本实用新型专利技术提供一种倍频晶体温度传导装置，包括温控底座和倍频晶体底座，所述温控底座和倍频晶体底座的相对侧分别开设有下凹槽和上凹槽，在本实用新型专利技术中，在上凹槽和下凹槽内分别设置若干外形尺寸不等环形垫圈，环形垫圈由内至外排列，相邻的环形垫圈间为导热环氧胶填充间隙，由此在中部的环形垫圈内涂抹一定量的导热环氧胶，然后挤压上凹槽和下凹槽内的半导体制冷片时，导热环氧胶会由内至外依次填充相邻的环形垫圈间的间隙，使得半导体制冷片两侧和上凹槽和下凹槽接触的部分填充的导热环氧胶更加均匀，提高导热效率。提高导热效率。提高导热效率。
【技术实现步骤摘要】
一种倍频晶体温度传导装置
[0001]本技术涉及温度传导
，具体为一种倍频晶体温度传导装置。
技术介绍
[0002]现有的很多光学晶体为了保证良好热控制，通常采用将半导体制冷片(TEC)通过螺丝固定在倍频晶体底座与温控底座之间，但是，由于机械件的尺寸都存在一定的加工误差，这就导致TEC的上下表面和上下两个机械件接触的时候存在一定的缝隙，热传递效果差，影响了其导热性能，由此中国专利CN214337118U公开了倍频晶体温度传导装置及固体激光器，其中的倍频晶体温度传导装置中公开了在倍频晶体底座和温控底座与半导体制冷片之间涂抹导热环氧胶来补偿此上述缝隙，但是由于采用直接在凹槽内涂抹导热环氧胶的方式容易出现导热环氧胶填充不均匀的现象，也就是半导体制冷片被挤压时部分缝隙因导热环氧胶流动不到位会出现空腔的现象，进而会影响导热性。
[0003]为此，本技术提供一种倍频晶体温度传导装置。
技术实现思路
[0004]针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种倍频晶体温度传导装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术在下凹槽和上凹槽内设置用于引流导热环氧胶的若干外形尺寸不等的环形垫圈，来实现半导体制冷片上下两侧缝隙被充分填充导热环氧胶的功效。
[0005]为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种倍频晶体温度传导装置，包括温控底座和倍频晶体底座，所述温控底座和倍频晶体底座的相对侧分别开设有下凹槽和上凹槽，所述下凹槽和上凹槽的槽底均固定设置有环形凸起，该环形凸起由内至外依次设置有若干外形尺寸不等的环形垫圈，若干所述环形垫圈的间距和高度相等。
[0006]进一步的，所述环形垫圈为正方形框结构。
[0007]进一步的，所述环形垫圈的端面上开设有位于拐角处的缺口。
[0008]进一步的，若干所述环形垫圈的数量至少为三个。
[0009]进一步的，所述环形垫圈的横截面宽度为0.5
‑
1mm，厚度为0.1mm。
[0010]进一步的，所述环形垫圈的横截面宽度为0.8mm。
[0011]进一步的，所述缺口宽度为相邻的环形垫圈间距的四分子一和四分子三之间的大小。
[0012]进一步的，所述缺口为相邻的环形垫圈间距的二分之一。
[0013]本技术的有益效果：本技术一种倍频晶体温度传导装置，包括温控底座；下凹槽；倍频晶体底座；上凹槽；环形凸起；环形垫圈。
[0014]在上凹槽和下凹槽内分别设置若干外形尺寸不等环形垫圈，环形垫圈由内至外排列，相邻的环形垫圈间为导热环氧胶填充间隙，由此在中部的环形垫圈内涂抹一定量的导
热环氧胶，然后挤压上凹槽和下凹槽内的半导体制冷片时，导热环氧胶会由内至外依次填充相邻的环形垫圈间的间隙，使得半导体制冷片两侧和上凹槽和下凹槽接触的部分填充的导热环氧胶更加均匀，提高导热效率。
附图说明
[0015]图1为本技术一种倍频晶体温度传导装置中温控底座和倍频晶体底座展开后的结构示意图；
[0016]图2为本技术一种倍频晶体温度传导装置中倍频晶体底座和环形凸起配合的示意图；
[0017]图中：1、温控底座；11、下凹槽；2、倍频晶体底座；21、上凹槽；3、环形凸起；31、环形垫圈；311、缺口。
具体实施方式
[0018]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0019]请参阅图1和图2，本技术提供一种技术方案：一种倍频晶体温度传导装置，包括温控底座1和倍频晶体底座2，温控底座1和倍频晶体底座2的相对侧分别开设有下凹槽11和上凹槽21，下凹槽11和上凹槽21均采用常见的正方形凹槽结构，下凹槽11和上凹槽21的槽底均固定设置有环形凸起3，下凹槽11和上凹槽21扣合后会将半导体制冷片利用环形凸起3夹紧，该环形凸起3由内至外依次设置有若干外形尺寸不等的环形垫圈31，具体排列方式如图所示，若干环形垫圈31的间距和高度相等，相邻的环形垫圈31之间用来放置常见的导热环氧胶，具体的安装方式是在下凹槽11和上凹槽21对应的位于最内圈的环形垫圈31内涂抹导热环氧胶，然后将半导体制冷片放置在下凹槽11内的导热环氧胶上，安装倍频晶体底座2，在倍频晶体底座2和温控底座1的挤压下，上述涂抹的导热环氧胶会由于位于中部的环形垫圈31内依次填充相邻的外侧的环形垫圈31内，由此可以使得半导体制冷片与下凹槽11和上凹槽21之间的导热环氧胶涂抹更加均匀。
[0020]本实施例，环形垫圈31为正方形框结构，进一步的环形垫圈31的端面上开设有位于拐角处的缺口311，此缺口311可以加速的环形垫圈31内的导热环氧胶相邻的外侧的环形垫圈31内填充导热环氧胶，进一步的缺口311宽度为相邻的环形垫圈31间距的四分子一和四分子三之间的大小，优选的是缺口311为相邻的环形垫圈31间距的二分之一，此种宽度可以大大降低导热环氧胶内气泡产生的数量，其中若干环形垫圈31的数量至少为三个，若干环形垫圈31呈平分整个凹槽底部空间的设置。
[0021]本实施例，环形垫圈31的横截面宽度为0.5
‑
1mm，厚度为0.1mm，优选的是环形垫圈31的横截面宽度为0.8mm，此种宽度的环形垫圈31使得环形垫圈31的端面在被半导体制冷片挤压后不会存留导热环氧胶，也就是说环形垫圈31的端面和半导体制冷片直接接触。
[0022]在使用传导装置时，将导热环氧胶分别涂抹在下凹槽11和上凹槽21对应的位于最内圈的环形垫圈31内，然后将半导体制冷片平铺在下凹槽11内涂抹的热环氧胶上，然后将倍频晶体底座2和温控底座1扣合对接，扣合时对半导体制冷片上下两侧的导热环氧胶挤压，导热环氧胶会依次填充相邻的环形垫圈31间的间隙，由此使得半导体制冷片两侧的导
热环氧胶涂抹更加均匀，提高导热效率。
[0023]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倍频晶体温度传导装置，包括温控底座(1)和倍频晶体底座(2)，所述温控底座(1)和倍频晶体底座(2)的相对侧分别开设有下凹槽(11)和上凹槽(21)，其特征在于，所述下凹槽(11)和上凹槽(21)的槽底均固定设置有环形凸起(3)，该环形凸起(3)由内至外依次设置有若干外形尺寸不等的环形垫圈(31)，若干所述环形垫圈(31)的间距和高度相等。2.根据权利要求1所述的一种倍频晶体温度传导装置，其特征在于：所述环形垫圈(31)为正方形框结构。3.根据权利要求2所述的一种倍频晶体温度传导装置，其特征在于：所述环形垫圈(31)的端面上开设有位于拐角处的缺口(311)。4.根据权利要求3所述的一种倍频晶体温...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铖，李曦，
申请(专利权)人：武汉众利辰光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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