一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法，采用顶栅自对准的TFT结构设计，同步搭配栅极GE和触控金属层CM共光罩，即触控金属层CM设计在OC层以下，data金属线SD设计在OC层以上，不仅降低了触控电极的RC Loading，避免了主动笔信号的衰减，而且同时也降低了TFT的RC Loading，提高了器件的相应速度。相应速度。相应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及触控
，尤其涉及一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
‑
LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0003]现有的In
‑
Cell技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，从而实现触摸面板部件与液晶面板一体化的设计。在Array制程方面，以ITO等透明材料作为公共电极和像素电极的膜层，是通过CH孔搭接源漏极金属层进行像素的充放电。现有应用于触摸屏的手写笔主要包括被动笔和主动笔，而主动笔的工作原理就是主动笔在接触常规触摸屏时，触摸屏上的触控电极会接收到主动笔上发出的特定频率的脉冲信号，从而识别出主动笔在触摸屏上的位置。采用现有的Mid com In
‑
cell技术的触摸面板正好符合现有的主动笔设计需求，然而触控电极作为主动笔信号的接收电极的话，由于现有的触控电极上的RC Loading非常大，主动笔信号到达触控电极上由于信号严重衰减，很容易导致主动笔功能无法实现。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于解决主动笔信号衰减的问题，提供一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板及其制备方法。
[0005]本专利技术采用的技术方案是：一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板，其包括玻璃基板Glass，在玻璃基板Glass上依次设有缓冲层Buffer、有源层SE、刻蚀阻挡层ES、金属层GE、绝缘保护层PV、有机平坦层OC、金属层SD、绝缘层VA、公共电极BC、绝缘层CH和像素电极PE；有源层SE覆盖缓冲层Buffer的部分区域，刻蚀阻挡层完全覆盖有源层SE以及缓冲层Buffer的非有源层SE区域；金属层GE包括由图形化处理形成的栅极和触控层，金属层GE的栅极部分位于刻蚀阻挡层ES对应有源层SE上方区域，触控层设置在刻蚀阻挡层ES的非有源层SE区域；绝缘保护层PV完全覆盖金属层GE并直接覆盖于刻蚀阻挡层ES的非金属层GE覆盖区域；在栅极两侧的刻蚀阻挡层ES、绝缘保护层PV和有机平坦层OC上分别设有对应连通有源层SE的通孔，以在有源层SE的两端分别形成ES孔，金属层SD设在ES孔内并通过ES孔分别与有源层SE的两端搭接；绝缘层VA完全覆盖金属层SD并直接覆盖于有机平坦层OC的非金属层SD覆盖区域；触控层上方的绝缘保护层PV、有机平坦层OC和绝缘层VA上分别设有连通触控层的通孔，以
在触控层上方形成VA孔；公共电极BC设在VA孔内并通过VA孔与触控层搭接；绝缘层CH完全覆盖公共电极BC并直接覆盖于绝缘层VA的非公共电极BC覆盖区域；绝缘层VA和绝缘层CH上分别设有通孔，以形成连通金属层SD的CH孔；像素电极PE覆盖绝缘层CH分别区域，像素电极PE通过CH孔与金属层SD作为源漏极部分搭接。
[0006]进一步地，缓冲层采用SiOx材料成型。
[0007]进一步地，金属层SD
‑
8部分覆盖OC层上表面区域。
[0008]一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：步骤1，在玻璃基板（Glass）上依序制作缓冲层SiOx
‑
2和有源层SE
‑
3并图形化（Pattern）处理形成；步骤2，在有源层SE
‑
3上沉积一层刻蚀阻挡层ES
‑
4，刻蚀阻挡层ES
‑
4暂不进行图形化处理；步骤3，在刻蚀阻挡层ES
‑
4上图形化形成金属层GE
‑
5，金属层GE
‑
5包括栅极、触控层CM；步骤4，在金属层GE
‑
5上沉积一层绝缘保护层PV
‑
6；、步骤5，在绝缘保护层PV
‑
6上涂布一层有机平坦层OC
‑
7，并分别图形化出对应栅极和触控层CM的OC孔；步骤6，采用ES光罩在栅极两侧的OC孔位置对刻蚀阻挡层ES进行图形化得到ES孔；步骤7，在OC层上制作一层金属层SD
‑
8，金属层SD
‑
8通过ES孔与有源层SE相连接以形成源极和漏极；步骤8，在金属层SD
‑
8上沉积一层绝缘层VA
‑
9，并在触控层上方图形化出图形化得到VA孔；步骤9，在触控层上方的OC孔内沉积一层公共电极BC
‑
10，公共电极BC
‑
10通过VA孔与触控层CM搭接；步骤10，在公共电极BC
‑
10上沉积一层绝缘层CH
‑
11，分别对OC层和绝缘层CH
‑
11进行图形化处理得到连通金属层SD
‑
8的CH孔；步骤11，在CH孔内沉积一层像素电极PE
‑
12，并图形化处理使得像素电极PE
‑
12通过CH孔与金属层SD
‑
8搭接。
[0009]进一步地，步骤5中OC孔包括第一OC孔和第二OC孔，在栅极的两侧对应有源层SE两端的位置分别图形化出一第一OC孔，在触控层上方图形化出第二OC孔。
[0010]进一步地，步骤6采用ES光罩进行曝光/显影/蚀刻制程图形化得到ES孔；进一步地，步骤7中金属层SD
‑
8部分覆盖OC层上表面区域。
[0011]进一步地，步骤8绝缘层VA
‑
9完全覆盖金属层SD
‑
8以及OC层的非金属层SD
‑
8覆盖区域。
[0012]进一步地，步骤10中CH孔位于覆盖在OC层上表面的金属层SD
‑
8的位置。
[0013]本专利技术采用以上技术方案，采用顶栅自对准的TFT结构设计，同步搭配栅极GE和触控金属层CM共光罩，即触控金属层CM设计在OC层以下，data金属线SD设计在OC层以上，不仅降低了触控电极的RC Loading，避免了主动笔信号的衰减，而且同时也降低了TFT的RC Loading，提高了器件的相应速度。
附图说明
[0014]以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明；图1为本专利技术一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法的步骤1制作缓冲层并图形化处理后的状态示意图；图3为本专利技术一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法的步骤1制作有源层SE并图形化处理后的状态示意图；图4为本专利技术一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法的步骤2的过程状态示意图；图5为本专利技术一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法的步骤3的过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板，其特征在于：其包括玻璃基板Glass，在玻璃基板Glass上依次设有缓冲层Buffer、有源层SE、刻蚀阻挡层ES、金属层GE、绝缘保护层PV、有机平坦层OC、金属层SD、绝缘层VA、公共电极BC、绝缘层CH和像素电极PE；有源层SE覆盖缓冲层Buffer的部分区域，刻蚀阻挡层完全覆盖有源层SE以及缓冲层Buffer的非有源层SE区域；金属层GE包括由图形化处理形成的栅极和触控层，金属层GE的栅极部分位于刻蚀阻挡层ES对应有源层SE上方区域，触控层设置在刻蚀阻挡层ES的非有源层SE区域；绝缘保护层PV完全覆盖金属层GE并直接覆盖于刻蚀阻挡层ES的非金属层GE覆盖区域；在栅极两侧的刻蚀阻挡层ES、绝缘保护层PV和有机平坦层OC上分别设有对应连通有源层SE的通孔，以在有源层SE的两端分别形成ES孔，金属层SD设在ES孔内并通过ES孔分别与有源层SE的两端搭接；绝缘层VA完全覆盖金属层SD并直接覆盖于有机平坦层OC的非金属层SD覆盖区域；触控层上方的绝缘保护层PV、有机平坦层OC和绝缘层VA上分别设有连通触控层的通孔，以在触控层上方形成VA孔；公共电极BC设在VA孔内并通过VA孔与触控层搭接；绝缘层CH完全覆盖公共电极BC并直接覆盖于绝缘层VA的非公共电极BC覆盖区域；绝缘层VA和绝缘层CH上分别设有通孔，以形成连通金属层SD的CH孔；像素电极PE覆盖绝缘层CH分别区域，像素电极PE通过CH孔与金属层SD作为源漏极部分搭接。2.根据权利要求1所述的一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板，其特征在于：缓冲层采用SiOx材料成型。3.根据权利要求2所述的一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板，其特征在于：金属层SD
‑
8部分覆盖OC层上表面区域。4.一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板的制备方法，用于制备权利要求1至3任一项所述的一种避免主动笔信号衰减的触控阵列基板，其特征在于：方法包括以下步骤：步骤1，在玻璃基板上依序制作缓冲层和有源层SE并图形化处理形成；步骤2，在有源层沉积一层刻蚀阻挡层ES...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，潜垚，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：