显示装置可以包括：基板，包括高分子膜；第一有源图案，配置在基板之上，并包括第一沟道区域；栅极电极，配置在第一有源图案之上，并与第一沟道区域重叠；第一存储电容器电极，配置在栅极电极之上，并与栅极电极重叠；第二有源图案，配置在第一存储电容器电极之上，并包括第二沟道区域；第一栅极线，配置在第二有源图案之上，并与第二沟道区域重叠；以及阻断图案，在平面上配置在第一沟道区域和第一栅极线之间。阻断图案改变或阻断提供给晶体管的电场，从而能够防止或减少晶体管的元件特性发生变化。化。化。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
[0002]最近，为了显示装置的轻量化、设计多样化等，正在利用高分子基板。所述高分子基板包括聚酰亚胺等之类高分子。
[0003]当所述显示装置包括所述高分子基板时，由于施加到驱动元件等的电信号可能发生偶极极化(dipole polarization)，其可能成为导致光斑、光残影等之类图像劣化的原因。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种显示质量提高的显示装置。
[0005]然而，本专利技术的目的不限于上述的目的，在不脱离本专利技术的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
[0006]为了达到本专利技术的目的，可以是，根据实施例的显示装置包括：基板，包括高分子膜；第一有源图案，配置在所述基板之上，并包括第一沟道区域；栅极电极，配置在所述第一有源图案之上，并与所述第一沟道区域重叠；第一存储电容器电极，配置在所述栅极电极之上，并与所述栅极电极重叠；第二有源图案，配置在所述第一存储电容器电极之上，并包括第二沟道区域；第一栅极线，配置在所述第二有源图案之上，并与所述第二沟道区域重叠；以及阻断图案，在平面上配置在所述第一沟道区域和所述第一栅极线之间。
[0007]在一实施例中，可以是，所述阻断图案与所述第二沟道区域不重叠。
[0008]在一实施例中，可以是，所述阻断图案位于与所述第一存储电容器电极相同的层中，并配置为与所述第一存储电容器电极隔开。
[0009]在一实施例中，可以是，所述阻断图案在第一方向上的长度大于所述第一沟道区域在所述第一方向上的长度。
[0010]在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第二栅极线，位于与所述第一存储电容器电极相同的层中，并与所述第一栅极线重叠，所述第二栅极线配置为与所述阻断图案隔开。
[0011]在一实施例中，可以是，所述阻断图案在平面上配置在所述第二栅极线和所述第一存储电容器电极之间。
[0012]在一实施例中，可以是，所述高分子膜包括聚酰亚胺。
[0013]在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：盖板，配置在所述基板之下，并包括至少一个开口，所述基板包括与所述开口重叠的感测区域以及包围所述感测区域的显示区域，所述阻断图案位于所述感测区域。
[0014]在一实施例中，可以是，所述阻断图案与所述栅极电极重叠。
[0015]在一实施例中，可以是，所述栅极电极和所述第一存储电容器电极构成第一存储
电容器，所述栅极电极和所述阻断图案构成第二存储电容器。
[0016]在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：高电源电压线，配置在所述第一栅极线之上，所述高电源电压线与所述阻断图案连接，所述高电源电压线与所述第一存储电容器电极连接。
[0017]在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第二存储电容器电极，位于与所述栅极电极相同的层中，并与所述栅极电极隔开。
[0018]在一实施例中，可以是，所述阻断图案与所述第二存储电容器电极重叠。
[0019]在一实施例中，可以是，所述栅极电极和所述第一存储电容器电极构成第一存储电容器，所述第二存储电容器电极和所述阻断图案构成第二存储电容器。
[0020]为了达到本专利技术的目的，可以是，根据实施例的显示装置包括：基板，包括高分子膜；第一有源图案，配置在所述基板之上，并包括第一沟道区域；栅极电极，配置在所述第一有源图案之上，并与所述第一沟道区域重叠，并且与所述第一有源图案构成驱动晶体管；第一存储电容器电极，配置在所述栅极电极之上，并与所述栅极电极重叠；第二有源图案，配置在所述第一存储电容器电极之上，并包括第二沟道区域；第一栅极线，配置在所述第二有源图案之上，并与所述第二沟道区域重叠，并且与所述第二有源图案构成补偿晶体管；以及阻断图案，在平面上配置在所述驱动晶体管和所述补偿晶体管之间。
[0021]在一实施例中，可以是，所述阻断图案位于与所述第一存储电容器电极相同的层中，并配置为与所述第一存储电容器电极隔开。
[0022]在一实施例中，可以是，所述阻断图案与所述栅极电极重叠。
[0023]在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第二存储电容器电极，位于与所述栅极电极相同的层中，并且与所述栅极电极隔开。
[0024]在一实施例中，可以是，所述阻断图案与所述第二存储电容器电极重叠。
[0025]在根据本专利技术的实施例的显示装置中，阻断图案改变或阻断提供给晶体管的电场，从而能够防止或减少所述晶体管的元件特性发生变化。因此，能够提高显示装置的可靠性。另外，没有附加用于形成阻断图案的掩模工艺，从而能够相对减少显示装置的制造费用以及制造时间。
[0026]然而，本专利技术的效果不限于上述的效果，在不脱离本专利技术的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
[0027]图1是示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的平面图。
[0028]图2是沿图1的I
‑
I'线截取的显示装置的截面图。
[0029]图3是示出包括在图1的显示装置中的一个像素的一例的电路图。
[0030]图4至图10是用于说明根据本专利技术的一实施例的包括在显示装置中的像素的布局图。
[0031]图11是沿图8的II
‑
II'线截取的显示装置的截面图。
[0032]图12是示出包括在图1的显示装置中的一个像素的另一例的电路图。
[0033]图13以及图14是用于说明根据本专利技术的另一实施例的包括在显示装置中的像素的布局图。
[0034]图15是沿图14的III
‑
III'线截取的显示装置的截面图。
[0035]图16以及图17是用于说明根据本专利技术的又另一实施例的包括在显示装置中的像素的布局图。
[0036]图18是沿图17的IV
‑
IV'线截取的显示装置的截面图。
[0037](附图标记说明)
[0038]10、11、12：显示装置
[0039]100：显示面板110：电路元件层
[0040]120：显示元件层200：盖板
[0041]300：窗口SUB：基板
[0042]PI：高分子膜BRR：阻挡层
[0043]AP1：第一有源图案CH1：第一沟道区域
[0044]SR1：第一源极区域DR1：第一漏极区域
[0045]GT1：第一栅极层GT1b：栅极电极
[0046]GT1c：发光控制线GT2c：下补偿栅极线
[0047]GT2d：第一存储电容器电极
[0048]FSL：阻断图案AP2：第二有源图案
[0049]GT3b：上补偿栅极线
具体实施方式
[0050]以下，参照所附附图，更详细地说明本专利技术的实施例。针对附图中的相同的构成要件使用相同的附图标记并省略针对相同的构成要件的重复说明。
[0051]图1是示出根据本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：基板，包括高分子膜；第一有源图案，配置在所述基板之上，并包括第一沟道区域；栅极电极，配置在所述第一有源图案之上，并与所述第一沟道区域重叠；第一存储电容器电极，配置在所述栅极电极之上，并与所述栅极电极重叠；第二有源图案，配置在所述第一存储电容器电极之上，并包括第二沟道区域；第一栅极线，配置在所述第二有源图案之上，并与所述第二沟道区域重叠；以及阻断图案，在平面上配置在所述第一沟道区域和所述第一栅极线之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻断图案与所述第二沟道区域不重叠。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻断图案位于与所述第一存储电容器电极相同的层中，并配置为与所述第一存储电容器电极隔开。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻断图案在第一方向上的长度大于所述第一沟道区域在所述第一方向上的长度。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：第二栅极线，位于与所述第一存储电容器电极相同的层中，并与所述第一栅极线重叠，所述第二栅极线配置为与所述阻断图案隔开。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述阻断图案在平面上配置在所述第二栅极线和所述第一存储电容器电极之间。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述高分子膜包括聚酰亚胺。8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：盖板，配置在所述基板之下，并包括至少一个开口，所述基板包括与所述开口重叠的感测区域以及包围所述感测区域的显示区域，所述阻断图案位于所述感测区域。9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阻断图案与所述栅极电极重叠。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述栅极电极和所述第一存储电容器电极构成第一存储电容器，所述栅极电极和所述阻断图案构成第二存储电容器...
【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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