配合的结构示意图；
[0015]图2为本技术一种用于激光器倍频晶体加热装置中图1爆炸展开后的示意图；
[0016]图中：1、倍频晶体柱；2、固定座；21、左夹套；22、右夹套；23、封套；231、定位孔；3、温度传感器；4、环形凹槽；6、半导体加热棒；61、隔热套；7、对接套；71、沉头孔；8、连接轴。
具体实施方式
[0017]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0018]请参阅图1和图2，本技术提供一种技术方案：一种用于激光器倍频晶体加热装置，包括倍频晶体柱1、用于固定倍频晶体柱1的固定座2以及温度传感器3，固定座2上设置有位于倍频晶体柱1两端的左夹套21和右夹套22，左夹套21和右夹套22之间和倍频晶体柱1的外周壁围成一个环形凹槽4，温度传感器3设置在容置于环形凹槽4内，固定座2上还设置有套设在左夹套21和右夹套22上的一个封套23，该封套23和环形凹槽4围成一个封闭空间，具有隔热的作用，封套23的内周壁连接有至少三个周向均匀分布的半导体加热棒6，半导体加热棒6位于倍频晶体柱1的周围，其通电后可以对倍频晶体柱1进行均匀加热，也就是说倍频晶体柱1受热均匀，温度传感器3用于监测环形凹槽4内的温度。
[0019]本实施例，左夹套21和右夹套22的相对端均固定连接有同轴心设置的对接套7，该对接套7的一端开设有和倍频晶体柱1一端密封对接的沉头孔71，可以在沉头孔71内铺设橡胶垫圈来实现密封对接，进一步的位于左夹套21上的的对接套7的端面上固定设置有连接轴8，连接轴8的数量至少为三个且相对对接套7为周向均匀分布，位于右夹套22上的对接套7的端面上开设有和连接轴8卡接配合的卡孔，也就是说连接轴8和卡孔采用常用的卡接的方式连接，方便倍频晶体柱1的安装固定。
[0020]本实施例，封套23与左夹套21和右夹套22之间嵌套有密封胶套，密封胶套分别套设在封套23内的两端，由此封套23与左夹套21和右夹套22实现过渡配合的方式连接，进而方便与左夹套21和右夹套22对接，进一步的封套23的外周壁贯穿开设有定位孔231，半导体加热棒6的一端固定套设有隔热套61，该隔热套61套设在定位孔231内且为密封配合，半导体加热棒6的一端通过导线和外部的电源电性连接。
[0021]在使用加热装置时，将温度传感器3固定安装在右夹套22上，然后在右夹套22上开设导线孔(图中未显示)，温度传感器3上的导线通过导线孔和外部的电源电性连接，当需要加热倍频晶体柱1时，向半导体加热棒6通电，半导体加热棒6发热使得环形凹槽4内的温度均匀，进而使得热倍频晶体柱1受热更加均匀，此时温度传感器3可以准确反映倍频晶体柱1实际的加热和加热后的温度。
[0022]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包
含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于激光器倍频晶体加热装置，包括倍频晶体柱(1)、用于固定倍频晶体柱(1)的固定座(2)以及温度传感器(3)，其特征在于，所述固定座(2)上设置有位于倍频晶体柱(1)两端的左夹套(21)和右夹套(22)，所述左夹套(21)和右夹套(22)之间和倍频晶体柱(1)的外周壁围成一个环形凹槽(4)，所述温度传感器(3)设置在容置于环形凹槽(4)内，所述固定座(2)上还设置有套设在左夹套(21)和右夹套(22)上的一个封套(23)，该封套(23)和环形凹槽(4)围成一个封闭空间，所述封套(23)的内周壁连接有至少三个周向均匀分布的半导体加热棒(6)。2.根据权利要求1所述的一种用于激光器倍频晶体加热装置，其特征在于：所述左夹套(21)和右夹套(22)的相对端均固定连接有同轴心设置的对接套(7)，该对接套(7)的一端开设有和倍频晶体柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铖，李曦，
申请(专利权)人：武汉众利辰光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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