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本申请实施例提供一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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