高温倍频晶体结构制造技术

技术编号:34315415 阅读:28 留言:0更新日期:2022-07-27 21:15
本申请涉及激光器技术领域,并提供了一种高温倍频晶体结构,包括固定座,所述固定座上设置有隔热安装部,所述隔热安装部远离所述固定座的一侧设置有加热温度大于或等于150摄氏度的加热元件,所述加热元件远离所述隔热安装部的一侧设置有晶体组件,所述晶体组件上设置有热敏电阻。本申请提供的高温倍频晶体结构,加热元件的加热温度大于或等于150摄氏度,与制热温度不超过100℃的半导体制冷器相比,明显提升了高温倍频晶体结构的长期工作温度,可以应用于倍频工作温度较高的激光器。以应用于倍频工作温度较高的激光器。以应用于倍频工作温度较高的激光器。

High temperature frequency doubling crystal structure

【技术实现步骤摘要】
高温倍频晶体结构


[0001]本申请属于激光器
,更具体地说,是涉及一种高温倍频晶体结构。

技术介绍

[0002]传统的固体激光器或光纤激光器一般采用临界相位匹配的LBO倍频晶体。LBO倍频晶体结构主要利用半导体制冷器和热敏电阻控制温度。
[0003]如图1所示,LBO倍频晶体结构包括半导体制冷器底座101、半导体制冷器102、晶体底座103、倍频晶体104、晶体压块105、固定座106和热敏电阻107。由于半导体制冷器102的制热温度一般不超过100℃,且热敏电阻107为常温热敏电阻,无法精确探测100℃以上工作,同时,机械结构的半导体制冷器底座101和固定座106可以导热,高温下热量会较快耗散,无法保证高温下温度的稳定。
[0004]因此上述结构的临界相位匹配倍频晶体的最高工作温度一般不超过100℃,而目前市面上越来越多的激光器采用非临界相位匹配,工作温度较高,一般在149.5℃左右,所以常规设计的LBO倍频晶体结构难以应用于倍频工作温度较高的激光器,故而有待改进。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种高温倍频晶体结构,以解决以下技术问题:常规设计的LBO倍频晶体结构的最高工作温度一般不超过100℃,难以应用于倍频工作温度较高的激光器。
[0006]为实现上述目的,本申请采用的技术方案是:
[0007]提供一种高温倍频晶体结构,包括固定座,所述固定座上设置有隔热安装部,所述隔热安装部远离所述固定座的一侧设置有加热温度大于或等于150摄氏度的加热元件,所述加热元件远离所述隔热安装部的一侧设置有晶体组件,所述晶体组件上设置有热敏电阻。
[0008]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述隔热安装部包括由耐高温隔热材料制成的隔热层,所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度。
[0009]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述隔热安装部包括加热底座和由耐高温隔热材料制成的隔热球,所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度,所述加热元件安装于所述加热底座远离所述固定座的一侧,所述隔热球设置有多个且连接于所述加热底座和所述固定座之间。
[0010]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述耐高温隔热材料为耐高温玻璃、耐高温陶瓷、耐高温铁氟龙、耐高温聚苯硫醚、耐高温聚苯砜、耐高温聚醚醚酮、耐高温酚醛树脂或者耐高温聚酰亚胺。
[0011]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述晶体组件包括晶体底座、倍频晶体和晶体压块,所述晶体底座和所述加热元件相连接,所述倍频晶体安装于所述晶体底座上,所述晶体压块连接于所述晶体底座上以将所述晶体底座压紧。
[0012]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述晶体底座的底部设置有孔洞,所述热敏电阻安装于所述孔洞内。
[0013]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述热敏电阻与所述晶体底座之间、所述加热元件与所述晶体底座之间均采用高温导热胶固定,所述高温导热胶的可耐温度大于或等于160摄氏度且具有导热性能。
[0014]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述加热元件为电阻式加热片、电阻式加热棒或者电阻式加热丝。
[0015]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述热敏电阻为高温热敏电阻,所述高温热敏电阻的可耐温度大于或等于160摄氏度,当温度大于或等于150摄氏度时所述高温热敏电阻的电阻值大于或等于3000欧姆。
[0016]在本申请的一种可实现的技术方案中,所述高温倍频晶体结构适用于非临界相位匹配倍频晶体,所述高温倍频晶体结构的长期工作温度大于或等于170摄氏度。
[0017]综上所述,本申请至少包括以下一种有益的技术效果:
[0018]1.固定座和隔热安装部为加热元件提供了稳定的安装基础,加热元件工作时可以对晶体组件进行加热,由于加热元件的加热温度大于或等于150摄氏度,与制热温度不超过100℃的半导体制冷器相比,明显提升了高温倍频晶体结构的长期工作温度,可以应用于倍频工作温度较高的激光器,尤其是采用非临界相位匹配且长期工作温度在149.5℃左右的激光器,该激光器可以为固体激光器或光纤激光器;
[0019]2.由于隔热安装部具有一定的隔热效果,从而热量不易传递至固定座上进行耗散,足以保证高温下温度的稳定,进而高温倍频晶体结构运行更加稳定;
[0020]3.高温导热胶不仅可以使热敏电阻与晶体底座之间、加热元件与晶体底座之间牢固连接,而且高温导热胶还具有耐高温和导热效果,进而加热元件所产生的热量可以较为顺畅的传递至倍频晶体和热敏电阻上,间接有利于热敏电阻实时获取较为准确的温度,进而方便精准控制高温倍频晶体结构的温度;
[0021]4.晶体底座为倍频晶体提供了较为牢固的安装位置,而且配合晶体压块,可以将晶体底座压紧固定,有效防止倍频晶体松动。上述设计的晶体组件,不仅结构简单,而且组装制作方便,稳定性和牢固性都比较高。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为现有技术中LBO倍频晶体结构的结构示意图。
[0024]图2为本申请实施例一提供的高温倍频晶体结构的结构示意图。
[0025]图3为本申请实施例二提供的高温倍频晶体结构的结构示意图。
[0026]其中,图中各附图标记:
[0027]1、固定座;2、隔热安装部;21、隔热层;22、加热底座;23、隔热球;3、加热元件;4、晶体组件;41、晶体底座;42、倍频晶体;43、晶体压块;5、热敏电阻;
[0028]101、半导体制冷器底座;102、半导体制冷器;103、晶体底座;104、倍频晶体;105、晶体压块;106、固定座;107、热敏电阻。
具体实施方式
[0029]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
[0030]需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0031]需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0032]此外,术语“第一”、“第二本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温倍频晶体结构,包括固定座,其特征在于:所述固定座上设置有隔热安装部,所述隔热安装部远离所述固定座的一侧设置有加热温度大于或等于150摄氏度的加热元件,所述加热元件远离所述隔热安装部的一侧设置有晶体组件,所述晶体组件上设置有热敏电阻。2.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构,其特征在于:所述隔热安装部包括由耐高温隔热材料制成的隔热层,所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度。3.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构,其特征在于:所述隔热安装部包括加热底座和由耐高温隔热材料制成的隔热球,所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度,所述加热元件安装于所述加热底座远离所述固定座的一侧,所述隔热球设置有多个且连接于所述加热底座和所述固定座之间。4.如权利要求2或3所述的高温倍频晶体结构,其特征在于:所述耐高温隔热材料为耐高温玻璃、耐高温陶瓷、耐高温铁氟龙、耐高温聚苯硫醚、耐高温聚苯砜、耐高温聚醚醚酮、耐高温酚醛树脂或者耐高温聚酰亚胺。5.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构,其特征在于:所述晶体组件包括晶体底座、倍频晶体和晶体压块,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李凯谭荣怀岳嵚岳超瑜
申请(专利权)人:深圳市欧凌镭射科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1