【技术实现步骤摘要】
铁电薄膜的制备方法及铁电薄膜
[0001]本申请属于微电子器件
,具体涉及一种铁电薄膜的制备方法及铁电薄膜。
技术介绍
[0002]近年来,信息产业的飞速发展使得现有的配套系统无法满足数据的指数级增长,微电子器件领域面临着十分严峻的挑战。
[0003]随着微电子器件不断向便携式、小型化、低功耗的需求发展,其中的功能薄膜材料的尺寸要求同步进行微缩。铁电薄膜因独特物理特性进入了人们的视野,其是一种功能材料,可应用于铁电存储器、压电传感器、温度传感器、非线性光学器件等。制备大面积、厚度薄、可三维集成、性能均一且优异的铁电薄膜是制备高性能器件的基础之一。
[0004]随着摩尔定律的发展,为了提高器件的集成密度,对于器件结构的研究逐渐由平面开始向三维转化,因此,对于适合复杂三维结构的薄膜沉积方法的开发势在必行。但是现有三维结构的薄膜沉积方法制备的铁电薄膜的厚度均一性差。
技术实现思路
[0005]本申请的目的是提供一种铁电薄膜的制备方法及铁电薄膜以解决铁电薄膜的厚度均一性差的问题。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铁电薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将衬底置于均匀电场中;于所述衬底上依次沉积第一铁电薄膜、介电层及第二铁电薄膜层。2.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法,其特征在于,所述衬底的热膨胀系数为5*10e
‑6~5*10e
‑5。3.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法,其特征在于,所述电场包括:直流电场。4.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法,其特征在于,所述电场包括:交流电场。5.根据权利要求4所述的铁电薄膜的制备方法,其特征在于,所述交流电场的波形为:正弦波、方形波、三角波或锯齿波。6.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法,其特征在于,所述介电层的热膨胀系数为5*10e
‑6~5*10e
‑5。7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:周益春,徐意,廖敏,廖佳佳,曾斌建,
申请(专利权)人:湘潭大学,
类型:发明
国别省市:
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