一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器技术

本申请实施例提供一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0；至少一个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间；所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料和/或所述第二相变层的材料；其中，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。述第二掺杂浓度。述第二掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器


[0001]本申请实施例涉及半导体
，尤其涉及一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。

技术介绍

[0002]相变存储器(Phase
‑
change Random Access Memory，PCRAM)利用电脉冲作用产生的焦耳热使得存储介质在晶态(低阻态)和非晶态(高阻态)之间相互转换，低阻态和高阻态之间的阻值差异明显，从而实现信息的写入与擦除，信息的读取则靠测量电阻的变化来实现。其中，从非晶态转换为晶态的相变过程为SET转换过程，从晶态转换为非晶态的相变过程为RESET转换过程。
[0003]存储介质是存储器的核心组成部分，相变存储器的存储介质是相变材料。这里，相变材料一般有两种结构：非晶态和晶态。当相变材料在非晶态时，具有短程有序性，呈现高电阻；当相变材料在晶态时，具有长程有序性，呈现低电阻。相变材料的性能优劣直接影响到相变存储器的性能优劣。
[0004]因此，目前仍有待于进一步改进相变材料的结构以提高相变材料的性能，从而提高相变存储器的性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超晶格结构，其特征在于，所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0；至少一个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间；所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料和/或所述第二相变层的材料；其中，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，所述第一相变层的材料包括锗Ge元素、锑Sb元素和碲Te元素中任意两种元素；所述第二相变层的材料包括锗Ge元素、锑Sb元素和碲Te元素中任意两种元素。3.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，每个所述重复单元包括一个掺杂层，所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料或所述第二相变层的材料。4.根据权利要求1所述的超晶格结构，其特征在于，每个所述重复单元包括两个掺杂层，所述两个掺杂层中的第一掺杂层与所述第一相变层接触，所述两个掺杂层中的第二掺杂层与所述第二相变层接触；所述第一掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料，所述第二掺杂层的材料包括所述第二相变层的材料。5.根据权利要求3所述的超晶格结构，其特征在于，所述掺杂层的掺杂浓度与所述第一掺杂浓度的差值大于或等于10％；所述掺杂层的掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的差值大于或等于10％。6.根据权利要求4所述的超晶格结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红心，周凌珺，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：