本发明专利技术提供一种覆晶薄膜及显示装置，覆晶薄膜包括集成电路区以及输出绑定区，覆晶薄膜包括基板和多个信号走线，多个信号走线从集成电路区向输出绑定区延伸，多个信号走线包括栅极驱动信号线；在垂直于信号走线的延伸方向上，位于输出绑定区内的栅极驱动信号线的宽度与位于集成电路区内的栅极驱动信号线的宽度的比值大于或等于0.8且小于或等于1.0；本发明专利技术通过将位于输出绑定区内的栅极驱动信号线的宽度与位于集成电路区内的栅极驱动信号线的宽度的比值设置为大于或等于0.8且小于或等于1.0，使得栅极驱动信号线的宽度相对比较均匀，避免因宽度相差太大而导致的温度不均匀，从而避免栅极驱动信号线发生烧毁的现象。避免栅极驱动信号线发生烧毁的现象。避免栅极驱动信号线发生烧毁的现象。
【技术实现步骤摘要】
覆晶薄膜及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种覆晶薄膜及显示装置。
技术介绍
[0002]根据制造材料的不同，显示面板可以分为液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板、微型发光二极管显示面板等。在新产品开发过程中，信赖性测试过程出现黑屏画异现象，此功能性不良严重影响产品开发进度和增加产品开发成本。如图1a和图1b所示，为现有技术的显示装置的基本结构示意图，显示面板20通过覆晶薄膜10连接到印刷电路板30，相邻的印刷电路板30之间通过柔性电路板40电连接，图1a具体为某55寸显示面板在高温高湿环境中出现黑屏的示意图，图1b具体为将左侧柔性电路板40拔掉后的示意图，当拔掉左侧柔性电路板40后，屏幕3/4可正常点亮。图2a为现有技术的覆晶薄膜的基本结构示意图，图2b为图2a中A处的放大图，覆晶薄膜10包括集成电路区A1和位于集成电路区A1一侧的输出绑定区A2，覆晶薄膜10包括多条信号走线12，多条信号走线12从集成电路区A1向输出绑定区A2延伸，多条信号走线12的宽度由1个宽的走线变成3个或4个细的走线。
[0003]如图3a和图3b所示，为现有技术的信号走线的示意图，后续经过分析为左侧覆晶薄膜上的栅极驱动信号线发生短路，图3a具体为在解析时开启底光采用电镜拍摄的照片，栅极驱动信号线中的重置信号线和起始触发信号线发生短路；图3b具体为在解析时未开启底光采用电镜拍摄的照片，短路区域无导电小球，显示面板检测到大电流，过电流保护触发，黑屏发生。
[0004]继续参阅图2b，现有技术将输出绑定区A2内的信号走线12全部设计为等间距等宽的较细的信号走线，是因为等间距等宽的设计方式较简单，只需要知道信号走线的数量/间距/宽度，就可以全部阵列出来，但随着显示面板往高分辨率和高刷新率的方向发展，走栅极驱动信号线的电流会增大，导致温度升高，当覆晶薄膜与显示面板绑定后，显示面板在正常驱动时，较细部分的栅极驱动信号线会由于温度过高导致烧毁，从而导致显示面板黑屏。故，有必要改善这一缺陷。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供一种覆晶薄膜，用于解决现有技术的覆晶薄膜上，较细的栅极驱动信号线由于温度升高容易发生烧毁的技术问题。
[0006]本专利技术实施例提供一种覆晶薄膜，包括集成电路区以及位于所述集成电路区一侧的输出绑定区，所述覆晶薄膜包括基板和多个信号走线；多个所述信号走线位于所述基板上，多个所述信号走线从所述集成电路区向所述输出绑定区延伸，多个所述信号走线包括栅极驱动信号线；其中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述输出绑定区内的所述栅极驱动信号线的宽度与位于所述集成电路区内的所述栅极驱动信号线的宽度的比值大于或等于0.8且小于或等于1.0。
[0007]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，多个所述信号走线还包括像素电压信号线；其中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述输出绑定区内的所述栅极驱动信号线的宽度大于位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度。
[0008]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，所述栅极驱动信号线的宽度大于或等于90微米且小于或等于130微米。
[0009]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述集成电路区内远离所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度大于位于所述集成电路区内靠近所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度。
[0010]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述集成电路区内靠近所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度等于位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度，位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度大于20微米且小于30微米。
[0011]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，所述栅极驱动信号线包括相邻设置的第一信号线组、第二信号线组以及第三信号线组，所述第二信号线组位于所述第一信号线组和所述第三信号线组之间；所述第一信号线组包括起始触发信号线、高电位信号线、重置信号线以及低电位信号线；所述第二信号线组包括低频信号线；所述第三信号线组包括时钟信号线；其中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述输出绑定区内的所述起始触发信号线、所述高电位信号线、所述重置信号线以及所述低电位信号线的宽度均与位于所述输出绑定区内的所述低频信号线的宽度相等，位于所述输出绑定区内的所述时钟信号线的宽度大于位于所述输出绑定区内的所述低频信号线的宽度。
[0012]在本专利技术实施例提供的覆晶薄膜中，所述覆晶薄膜包括多个间隔线段，多个所述间隔线段与多个所述信号走线平行设置，多个所述间隔线段与多个所述信号走线同层设置；其中，所述第一信号线组、所述第二信号线组以及所述第三信号线组均分别位于相邻的两个所述间隔线段之间。
[0013]本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括显示面板和至少一个上述的覆晶薄膜，所述显示面板包括输入绑定区，所述输入绑定区内设置有多个信号输入端子；其中，多个所述信号输入端子与多个所述信号走线一一对应，所述信号输入端子与对应的所述信号走线电连接。
[0014]在本专利技术实施例提供的显示装置中，多个所述信号输入端子包括栅极驱动信号输入端，在垂直于所述信号输入端子的延伸方向上，所述栅极驱动信号输入端的宽度等于对应的位于所述输出绑定区内的所述栅极驱动信号线的宽度。
[0015]在本专利技术实施例提供的显示装置中，多个所述信号输入端子包括像素电压信号输入端，在垂直于所述信号输入端子的延伸方向上，所述像素电压信号输入端的宽度大于对应的位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度。
[0016]有益效果：本专利技术实施例提供的一种覆晶薄膜，包括集成电路区以及位于集成电路区一侧的输出绑定区，覆晶薄膜包括基板和多个信号走线；多个信号走线位于基板上，多个信号走线从集成电路区向输出绑定区延伸，多个信号走线包括栅极驱动信号线；其中，在垂直于信号走线的延伸方向上，位于输出绑定区内的栅极驱动信号线的宽度与位于集成电路区内的栅极驱动信号线的宽度的比值大于或等于0.8且小于或等于1.0；本专利技术通过将位
于输出绑定区内的栅极驱动信号线的宽度与位于集成电路区内的栅极驱动信号线的宽度的比值设置为大于或等于0.8且小于或等于1.0，使得栅极驱动信号线的宽度相对比较均匀，避免因宽度相差太大而导致的温度不均匀，从而避免栅极驱动信号线发生烧毁的现象，避免影响产品开发进度和增加产品开发成本。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0018]图1a和图1b是现有技术的显示装置的基本结构示意图。
[0019]图2a是现有技术的覆晶薄膜的基本结构示意图。
[0020]图2b是图2a中A处的放大图。
[0021]图3a和图3b是现有技术的信号走线的示意图。
[0022]图4是本专利技术实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种覆晶薄膜，其特征在于，包括集成电路区以及位于所述集成电路区一侧的输出绑定区，所述覆晶薄膜包括：基板；多个信号走线，位于所述基板上，多个所述信号走线从所述集成电路区向所述输出绑定区延伸，多个所述信号走线包括栅极驱动信号线；其中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述输出绑定区内的所述栅极驱动信号线的宽度与位于所述集成电路区内的所述栅极驱动信号线的宽度的比值大于或等于0.8且小于或等于1.0。2.如权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，多个所述信号走线还包括像素电压信号线；其中，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述输出绑定区内的所述栅极驱动信号线的宽度大于位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度。3.如权利要求2所述的覆晶薄膜，其特征在于，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，所述栅极驱动信号线的宽度大于或等于90微米且小于或等于130微米。4.如权利要求2所述的覆晶薄膜，其特征在于，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述集成电路区内远离所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度大于位于所述集成电路区内靠近所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度。5.如权利要求4所述的覆晶薄膜，其特征在于，在垂直于所述信号走线的延伸方向上，位于所述集成电路区内靠近所述输出绑定区的一端的所述像素电压信号线的宽度等于位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度，位于所述输出绑定区内的所述像素电压信号线的宽度大于20微米且小于30微米。6.如权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述栅极驱动信号线包括相邻设置的第一信号线组、第二信号线组以及第三信号线组，所述第二信号线组位于所述第一信号线...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宝顺，纪传震，彭邦银，
申请(专利权)人：苏州华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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