【技术实现步骤摘要】
一种有机阻变存储器件及其制备方法
[0001]本专利技术属于超大规模集成电路
,具体是一种新型的有机阻变存储器。
技术介绍
[0002]当今,电子产品、互联网、国防、航天等领域的发展都离不开高密度、高速度的存储器,尤其是大数据时代的信息
,更需要高密度、高速度的存储器。近年来,阻变存储器(RRAM)由于具有存储密度高、响应速度快、操作电压低、功耗低等优点受到各大公司和科研院校的广泛关注,成为新一代存储器的有力竞争者。
[0003]RRAM的工作原理在于阻变层的电阻随着施加电压的不同表现出不同的电阻值,初始器件表现为高阻态(HRS),在对器件施加某一方向偏压时,器件由HRS切换为低阻态(LRS),该过程称为置位(SET)操作,该偏压的大小称为置位电压(V
set
)。在对器件施加相反方向偏压时,器件再次由LRS切换为HRS,该过程称为复位(RESET)操作,该偏压的大小称为复位电压(V
reset
)。HRS对应于逻辑数字“0”,LRS对应于逻辑数字“1”。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机阻变存储器,包括从下至上依次设置的ITO导电玻璃层(1)、阻变层(2)和顶电极(3),其特征在于:所述阻变层(2)为一定厚度的有机聚合物P3HT掺杂有机小分子CDCB的涂层,所述顶电极(3)为一定厚度的Al、Ag、或Au镀膜。2.如权利要求1所述的有机阻变存储器,其特征在于,所述阻变层(2)中有机小分子CDCB为4CzIPN、2CzPN或4CzPN中的一种或几种。3.如权利要求2所述的有机阻变存储器,其特征在于,所述阻变层(2)中有机聚合物P3HT中掺杂的有机小分子CDCB的质量为有机聚合物P3HT质量的1
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50 %。4.如权利要求1至3中任一项所述的有机阻变存储器,其特征在于,所述阻变层(2)的厚度范围为50
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200 nm。5.如权利要求1至3中任一项所述的有机阻变存储器,其特征在于,所述顶电极(3)的厚度范围为50
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100 nm。6.一种权利要求1所述的有机阻变存储器的制备方法,包括如下步骤:(1)首先使用去离子水、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮对ITO导电玻璃进行清洗并吹干,然后将清洗后的ITO导电玻璃用UVO处理5
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30 min;(2)配制...
【专利技术属性】
技术研发人员:高志翔,李伟,朱慧文,朱弘伟,屈文山,魏斌,
申请(专利权)人:山西大同大学,
类型:发明
国别省市:
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