【技术实现步骤摘要】
基于稀土基近红外纳米材料中继的双通道光遗传方法、稀土基近红外纳米材料体系及其应用
[0001]本专利技术属于光遗传学
,具体涉及一种基于稀土基近红外纳米材料中继的双通道光遗传方法稀土基近红外纳米材料体系及其应用。
技术介绍
[0002]记录和操控神经元的活性是神经科学和脑科学机制研究的最基本手段。光遗传学技术是一项先进的,高时空特异性的应用基因工程技术。这项技术将光控技术与遗传学技术相结合,结合了光敏蛋白的特性。通过遗传学方法使得光敏蛋白的基因在某一种特定的细胞内特异性地表达,再通过光控技术,使用与所表达的光敏蛋白相关的一定波长的光,给予相应的光照刺激,因为光敏蛋白的特异性变化,从而改变细胞的活动状态。新兴的光遗传学技术最先广泛应用于神经科学,多用于脑环路功能与行为学的关系、抑郁症的治疗、癫痫以及帕金森综合征治疗研究。
[0003]在2006年,斯坦福的博士Karl Deisseroth在自己的研究中首次提到了光遗传学(Optogenetics),因其具有的高度的时空分辨率,短短的十多年,神经科学的研究已经取得了许多重大的突破,神经科学的研究得到了飞速的发展。它结合光敏感的通道蛋白的特性与神经元的兴奋抑制与膜内外电位的密切关系,通过相应的光刺激,使表达光敏感通道蛋白的神经元膜内外电位发生变化,从而改变神经元的活动状态,实现高时空精度的开关(兴奋,正常,抑制)功能。此外,光遗传技术也被科研人员用于心脏光起搏,并研究其在心脏中的价值。心脏光遗传学是一个新兴的研究方向,一般是指将源于绿藻(chlamydomo ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于稀土基近红外纳米材料中继的双通道光遗传方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将两种稀土基近红外纳米材料分别作为两种目标神经细胞的中继激发光源,所述两种目标神经细胞表达有特定光敏蛋白;步骤2、使用近红外激发光源对分布有目标神经细胞的区域进行非侵入式无创光照刺激,两种稀土基近红外纳米材料分别将近红外激发光源转换成为可被相应特定光敏蛋白接收响应的可见光,使光敏蛋白被激活,实现两种目标神经细胞的兴奋或抑制的独立控制。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1中,所述两种目标神经细胞表达不同光响应波段的光敏蛋白;步骤2采用单一近红外激发光源对目标区域进行非侵入式的无创光照刺激,目标区域的两种稀土基近红外纳米材料分别将单一波长近红外激发光源转换成为可被相应光敏蛋白接收响应的可见光,使光敏蛋白被激活,从而实现利用单一波长近红外激发光源同时对两种目标神经细胞的调控。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述两种稀土基近红外纳米材料为:NaYF4:Tm@NaLuF4:Yb@NaGdF4和NaYF4:Yb,Er@NaLuF4:Yb@NaGdF4;所述近红外激发光源波长位于977
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985nm之间;对应两种目标神经细胞表达的光敏蛋白分别为:ChR2和eBR;或,Mac和eBR;或C1V1和ChR2。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述近红外激发光源波长为980nm。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述两种稀土基近红外纳米材料为:NaYF4:Tm@NaLuF4:Yb@NaLuF4:Nd@NaGdF4:Nd和NaYF4:Yb,Er@NaLuF4:Yb@NaLuF4:Nd@NaGdF4:Nd;所述近红外激发光源波长位于799
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811nm之间;对应两种目标神经细胞表达的光敏蛋白分别为:C1V1和ChR2;或,ChR2和eBR;或,Mac和eBR。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述近红外激发光源波长为808nm。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1中,所述两种目标神经细胞表达有不同光响应波段的光敏蛋白;步骤2采用两种近红外激发光源对目标区域进行非侵入式的无创光照刺激,目标区域的两种稀土基近红外纳米材料分别将近红外激发光源转换成为可被相应的表达在不同神经元上的具有不同光响应波段的光敏蛋白接收的可见光,使光敏蛋白被激活,从而实现利用两种不同波长近红外激发光源对两种不同目标神经细胞的独立调控。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:所述两种稀土基近红外纳米材料为:NaYF4:Tm@NaLuF4:Yb@NaGdF4和NaYF4:Yb,Er@NaLuF4:Yb@NaLuF4:Nd@NaGdF4:Nd;对应两种近红外激发光源波长分别位于974
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985nm,798
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812nm;对应两种目标神经细胞表达的光敏蛋白分别为:C1V1和ChR2,或ChR2和eBR,或Mac和eBR。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:对应两种近红外激发光源波长分别为980nm和808nm。10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:所述两种稀土基近红外纳米材料为:NaYF4:Tm@NaLuF4:Yb@NaLuF4:Nd@N...
【专利技术属性】
技术研发人员:王荃,范琪,胡炳樑,
申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:
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