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本发明公开了一种有机阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括涂覆ITO导电层的玻璃衬底，并在衬底上依次设有阻变层和顶电极，所述阻变层为有机聚合物P3HT掺杂有机小分子CDCB，顶电极为Al、Ag或Au。P3...
该专利属于山西大同大学所有，仅供学习研究参考，未经过山西大同大学授权不得商用。

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